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导电陶瓷的研究进展 　　摘要 本文介绍了导电陶瓷的应用领域，综述了导电陶瓷的制备方法，还介绍了电火花加工导电陶瓷的研究现状，最后还对导电陶瓷的发展方向进行了展望。 　　关键词 导电陶瓷，应用，制备，加工方法 　　 　　1前言 　　 　　导电陶瓷材料是指陶瓷材料中具备离子导电、电子/空穴导电的一种新型功能材料。导电陶瓷材料是从20世纪初期发展起来的，尤其是近十年来，关于新型导电陶瓷开发、传统导电陶瓷的改性、陶瓷材料与器件的一体化研究与应用等方面的研究十分活跃[1]。 　　导电陶瓷具有抗氧化、抗腐蚀、抗辐射、耐高温和长寿命等特点，可用于固体燃料电池电极、气敏元件、高温加热体、固定电阻器、氧化还原材料、铁电材料和高临界温度超导材料等方面[2]。本文对导电陶瓷的制备方法和加工方法进行了综述。 　　 　　2导电陶瓷的制备方法 　　 　　目前导电陶瓷的制备方法，主要有湿化学方法、无压烧结法、化学气相扩渗法和微波烧结法等。 　　2.1 湿化学方法 　　湿化学法主要有溶胶-凝胶法和共沉淀法。溶胶-凝胶法常以金属无机盐、金属有机盐或金属醇盐为原料，加入酒石酸、柠檬酸或醋酸为络合剂制备前驱体，加热蒸发得到溶胶，继续蒸发形成凝胶，干燥后煅烧即可得到粉体，将粉体压制成形、焙烧，使其致密，最后得到导电陶瓷。共沉淀法常以金属无机盐为原料，制备成水溶液，再加入沉淀剂（如氨水、草酸）以得到沉淀产物，干燥后煅烧、压制成形、焙烧，最后得到导电陶瓷。 　　吴敏艳等人[3]采用溶胶-凝胶法制备了粒径为30～60nm的超细粉，采用速控烧结制度在较短的烧结时间里获得相对密度为98%、平均晶粒度小于1μm的致密陶瓷。王歆等人[4]用溶胶-凝胶法，在Al2O3衬底上制备了导电性能优良的BaPbO3(BPO)导电薄膜。研究发现，升高热处理温度和增加热处理次数使薄膜中Pb/Ba摩尔比降低和膜厚减小，从而使薄膜电阻升高，薄膜导电性能下降，尤其是在膜层较薄的情况下，这种影响更加显著。采用670℃保温10min的单次热处理方法，获得了方阻为4.65Ω/cm的单一钙钛矿结构BPO相导电陶瓷膜。 　　刘心宇等人[5]利用液相共沉淀法制备了BaPbO3导电陶瓷粉末。研究发现，采用液相共沉淀法能明显降低BaPbO3粉末的合成温度，其合成温度约为650℃左右；液相法制备的BaPbO3粉末纯度高、粒度细；液相共沉淀法制得的BaPbO3导电陶瓷的室温电阻率约为3.4×10-4Ω#8226;cm，并在750℃前具有优良的正温度系数 (PTC) 阻温特性。刘心宇等人[6]还采用化学液相共沉淀法制备了掺杂La的BaPbO3导电陶瓷粉末，将粉末压制成形，在950℃下烧结后发现，La在BaPbO3中的固溶度为10%；随着La的增加，BaPbO3的室温电阻率呈W形变化（如图1所示）。在La含量较低时，导电机制可能是电子导电形式，而当La含量较高时，其导电性可能主要是由费米能级的Pb之6s和O之2p轨道的重叠而引起的。 　　2.2 固相烧结法 　　固相烧结法是一种制备陶瓷材料的传统方法，将陶瓷原料粉末混合均匀后压制成形，在高温下无压（或有压）烧结，随炉冷却后便得到所需的陶瓷材料。 　　王春华等人[7]采用常压法获得致密的碳化硅烧结体，体积密度为3.12g/cm3，电阻率为0.165Ω#8226;m；该陶瓷在300～600℃温度范围内表现出明显的负电阻率温度系数。 　　为提高导电陶瓷的导电能力，常对陶瓷进行掺杂。刘汉忠研究了Ce掺杂La0.5-xCexBa0.5CoO3陶瓷时，发现该陶瓷材料是一种电子、空穴和氧离子混合导电的陶瓷材料；La0.5-xCexBa0.5CoO3的x在0.1～0.5变化时，电阻率ρ随Ce的掺杂量增加而单调上升。图2给出了烧结温度为1080℃和1100℃时，样品的室温电阻率ρ（mΩ/cm）与Ce的加入量 x的关系。何汉兵等人[8]利用冷压-烧结技术制备了CuO掺杂的10NiO-NiFe2O4复合陶瓷，在1473K下烧结的CuO掺杂10NiO-NiFe2O4复合陶瓷的电导率与CuO含量有关（如图3所示），当未掺杂CuO时，在303K到773K温度范围内电导率随温度的升高而逐渐增加，随后在773～923K出现1～2个数量级的突降，然后重新随温度的升高而缓慢上升，当掺杂CuO后，电导率在298～1233K内随着温度的升高而增加。4%CuO掺杂10NiO-NiFe2O4复合陶瓷在不同测试温度下均具备最高电导率，在1233K下达到5.169S/cm，是未掺杂样品的5倍。 　　将绝缘的陶瓷基体与导电相复合，通过固相烧结也可得到导电陶瓷。在导电复合材料中，只有导电相体积分数大于临界值时，即导电相的掺量大于导电阀值时，导电相颗粒在绝缘基体中便形成了一个连续的导电网络