硅晶体中碳氧含量的检验-北京羲和阳光科技发展有限公司.PDF

硅晶体中碳氧含量的检验 一、测试原理 18 3 氧原子在熔硅中的最大溶解度约为3×10 原子/厘米 ，在接近硅熔点时， 18 3 液态硅中碳原子的溶解度约为3~4×10 原子/厘米 ，固态硅中碳原子的溶解 18 3 度约为5.5×10 原子/厘米 。氧和碳是硅中最多的主要的杂质。在硅单晶中， 除了氧和碳以及有意掺入的掺杂杂质外，其他所有杂质原子的含量都在 1012 原 3 子/厘米 左右及以下，几乎全部都在活化分析的检测限以下。一般硅单晶中掺 杂杂质的浓度与氧、碳相比也是较低的。例如对于电路板级单晶，P 型硅掺硼原 15 16 3 14 15 子的浓度约为 10 ~10 原子/厘米 ，N 型硅掺磷原子的浓度为 10 ~10 3 15 16 3 原子/厘米 ，而典型的区熔硅的氧原子含量约为 10 ~10 原子/厘米 ，典型 17 18 3 的直拉硅的氧原子含量约为 10 ~10 原子/厘米 ；典型的碳原子含量在 16 17 3 10 ~10 原子/厘米 左右，一般来说 ，区熔硅中碳原子的含量要比直拉硅低。 氧碳含量指标直接关系到电池片的效率和碎片率，硅中氧含量越高，则电池 片的转换效率就越低；碳含量越高，则应力越大，越容易破碎。 氧和碳在硅晶体中都呈螺旋纹状分布。氧的分凝系数为 1.25，大于 1，所 以熔体一侧的氧浓度比固态单晶一侧的浓度低，因此在直拉单晶中头部氧含量比 较高，尾部氧含量比较低。碳的分凝系数小于 1，为 0.07，因此在直拉单晶生 长时，熔体中的碳浓度逐渐增加，在晶体中，碳沿轴向的分布不均匀，头部低， 尾部高。 目前测定硅单晶中的氧、碳含量最常用的方法是红外吸收法。本方法除制备 样品较复杂外，测试和计算都是比较方便的。现在红外吸收法已成为测量硅单晶 中氧、碳含量的标准方法。用红外吸收法测氧、碳含量时，所测得的氧、碳含量 不是硅单晶中的总氧和总碳含量。对氧来说，测得的是晶格中的间隙氧，对碳来 说，则是晶格中的替位碳。 红外吸收法测定硅单晶中氧原子含量的有效范围是 2.5×1015~3.0×1018 3 15 18 原子/厘米 ，测定碳的有效范围是5×10 ~3×10 。 北京羲和阳光科技发展有限公司 网址 2010 年10 月 二、测试工艺 一般可用波数范围 4000~400cm-1(波长为 2.5~25μm)的双光束光栅， 这种仪器应具备狭缝程序，分辨率为1~3cm-1。测氧的分辨率应不大于4cm-1,； 测碳的分辨率不大于2cm-1。 光源发出的辐射分为强度相等的两束光。一束光穿过样品时受到样品的吸 收，吸收强度与不同频率处的吸收系数有关。另一束称为参比光束。在样品光束 中设置了一楔形减光器，通过它在光路中的移进移出来调节光强。在参比光束中 也设有一个相似的楔形减光器，由一个伺服电机驱动。这两束光到达一个转速为 660 （或780）r/min 的扇形转镜后，在光路上即合并成同一条光路，形成由样 品光束和参比光束交替出现的脉冲光。这一光束通过单色器，被装置在其中的光 栅分光、色散开来，光栅旋转时，色散的的光谱逐渐扫描通过单色器的出口狭缝。 这一狭缝的宽度决定了由单色器出来的波数宽度。减少狭缝宽度可以提高分辨 率，但信号强度