薄膜物理-表面与界面.pptVIP

* * 积累层中的电场强度与该层中的空间电荷密度的关系服从泊松方程 式中ε和ε。分别为介质常数和真空的电容率。 在外加电压下，积累层中的电子将沿介质运动，从而形成电流。在注入接触的情况下，即使是近于理想的介质、其本征载流子浓度几乎为零，也会有注入电流。在界面上没有积累电荷时，称为中性接触。这表示φm=φi，介质的导带直到界面都是水平的，不发生弯曲，如图所示。 中性接触的能带图（a）接触前（b）接触后 * * 从加电压开始，阴极都可以供给足够的电流，以平衡在介质中流动的电流，所以称这种接触为欧姆接触。从理论上来说，假设能以加上足够高的电压，介质本身可以携带的电流并没有上限。但是，实际上由于焦尔热和介质击穿，能加的电压有限。除此以外，阴极能供给的电流有限，其上限值是跃过位垒的热电子发射(理查森发射)电流的饱和值。达到这个限度以后，电导过程不再是欧姆性的，在阴极供给的电流达到饱和以前，可以加到介质上的最大场强可由下列条件得出:热电子电流的饱和值等于介质中的电流，即是： 因而得出： 式中no是阴极中能量高于界面位垒的电子密度，υ和μ分别是电子的热速度和迁移率。实际上，由于在阴极-介质界面镜象力与外加电场的相互作用，饱和电流随外加场强而增大(理查森一肖特基发射)。 * * 当φmφi时，产生阻挡接触(肖特基接触)；电子从介质流向金属，以建立热