硅片的超声流体喷射抛光实验研究.pdfVIP

130 何 勃等：硅片的超声流体喷射抛光实验研究 第9期 抛光实验为非接触式化学机械抛光，被抛光对象(硅片)与 光实验，以便直观观测抛光液的喷射工况，进而确定抛光液喷射 振子之间直接通过抛光液接触 (无抛光垫)。硅片固定在旋转圆盘 区域约为8mm。 下边，与旋转圆盘做定轴转动。抛光过程中，振子产生的兆赫级超 表 1抛光工艺参数 Tab．1Polishing ProcessParameters 声振动驱动抛光液向上喷射，冲击旋转着的硅片，抛光液中的微 细颗粒与旋转硅片接触撞击从而达到抛光的目的。考虑到抛光过 项 目 参数 程中剪切力对实验效果的作用，将振子与硅片偏心布置，即振子 UPP／SS010型硅材料 CMP浆料，用蒸馏水 抛光液 所激发的抛光液的喷射中心，相对于硅片的旋转中心有一个偏心 稀释体积比为 1：5，PH=10，SiO粒径(60～80)nm 距。抛光实验装置的工作原理，如图2所示。 抛光时间 60min，90min 100r／rain，200r／min，500r／min， 硅片转速 lO00r／min，2000r／min，3000r／min 环境温度 24℃ 4实验结果及分析 由于硅片与振子喷射中心之间偏心放置，振子不做宏观运 置 动而硅片旋转，故抛光区域为圆环形。对抛光前后的硅片利用 Zygo表面轮廓仪 NewView5022进行表面三维形貌测量，对比硅 片转速与抛光时间对硅片表面粗糙度的影响。在硅片测量过程 图2流体喷射超声抛光原理示意图 中，以透明胶片上 1：1硅片轮廓及抛光区域为基准，确定检测点 Fig．2SchematicDiagramofUltrasonicFluidJetPolishing 的位置 以保证测试点位置的一致性。硅片上 6个测点位置示意 3硅片的超声液体喷射抛光实验 图，如图4所示。 根据上述流体喷射超声抛光原理，利用Z4120台式钻床搭 建了流体喷射超声抛光实验装置。固定硅片的旋转圆盘装卡在钻 床的主轴上，喷射抛光振子及抛光液容器等附件布置在旋转圆盘 下方。振子的密封采用橡胶密封圈锁紧的方式，橡胶密封圈上下两 面通过螺纹联接压紧在振子的固定装置上。流体喷射超声抛光实验 装置实物照片及振子的密封固定装置结构图，如图3所示。由于 振子在长时间工作过程中会导致其驱动器发热，实验中利用散热 风扇对驱动器进行降温处理。 网4硅片测点不意图