沟槽型发射极SiGe异质结双极晶体管新结构研究 - 物理学报.PDF

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 63, No. 14 (2014) 148503 沟槽型发射极SiGe异质结双极 晶体管新结构研究 刘静 武瑜 高勇 (西安理工大学电子工程系, 西安 710048) ( 2014 年3 月26 日收到; 2014 年4 月25 日收到修改稿) 提出了一种沟槽型发射极SiGe 异质结双极晶体管新结构. 详细分析了新结构中沟槽型发射极的引入对 器件性能的影响, 并对其机理进行研究. 新型发射极结构通过改变发射极电流路径使电阻分区并联, 在不增 大结电容的前提下, 有效减小发射极电阻, 提高器件的频率特性. 结果表明, 新结构器件的截止频率和最大振 荡频率分别增加至100.2 GHz 和134.4 GHz, 更重要的是沟槽型发射极结构的引入, 在提高器件频率特性的同 时, 不会降低器件的电流增益, 也不会增加结电容, 很好实现了频率特性、电流增益和结电容之间的折中. 对 沟槽型发射极进行优化设计, 改变侧墙高度和侧墙宽度. 沟槽型发射极电阻不受侧墙高度改变的影响, 频率 性能不变; 侧墙宽度增加, 频率性能降低. 关键词: SiGe 异质结双极晶体管, 沟槽型发射极, 发射极电阻 PACS: 85.30.Pq, 85.30.De, 73.40.Lq DOI: 10.7498/aps.63.148503 尤其是针对如何减少jc 的研究尤为活跃1516 . 1 引 言 在不完全依赖于减小器件尺寸的前提下, 寻找一 种成本低廉、制作工艺简单的方法, 是进一步提高 近几年, SiGe 异质结双极晶体管(SiGe HBT) SiGe HBT 频率特性的有效途径. 在大尺寸SiGe 性能的改善从未间断. 21 世纪初SiGe HBT 的频率 HBT 中, 发射极电阻 e 在常规技术中是一个不怎 就已经超过300 GHz. 在2010 年, 其最大振荡频率 么被重视的参数, 很少有学者在此领域有深度探 (max ) 就已经达到了500 GHz, 有朝“THz” 迈进的 索. 随着器件尺寸的减小, 其他参数优化逐渐接近 趋势16 . 这些成果驱使SiGe HBT 技术向通信系 瓶颈, e 对发射结电容充电时间的影响越来越重 统、医疗、公共安全、图像系统等应用方向不断扩 要, 直接影响SiGe HBT 的频率特性, 如何减小 e 展. SiGe HBT 性能的不断进步, 主要基于以下几 逐渐成为提高频率的新途径. 个方面: 1) 新型器件结构的提出; 2) 器件寄生参 本文提出了一种沟槽型发射极SiGe HBT 结 数的调整; 3) 材料特性的提高; 4) 器件工艺的改善 构, 可以有效降低 e . 通过改变传统发射极I 型或 等714 . 随着器件尺寸的缩小, SiGe HBT 高频特 T 型结构, 引入沟槽型发射极, 很好地解决了发射 性更加优化, 性能更好. 但其复杂的工艺和昂贵的 极尺寸与 e 的矛盾. 采用沟槽型发射极结构, 器 成本, 也严重阻碍了器件的发展, 迫使人们将研究 件无须完全依靠减小发射极宽度 e 来增大频率, 转向其他方向. 诸多成果表明, 器件特征尺寸的减 即使在较大尺寸下, 仍可以达到比传统结构更优的 小, 会影响基区渡越时间b 、基极电阻b 、集电极 频率特性. 新型发射极结构通过改变发射极电流路 电阻 、发射结电容