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适用于大电流的SiGe HBT频率特性的解析模型
摘要
行了研究。建立了将Ge引入到集电区后异质结势垒效应(HBE)的一维解析物理模型。
并在此模型基础上对电子在基区中的渡越时间、HBT的电流增益和截止频率等进行了计
算。结果发现，随着Ge引入到集电区，异质结势垒效应只有在较高的集电极电流下才
会发生，而且产生异质结势垒的临界电流密度随Ge进入集电区深度的增大而增大。结
果，与集电区中不含Ge的情况相比，将Ge引入到集电区可以推迟电流增益和截止频
率的在大电流F的下降。因而，可以在大电流下仍然获得高的电流增益和截止频率。
另外，计算结果还发现，将Ge引入到集电区后可以提高在一1定发射结偏压下的集电极
电流密度。
本文的结论对SiGe基区HBT的高频大功率设计具有一定借鉴作用。
关键词：SiGe合金：异质结双极晶体管(HBT)：异质结势垒效应(HBE)；渡越时间
电流增益：截止频率
Abstract
The ofSiGebase transistors(HBT)
performance heterojunctionbipolar
high—frequency
isstudiedinthisthesis．Anew modelof
at currentdensities one—dimensional
high analytic
SiGebaseHBT intocollectoris
barrier withanextendedGe
heterojunctioneffect(HBE)in
onthis electrontransit andthecutoff
Based model，the current
proposed time，the gain
showsthattheonsetHBE current
arecalculated．It of canbe tohigher
frequency delayed
isextendedintocollector．In ttBE
whenGe onsetcurrent of
density addition，the density
increaseswhenthe ofextendedGeincreasesAsa currentand
depth result，highergain
at densitiesCall
cutoff current beobtainedinourmodel tothecase
frequencyhigh compared
of HBTwithoutGeintocollectorItisalsofound at
SiGe thatthecollectorcurrent
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