itogzo薄膜光电特性及残余应力特性研究-study on photoelectric characteristics and residual stress characteristics of itogzo thin films.docxVIP

itogzo薄膜光电特性及残余应力特性研究-study on photoelectric characteristics and residual stress characteristics of itogzo thin films.docx

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独 创 性 声 明本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工 作及取得的研究成果。据我所知,除了文中特别加以标注和致谢的地 方外,论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果,也不包含 为获得电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。 与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确 的说明并表示谢意。签名:日期:年月日关于论文使用授权的说明本学位论文作者完全了解电子科技大学有关保留、使用学位论文 的规定,有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和磁盘, 允许论文被查阅和借阅。本人授权电子科技大学可以将学位论文的全 部或部分内容编入有关数据库进行检索,可以采用影印、缩印或扫描 等复制手段保存、汇编学位论文。(保密的学位论文在解密后应遵守此规定)签名:导师签名: 日期:年月日摘要摘要本文采用直流和射频磁控溅射的方法,在柔性 PET 基片以及玻璃基片上分 别制备了不同工艺条件下的 ITO,GZO 薄膜样品。利用 X 射线衍射,台阶仪,紫 外-可见光-近红外分光光度计,傅里叶红外光谱仪,霍尔效应等设备对 ITO,GZO 薄膜样品的基本结构,力学性质,光学性质以及电学性质进行表征分析,得到不 同工艺参数对 ITO,GZO 薄膜样品性能参数的影响,主要工作如下:一.不同的工艺参数对 ITO 薄膜性能的影响。(1)随着溅射气压的增加,ITO 薄膜电阻率增加,最小电阻率为 2.5?10-4Ω.cm;晶化质量有所降低,缺陷浓度明 显增加,理论模型显示薄膜中填充因子降低。(2)随着溅射时间的增加,ITO 薄 膜膜厚线性增加,结构表现非晶特性;电阻率明显降低,在膜厚 1.3198?m 时最 小电阻率为 7?10-3Ω.cm,同时迁移率单调减小;在可将光波段内,透射率略微降 低,吸收率略微增加,在近红外波段,透射率则明显降低。(3)随着溅射功率增 加,ITO 薄膜膜厚增加;XRD 衍射谱显示了 ITO 薄膜从非晶态向晶态的转变,主 要衍射峰对应于(400)方向;电阻率明显降低,最小电阻率为 1.2×10-3Ω.cm;在 可将光-近红外波段,透射率明显降低。二.缓冲层工艺参数对 ITO 薄膜性能的影响。(1)随着 Al2O3 缓冲层氧分压 的增大,ITO 薄膜(222)衍射峰峰强增大,半高宽增大;电阻率在氧分压达到 2%时明显降低,之后几乎保持不变;在可见光波段,透射率表现出先增后减的趋 势;红外发射率先减后增,与方阻表现出一定的关系.(2)随着 Al2O3 缓冲层厚 度的增加,ITO 薄膜从非晶态变为晶态,同时主要衍射峰也从(400)衍射峰变为(222)衍射峰;电阻率先减小,在缓冲层厚度 37.5nm 时略微增加,之后又减小, 缓冲层膜厚 75nm 时,最小电阻率为 3.53×10-4Ω.cm;在可见光波段,平均透射率 几乎不变。三.不同的工艺参数对 GZO 薄膜性能的影响。(1)随着溅射时间的增加, GZO 薄膜膜厚增加,溅射速率有所变化;XRD 衍射谱显示,所有薄膜表现出晶 态,并且主要衍射峰从(002)衍射峰变为(101)衍射峰;电阻率单调增大,最 小电阻率为 2.74×10-3?.cm;载流子浓度和迁移率变化较小,在膜厚 810nm 时, 最小迁移率为 5.91cm2V-1s-1;由反射谱得到电子的有效质量,变化趋势与迁移率 相反,利用金属碰撞模型得到弛豫时间为 0.11±0.01?s;在可见光-近红外波段,I摘 要透 射 率 变 化 不 明 显 ; 禁 带 宽 度 随 着 载 流 子 浓 度 和 迁 移 率 变 化 , 可 以 用Burstein-Moss 关系式解释。(2)随着溅射功率的增加,GZO 薄膜晶化质量明显增 加,主要衍射峰从(002)变为(101);SEM 结果显示,晶粒尺寸明显增大,同 时表面平整性严重降低;电阻率明显减小,在溅射功率 336W 时略有增大,最小 电阻率为 2.81?10-3Ω.cm;载流子浓度先增后减,迁移率表现出相同的变化趋势; 在可见光波段,透射率先增后减,但变化幅度较小,而在近红外波段,变化幅度 明显增大,在 274W 时透射率最小。关键词:ITO 薄膜,GZO 薄膜,电学性能,光学性能IIABSTRACTABSTRACTIn this paper, ITO and GZO films were prepared on PET and glass substrates by employing D.C. and A.C. magnetron sputtering technologies with different deposition conditions. Their structural, mechanical, optical and elect

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