基于硅纳米孔柱阵列氮化镓纳米结构的光致发光特性.pdf

! 第 # 卷第 $ 期 郑 州 大 学 学 报 !理 学 版 %’(# )($ ! $*+, 年 - 月 . 7389/!):;/=8/?/ .63($*+, 基 于硅纳米 孔柱阵列氮化镓纳米 结构 的 光致发光特性 刘伟康 !! 杜! 蕊 !! 朱文 亮 !! 冯明海 !! 李新建 !郑州 大学 物理工程学院! 河南 郑州 M***+ 摘要 ! 以硅纳米 孔 柱 阵列 !8@)aN为衬 底 $采 用化学 气相 沉 积 技 术 在不 同条件下制 备 了 b:)O8@)aN$并 对 其 表 面 / $ $b:)O8@)aN b:) 形 貌 和结构 进 行 了表 征 结果表 明 随着 制 备 温度 和 氨 气 流 量 的升 高 中 纳 米 结 构 的形 貌 发 生 显 $ / $ b:)O8@)aN ’ 著 变 化 特 征 尺 寸逐 渐 变 大 对样 品光 致 发 光谱 的测试 结果表 明 不 同温度 制 备 的 均具有 紫 外 光 黄 光 A $ ’ / b:)O8@)aN 和红光 个 发 光 带 但 发 光 带 的强度 峰位 和半 高 宽 随制 备 温 度 发 生 变 化 对 的光 致 发 光 过 程 与 发 光 机 制 进 行 了分析 $通过 改 变 制 备 条件可 以对 其 光 致 发 光 特性 实 现有效 调 控 / 关键词 ! 硅纳米 孔 柱 阵列 氮 化 镓 光 致 发 光 能带 结构 中图分类号 ! LG$(A+!!!!! 文献标志码 ! N!!!!! 文章编号 ! +-,+@-G+ !$*+, *$@*+*+@*M ’()! +*(+A,*M OD/8FF3/+-,+@-G+($*+-+#, *+ 引言 !b:) @% $ A( 2%/ b:) 氮化镓 是直接 带 隙 的 ) 族 化合 物半 导体 其 在 室 温下 的带 隙宽度 约 为 晶体 具有 ’ $ ’ / $ 介电 常数小 击穿 场强 高 和 热 导 率 大 等 优 异 的物 理 性 能 以 及较 强 的耐 高 温 耐 腐 蚀 和 抗 辐 射 能 力 同 时 b:) $ ’ ’ / $ 具有 良好 的机 械 和化学稳 定性 高 温 下可 以异 质生 长 在 蓝 宝 石 碳 化 硅 单 晶硅 等 衬 底 上 但 是 由于 b:)与衬底 材料 之 间通常存在 较 大的 晶格 失 配 和热失 配 $会 导致高 达 +*G h+* +$ =BP$ 界面 缺 陷密度 $并最 终 / $