fe co掺杂zno稀磁半导体第一性原理研究word格式论文.docxVIP

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独 创 性 声 明本人郑重声明:所呈交的学位论文,是本人在导师的指导下,独立进行研究 工作所取得的成果。除文中已注明引用的内容以外,本论文不包含任何其他个人 或集体已经发表或撰写过的作品成果,也不包含为获得江苏大学或其他教育机构 的学位或证书而使用过的材料。对本文的研究做出重要贡献的个人和集体,均已 在文中以明确方式标明。本人完全意识到本声明的法律结果由本人承担。学位论文作者签名:年月日学位论文版权使用授权书江苏大学、中国科学技术信息研究所、国家图书馆、中国学术期刊(光盘版) 电子杂志社有权保留本人所送交学位论文的复印件和电子文档,可以采用影印、 缩印或其他复制手段保存论文。本人电子文档的内容和纸质论文的内容相一致, 允许论文被查阅和借阅,同时授权中国科学技术信息研究所将本论文编入《中国 学位论文全文数据库》并向社会提供查询,授权中国学术期刊(光盘版)电子杂 志社将本论文编入《中国优秀博硕士学位论文全文数据库》并向社会提供查询。 论文的公布(包括刊登)授权江苏大学研究生处办理。本学位论文属于不保密 ?。学位论文作者签名:指导教师签名:年月日年月日摘要自旋电子器件由于同时具备电子的电荷属性和自旋属性,可以极大地提高信 息的处理和传输速度,扩展信息的存储能力。ZnO 稀磁半导体在自旋电子器件领 域具有广泛的应用前景,因而研究和制备出具有高质量的 ZnO 稀磁半导体已经 成为研究者关注的重点。到目前为止,无论是理论上还是实验上都对 ZnO 稀磁 半导体进行了大量的研究,并获得了众多有意义的研究成果,但是仍然存在很多 问题需要研究者继续去解决,比如研究结果不统一、实验重复性差、磁性起源机 理存在争议以及居里温度低等,这些问题都制约着它们的发展和应用。与此同时 ZnO 在光学性质方面也表现出优异的性能,因此有必要在研究其磁性的同时,对 其光学性质进行研究,以期待为同时具有优异磁学特性和光学特性的电子器件的 研究和制备提供重要的理论指导。本文的主要研究内容和结果如下:(1)构建 Fe 单掺杂 ZnO 和 Co 单掺杂 ZnO 的模型,对它们的磁性和电子 结构进行计算和分析,其研究结果表明:在没有其他杂质元素或者缺陷引入的情 况下,它们都不具备室温铁磁性。但是相对于 Fe 单掺杂 ZnO 在基态时表现为反 铁磁态,Co 单掺杂 ZnO 在基态时的磁稳定性与掺杂原子的相对位置有关,既可 能是反铁磁态也可能是铁磁态。要使它们能够应用于实际,就必须通过其他途径 对它们予以改性,使得它们具有室温铁磁性。多余电子形成的载流子对它们的铁 磁态具有重要的调控作用,因而考虑能否通过增加载流子浓度的方法使得它们具 有室温铁磁性。(2)构建了 Fe-In 共掺杂 ZnO 和 Co-In 共掺杂 ZnO 的模型,计算和分析了 它们的磁性和电子结构,其研究结果表明:它们都具有室温铁磁性,并且相对而 言 Co-In 共掺杂 ZnO 的室温铁磁性强于 Fe-In 共掺 ZnO,更利于的实际应用。它 们的磁性调控机理可以用多余载流子调控的双交换机制来解释,这里的多余载流 子指的是自由电子。(3)对 In 掺入前的单掺杂 ZnO 和 In 掺入后形成的共掺杂 ZnO 的光学性质 进行了计算和分析,其研究结果表明:相比于本征 ZnO,它们的光学性质都发生 了明显的变化:其一、虽然它们的吸收光谱仍然主要分布在紫外光区,但是它们 的吸收能力明显要强于本征 ZnO;其二、在低能的可见光区域(1.61eV 到 3.10eV),I本征 ZnO 的吸收系数几乎为零,而它们却存在明显的吸收峰。再者,共掺杂 ZnO的吸收能力强于单掺杂 ZnO。因此它们在紫外光电子器件领域和可见光吸收利用 的器件领域都具有很好的应用潜能,并且这种潜力是 In 掺入后形成的共掺杂 ZnO 大于 In 掺入前的单掺杂 ZnO,同时 Fe-In 共掺杂 ZnO 大于 Co-In 共掺杂 ZnO。关键词:自旋电子器件,掺杂 ZnO,磁性,电子结构,室温铁磁性,光学性质IIABSTRACTUsing the charge attribute and the spin attribute of electrons, the spintronics devices will greatly promote the speed of processing and transporting information, and expand the capacity of information storage. ZnO diluted magnetic semiconductors have a wide range of applications in the field of the spintronics devices

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