MBE生长PbSePbSrSe量子阱结构的光致中红外发光的研究.PDF

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 4’ 4 #%%( 4 ， ， ， OSB /4’ \S /4 6@W #%%( （ ） !%%%$#(%-#%%(-4’ %4 -$4;%%4 YPMY )1Z+[PY +[\[PY $#%%( PCAK / )CW9 / +SJ / !# 生长$%’( $%)’ 量子阱结构的光致中 红外发光的研究! ） ） ） ） ） ! ! ! # # 蔡春锋 吴惠桢 斯剑霄 孙 艳 戴 宁 !）（浙江大学物理系，现代光学国家重点实验室，杭州 $!%%# ） # ）（中国科学院上海技术物理研究所，红外物理国家重点实验室，上海 #%%%’$ ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） #%%’ !% ! #%%’ !! ( 研究了分子束外延技术生长的 多量子阱结构的中红外光致荧光现象 高分辨率 射线衍射 )*+,-)*+.+, / 0 （ ）谱观察到了多量子阱所特有的多级卫星峰，表明量子阱界面陡峭 变温光致荧光谱测量显示量子阱结构 12023 / 对电子空穴有强的限制效应，在相同温度下，量子阱样品的荧光峰峰位相对 体材料有一定的蓝移 发现量子 )*+, / 阱样品的荧光强度同温度有关，温度从!4% 5 上升到#$% 5 时，荧光强度逐渐增大，温度继续升高，荧光强度缓慢下 降，但在高于室温时，仍能观察到较强的荧光发射，这说明该量子阱结构材料具有应用于室温工作的中红外光电子 器件的前景/ 关键词： 多层量子阱（ ），光致中红外荧光，高分辨 射线衍射（ ） )*+,-)*+.+, 6789 0 12023 ： ， ， $*++ ’4%: ’;4) ’44 阈值电流，提高器件工作温度等，因此受到广泛的关 ［— ］ !L 引 言 注= ’ / 徐天宁等人从理论上计算了)*M,- PIM, 量子 阱的光学增益，发现在相同的光抽运情况下（激发的 载流子浓度为 !’ R $ ） 量子阱的增 族半导体材料如 )*+, 和 )*M, 等具有一 $