高频异质结晶体管直流和交流模型及其验证.docVIP

高频异质结晶体管直流和交流模型及其验证 第34卷第2期 2011年4月 电子器件 ChineseJournalofElectronDeviees Vo1.34No.2 Apr.2011 DC-ACModelsandVerificationofHigh-FrequencyHBT GAOJinming,LIYao (DepartmentofPhysics,MicroelectronicsLaboratory,UniversityofScienceandTechnologyofChina,Hefei230026,China) Abstract:Basedondrift-diffusionequationandenergybalanceequation,aSiGeHBTDCandACmodelwas, established.Inaddition,thevelocitysaturationeffect,baseandmitterbandgapnarrowingeffectandtherecombination effectareincluded.Finally,thetheoryandmesa—typeSiGeHBTexperimentresultswerecompared,thecut-frequency iS10.5GHz.thecurrentgainiSabout45,thetheoreticalresultsareconsistentwithexperimentresults. Keywords:SiGeHBT;DDM(DriftDiffusionMode);BTM(BoltzmannMode1);electrontemperature;recombination effect;velocitysaturationeffect EEACC:6560Jdoi:10.3969/j.issn.1005—9490.2011.02.004 高频异质结晶体管直流和交流模型及其验证木 高金明,李壶 (中国科技大学微电子实验室,合肥230026) 摘要:针对漂移扩散方程和能量平衡方程的解建立了SiGeHBT的直流和交流理论模型,综合考虑了速度饱和效应,基区 和发射区的禁带变窄效应和复合效应,并与台面型SiGeHBT实验结果进行了比较,截止频率为10.5GHz,电流增益为45,与 理论结果基本符合. 关键词:SiGeHBT;漂移扩散模型;波尔兹曼模型;电子温度;复合效应;速度饱和效应 中图分类号:TN321文献标识码:A文章编号:1005—9490(2011)02-0132-05 随着半导体器件结构与工艺技术的不断革新, 1987年IBM公司首次制作出SiGe基区异质结双极 晶体管(SiGeHBT).SiGeHBT与传统的si基区晶 体管相比,具有许多更加优良的特性…,主要原因 是基区加入Ge元素,致使基区带隙变窄,形成Si/ SiGe异质结,频率高,低噪声,增益大和抗辐射等是 此类器件的显着特点,并且由于该类器件能与传统 硅工艺兼容,所以成本低廉,易于集成,具有很大的 市场竞争力,因此SiGeHBT技术就得以迅速发展, 逐渐成为HBT器件的主流技术之一¨J,最新研究的 SiGeHBT的截止频率已经达到了200GHz. 本文介绍了一种电流理想因子基本为1,截止 频率为10.5GHz的SiGeHBT器件,采用双台面结 构,双发射区和双集电区,利用分子束外延技术生成 器件,并且基区有双隔离层.运用能量平衡模型进 行了分析,综合考虑了基区中的速度饱和效应,禁带 变窄效应,复合效应,建立了集电极电流,包括复合 项目来源:安徽省自然科学基金项目(090412029) 收稿日期:2010一l0—31修改日期:2010—11—11 效应的基区电流,电流增益和基区渡越时间的表 达式,并与漂移扩散模型进行比较,与实验获得的数 据进行了比较. 1器件结构与工艺流程 本文SiGeHBT采用分子束外延技术,一次外延 生产所需的多层次结构,然后根据需要刻蚀出器件 平台.基区的上下两侧还设计生成5nm的空间隔 离层Spacer,其材料是本征SiGe,其作用是防止基区 的硼向发射结集电结扩散,影响器件的性能.集电 区厚度设计为250nm,并降低集电区的掺杂浓度, 从而可以获得高的集电结反向击穿电压.因为在基 区加入了Ge,所以SiGe基区可以重掺杂,从而降低 基区电阻,显着提高器件的频率.器件发射区面积 设计为264m,周长为68Ixm,单条结构.器件的 最终整体结构剖面如图1所示,各层掺杂类型及物 理参数如表1所示. 第2期高金明,李矗:高频异质结晶体管直流和交流模型及其验证133 图1SiGeHBT器件结构 表1SiGeHBT器件各层掺杂浓度 工艺主要过程是:首先用低惨