Si基IV族异质结构发光器件的研究进展.PDF

Si基IV族异质结构发光器件的研究进展 何超 张旭 刘智 成步文 RecentprogressinGeandGeSnlightemissiononSi HeChao ZhangXu LiuZhi ChengBu-Wen 引用信息Citation: ActaPhysicaSinica, ,206102(2015) DOI: 10.7498/aps.64.206102 在线阅读Viewonline: /10.7498/aps.64.206102 当期内容Viewtableofcontents: /CN/Y2015/V64/I20 您可能感兴趣的其他文章 Articlesyoumaybeinterestedin 硅基槽式微环谐振腔型偏振解复用器全矢量分析 Full-vectorial analysis of a polarization demultiplexer using a microring resonator with silicon-based slot waveguides 物理学报.2015,64(19): 194207 /10.7498/aps.64.194207 铒离子注入绝缘体上Si 的射程分布研究 InvestigationonrangedistributionofErionsimplantedin silicon-on-insulator 物理学报.2014,63(17): 176101 /10.7498/aps.63.176101 掺杂对多层Ge/Si(001)量子点光致发光的影响 EffectofdopingonthephotoluminescenceofmultilayerGequantumdotsdepositedonSi(001)substrate 物理学报.2013,62(7): 076108 /10.7498/aps.62.076108 量子阱Si/SiGe/Sip型场效应管阈值电压和沟道空穴面密度模型 Threshold-voltageandhole-sheet-densitymodelofquantumwell Si/SiGe/Si p field effecttransistor 物理学报.2012,61(16): 166101 /10.7498/aps.61.166101 氧化硅缓冲层对于退火形成锗量子点的作用研究 InvestigationofGequantumdotsformationonSiO substratethroughannealingprocess 物理学报.2011,60(7): 076103 /10.7498/aps.60.076103 物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 64, No. 20 (2015) 206102 专题: 硅基光电子物理和器件 Si基IV族异质结构发光器件的研究进展 何超 张旭 刘智 成步文 (中国科学院半导体研究所, 集成光电子学国家重点实验室, 北京 100083) ( 2015 年8 月19 日收到; 2015 年9 月20 日收到修改稿) Si 基光互连具有高速度、高带宽、低功耗、可集成等特点, 有望解决集成电路的集成度在日益提高时电互 连带来的问题. 在Si 基光互连的关键器件中, 除了Si 基光源尚未得到解决, 其他器件都已经实现, 因此Si 基 可集成高效光源具有十分重要的研究意义. 同为IV 族元素的Ge 和GeSn 因其与Si 的可集成性及其独特的能 带结构有望成为Si 基光电集成回路中的光源. 虽然Ge 是间接带隙材料, 但通过引入张应变、n 型重掺杂, 或者 引入Sn 形成GeSn 合金等能带工程手段来提高发光效率. 近年来, Si 基IV 族发光材料和发光器件有许多重 要进展, 本文就Si 基Ge, GeSn 材料发光研究中的几个关键技术节点——应变工程、掺杂技术、理论模型和器 件研究—— 回顾了近几年国际和国内的研究进展, 并展望了Si 基IV 族激光器的发展趋势. 关键词: Si 基, Ge, GeSn, 发光器件 PACS: 61.72.uf, 42.82.–m, 61.82.Fk, 42.55.Px DOI: 10.749