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Section 1基础知识 Section 1 : 半导体物理基础Section 1Section 1Section 1概述半导体物理与微电子学的关系固态电子学--现代信息科学的基础微电子学、光电子学微电子学：研究在微小尺度下，固体(主要是半导体)材料上构成的器件、电路及系统中电子运动规律的学科微电子学是固态电子学的分支之一脱胎于电子学和固体物理学的边缘性技术学科其物理基础是固体能带理论Section 1Section 1Section 1概述半导体物理与微电子学的关系微电子学领域半导体材料和器件物理集成电路工艺集成电路设计原理和技术集成电路功能和特性测试微电子技术的理论基础是半导体物理和器件物理，是固体物理理论中有关半导体材料和器件的学科分支微电子学理论(半导体物理和器件物理)的诞生是以晶体管的发明和晶体管理论的建立为标志的Section 1Section 1Section 1几个基本概念晶体和非晶体非晶体：原子或分子排列无序，呈现无定性态(玻璃)晶体：原子或分子排列有序 单晶：原子或分子排列长程有序(单晶硅) 多晶：原子或分子排列短程有序(金属)Section 1Section 1Section 1几个基本概念本征半导体完全纯净的、结构完整的半导体晶体。共价键是很牢固的化学键。低温时，每个硅原子的最外层的电子全部被共价键束缚在原子周围，不能自由移动。随着温度的升高，晶格振动加强，少数的共价键断裂。每断裂一个共价键，电子可以自由移动，参与导电。在断裂处留下空位，带正电荷-称为空穴。Section 1Section 1Section 1几个基本概念非本征半导体掺入了杂质元素的半导体。在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会使半导体的导电性能发生显著变化。其原因是掺杂半导体的某种载流子（导电粒子）浓度大大增加。两种类型的杂质元素： 施主杂质（高价元素，提供电子） 受主杂质（低价元素，提供空穴）两种类型的半导体： N型半导体（施主杂质，电子导电） P型半导体（受主杂质，空穴导电）Section 1Section 1Section 1几个基本概念杂质半导体电子参与导电：自由移动的电子带负电荷，在电场作用下移动形成电流。空穴参与导电：带正电荷的空位，对周围的电子具有较大的吸引力，容易将周围的共价键上的电子夺过来。在电场作用下，好像带正电荷的空位沿着电子移动的反方向运动形成电流。自由电子N型P型空穴施主杂质离子受主杂质离子硅原子硅原子Section 1Section 1Section 1几个基本概念半导体中的电流-漂移电流载流子在电场中受到库仑力的作用发生运动形成电流。载流子在电场中受到库仑力而加速运动，受到散射而失去动能，最终达到动态平衡，以一个稳定的平均速度运动。载流子的漂移运动产生电流(电流：单位时间内流过的净电荷)。Section 1Section 1Section 1几个基本概念半导体中的电流-扩散电流由于微观粒子的布朗运动，当存在载流子的浓度差异时，粒子要扩散。在半导体内，如果存在载流子的浓度差异，载流子也要扩散。载流子的扩散运动形成扩散电流。空穴：电子：基础知识 End of Section 1Section 2基础知识 Section 2 : 半导体器件基础Section 1Section 1Section 2MOS工作原理MOSFET（Metal Oxide Semiconduction Field Effect Transistor），是构成VLSI的基本元件。半导体的表面场效应以P型半导体为例Section 1Section 1Section 2MOS工作原理当在金属上面加相对于P型半导体的一个小的正电压时，在栅极下面产生一个指向半导体体内的电场。由于异性相斥，表面电荷减少。(MOS电容，上极板是正电荷，下极板是负电荷。表面空穴被驱赶走后，留下不可移动的负离子)Section 1Section 1Section 2MOS工作原理当这个正电压增大时，表面电荷持续减少(下极板负电荷增加)。电压高到一定程度时，表面电荷全部被驱赶干净，即表面电荷耗尽，表面呈现高阻态。Section 1Section 1Section 2MOS工作原理当这个正电压再增大时，将把电子吸引到硅表面。当这个电压足够大时，硅表面的电子则会足够多，将使得硅表面由原来的P型转变成N型，即形成反型层。Section 1Section 1Section 2MOS工作原理下图为MOS基本结构图Section 1Section 1Section 2MOS工作原理下图为CMOS基本结构图 W Gate width； Ldrawn(L) Gate length--layout gate length； Leff Effective ga