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【2017年整理】开关电源设计步骤
开关电源设计步骤
步骤1 确定开关电源的基本参数 交流输入电压最小值umin 交流输入电压最大值umax 电网频率Fl??开关频率f 输出电压VO(V):已知 输出功率PO(W):已知 电源效率η:一般取80% 损耗分配系数Z:Z表示次级损耗与总损耗的比值,Z=0表示全部损耗发生在初级,Z=1表示发生在次级。一般取Z=0.5 步骤2 根据输出要求,选择反馈电路的类型以及反馈电压VFB 步骤3 根据u,PO值确定输入滤波电容CIN、直流输入电压最小值VImin 令整流桥的响应时间tc=3ms 根据u,查处CIN值 得到Vimin 确定CIN,VImin值 u(V) PO(W) 比例系数(μF/W) CIN(μF) VImin(V) 固定输入:100/115 已知 2~3 (2~3)×PO ≥90 通用输入:85~265 已知 2~3 (2~3)×PO ≥90 固定输入:230±35 已知 1 PO ≥240 步骤4 根据u,确定VOR、VB 根据u由表查出VOR、VB值 由VB值来选择TVS u(V) 初级感应电压VOR(V) 钳位二极管 反向击穿电压VB(V) 固定输入:100/115 60 90 通用输入:85~265 135 200 固定输入:230±35 135 200 步骤5 根据Vimin和VOR来确定最大占空比Dmax 设定MOSFET的导通电压VDS(ON) 应在u=umin时确定Dmax值,Dmax随u升高而减小 步骤6 确定初级纹波电流IR与初级峰值电流IP的比值KRP,KRP=IR/IP u(V) KRP 最小值(连续模式) 最大值(不连续模式) 固定输入:100/115 0.4 1 通用输入:85~265 0.4 1 固定输入:230±35 0.6 1 步骤7 确定初级波形的参数 输入电流的平均值IAVG 初级峰值电流IP 初级脉动电流IR 初级有效值电流IRMS 步骤8 根据电子数据表和所需IP值 选择TOPSwitch芯片 考虑电流热效应会使25下定义的极限电流降低10%,所选芯片的极限电流最小值ILIMIT(min)应满足:0.9 ILIMIT(min)≥IP 步骤9和10 计算芯片结温Tj 按下式结算: Tj=[I2RMS×RDS(ON)+1/2×CXT×(VImax+VOR) 2 f ]×Rθ+25 式中CXT是漏极电路结点的等效电容,即高频变压器初级绕组分布电容 如果Tj>100,应选功率较大的芯片 步骤11 验算IP??IP=0.9ILIMIT(min) 输入新的KRP且从最小值开始迭代,直到KRP=1 检查IP值是否符合要求 迭代KRP=1或IP=0.9ILIMIT(min) ??步骤12 计算高频变压器初级电感量LP,LP单位为μH 步骤13 选择变压器所使用的磁芯和骨架,查出以下参数: 磁芯有效横截面积Sj(cm2),即有效磁通面积。 磁芯的有效磁路长度l(cm) 磁芯在不留间隙时与匝数相关的等效电感AL(μH/匝2) 骨架宽带b(mm) 步骤14 为初级层数d和次级绕组匝数Ns赋值 开始时取d=2(在整个迭代中使1≤d≤2) 取Ns=1(100V/115V交流输入),或Ns=0.6(220V或宽范围交流输入) Ns=0.6×(VO+VF1) ④ 在使用公式计算时可能需要迭代 ??步骤15 计算初级绕组匝数Np和反馈绕组匝数NF 设定输出整流管正向压降VF1 设定反馈电路整流管正向压降VF2 计算NP 计算NF ??步骤16~步骤22 设定最大磁通密度BM、初级绕组电流密度J、磁芯的气隙宽度δ,进行迭代。 设置安全边距M,在230V交流输入或宽范围输入时M=3mm,在110V/115V交流输入时M=1.5mm。使用三重绝缘线时M=0 最大磁通密度BM=0.2~0.3T ?? 若BM>0.3T,需增加磁芯的横截面积或增加初级匝数NP,使BM在0.2~0.3T范围之内。如BM<0.2T,就应选择尺寸较小的磁芯或减小NP值。 磁芯气隙宽度δ≥0.051mm δ=40πSJ(NP2/1000LP-1/1000AL) ????????要求δ≥0.051mm,若小于此值,需增大磁芯尺寸或增加NP值。 初级绕组的电流密度J=(4~10)A/mm2 若J>10A/mm2,应选较粗的导线并配以较大尺寸的磁芯和骨架,使J<10A/mm2。若J<4A/mm2,宜选较细的导线和较小的磁芯骨架,使J>4A/mm2;也可适当增加NP的匝数。 确定初级绕组最小直径(裸线)DPm(mm)
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