SiO2单晶在干摩擦条件下摩擦磨损机理研讨.pdfVIP

第28卷 专 辑 中国矿业大学学报 V92..1 Monograph 1999年 10月 JournalofChinaUniversityofMining改Technology Oct.1999 S102单晶在干摩擦条件下摩擦磨损机理研究 ‘ 徐眺 田军 薛群基 (中国科学院兰州化学物理研究所固体润滑月放实验室 甘肃兰州 ;s}oOOJ 摘要 对Si0,单晶与Si,N.在干摩擦条件下的摩擦学特性进行了考察，并用JSM-56001.V扫描 电子显微镜对Si0:单晶表面摩擦轨迹的微观结构进行了研究，研究结果表明:在低负荷、干摩擦 条件下，Si0:单晶与Si,N,摩擦时，Si0:单晶的磨损由轻微到严重磨损可分为3个阶段，其磨损 机理为塑性剪切“塑性剪切于磨拉磨损、脆性断裂. 关键词 Si0:单晶，扫描电镜，摩擦磨损 中图分类号 TH117.1 第一作者简介 徐 洗，男，1965年生 博士研究生 陶瓷材料具有耐高温、耐磨损、耐腐蚀等优异 切割后，制成尺寸为20。二X20mmX3mm的薄 性能，故其在汽车工业、化学工业、高温加工技术和 片经抛光后成镜面，其晶面为(112),硬度为HV== 航空航天等许多领域得到了越来越广泛的应用.陶 l550摩擦对偶试样选用仍mm的队N,陶瓷球， 瓷作为摩擦学部件的研究和应用已经成为当前国 其硬度为HV二2450.摩擦实验前·所有样品均在 际摩擦学研究的前沿课题之一川.前人对陶瓷的摩 丙酮溶剂中超声清洗10min,然后用热风吹干 擦磨损机理进行了不少的研究Cz-cl但与金属相 摩擦磨损实验是在OF·PM动静摩擦系数精 比，人们对陶瓷的摩擦学行为的认识还不充分.本 密测量仪上进行的.实验采用球盘接触及往复运动 文对Si0。单晶与Si,N,陶瓷球在干摩擦条件下的 方式，法向载荷为。5N，速度为150mm/min,温 摩擦学特性进行了考察，并用JSM-5600LV扫描 度为室温，相对湿度为40;i-50% 经摩擦后的 电子显微镜对Si02单晶表面摩擦轨迹的微观结构 Si0:单晶样品用JSM-5600LV扫描电子显微镜对 进行了研究，以揭示Si0z单晶与队N;球在干摩擦 其表面的摩擦轨迹的微观形貌进行分析 条件下的摩擦磨损机理，为进一步用表面改性方法 2 结果与讨论 提高陶瓷材料的摩擦学性能奠定了理论基础. 图1,图2分别为在干摩擦条件下Si0:单晶与 1 实 验 ，N·刘磨过程中摩擦系数及磨损量随滑动次数变 实验用Si02单晶由水热法合成.样品经定向 化曲线. 时 ︵ 三 朽 尸 “ 巴 3 5 :‘:厂- ︹ 吕，5肠 / 璧。: -0.5亡三主一一一一、一一- 0 20 40 60 0 20 40 60 80 100 待动次数 Ie 决效 图]摩擦系数随滑动次数变化曲线 图2Sio,单晶蟾损量随滑动次数变化曲线 Fig.1Thecurveo#frictioncoefficientlarying Fig.2 ThecurveofwearingvolumeofSiOz withslidingtimes monocrystalvarvingwithslidingtim