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pzt pvdf铁电材料力电耦合性能的鼓包法测试分析-analysis of the mechanical and electrical coupling properties of pzt pvdf ferroelectric materials by bulge method

湘潭大学 学位论文原创性声明 本人郑重声明:所呈交的论文是本人在导师的指导下独立进行研究所取得的 研究成果。除了文中特别加以标注引用的内容外,本论文不包含任何其他个人或 集体已经发表或撰写的成果作品。对本文的研究做出重要贡献的个人和集体,均 已在文中以明确方式标明。本人完全意识到本声明的法律后果由本人承担。 作者签名:日期: 年 月 日 学位论文版权使用授权书 本学位论文作者完全了解学校有关保留、使用学位论文的规定,同意学校保 留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子版,允许论文被查阅和借 阅。本人授权湘潭大学可以将本学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行 检索,可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存和汇编本学位论文。 涉密论文按学校规定处理。 作者签名:日期: 年 月 日 导师签名:日期: 年 月 日 摘要压电、铁电材料在国防、电子、工业等方面有着广泛的应用,对高科技新型产业的 发展具有重大影响。铁电材料的关键参数及力电失效机制的分析对提高材料的应用范围 以及其可靠性具有至关重要的意义。本文首先发展了一种基于鼓包法的铁电材料力电本 构测试模型,可用于测试力电耦合作用下新型铁电材料的弹性刚度系数、压电系数和弹 性模量;自主完善了鼓包实验测试系统,完成了 PZT-4 压电陶瓷、PZT 薄膜和 PVDF 薄 膜材料的力电耦合鼓包测试,并获得了以上三种材料的弹性刚度系数、压电系数和弹性 模量;进一步分析了在不同力电耦合作用下材料的电滞回线特征,讨论了剩余极化、矫 顽场、饱和极化三个关键参数的演变情况。具体工作内容如下: 第一,建立了铁电材料鼓包断裂测试的本构模型。基于传统的鼓包法,对铁电材料 的鼓包测试模型进行推导。以铁电陶瓷为例,根据材料的特性结合其系数矩阵以及传统 鼓包法的力学模型,对力电耦合作用下铁电陶瓷的本构方程进行推导,得到了在力电耦 合作用下铁电材料的鼓包模型,进而得到铁电陶瓷的弹性刚度常数以及压电系数。该模 型可用于测试新型铁电及铁电复合材料在力电耦合下的性能参数,为测量新型铁电材料 的性能提供一种实验测试手段。 第二,利用改进的鼓包力电耦合测试装置分析了商业化 PZT-4 陶瓷片的力电耦合性 能。根据不同电场强度下材料的压力-挠度曲线,结合鼓包力电耦合模型得到 PZT-4 陶102瓷片的弹性刚度系数 c13 的值为12.56 ?10 N m。结合实验数据对压电系数 e13 进行计算,结果表明压电系数 e13 的值随着外加电压的增加而减小。对不同电压下的电滞回线进行测试,结果表明:随着外加压力的增加电滞回线变得扁平,其剩余极化强度、最大极化强度减小,矫顽场的值增大。同时得到 PZT-4 陶瓷片的弹性模量的值为 72.27 GPa, 残余应力的值为 51.72 MPa。 第三,利用改进的鼓包力电耦合测试装置分析了 PZT[Pb(Zr0.52Ti0.48)O3 铁电薄膜的 力电耦合性能。首先在不同压力下对 PZT 薄膜的电滞回线进行测量,结果表明:随着压 力的增加,薄膜材料的剩余极化强度减小,而矫顽场呈现增大的趋势。测量不同外加电 场下 PZT 薄膜的压力-挠度曲线,得到不同电压下 PZT 薄膜的弹性模量随着电压的变化 关系。结果表明:当电压从 0 V 增加到 14 V,PZT 铁电薄膜弹性模量值从 3.29 GPa 增加到5.02 GPa。 第四,利用改进的鼓包力电耦合测试装置分析了聚偏氟乙烯(PVDF)高分子铁电聚合物薄膜的力电耦合性能。首先测试了不同压力下 PVDF 薄膜的压力-挠度曲线,得到其 弹性模量的平均值为 1.93 GPa。测试不同电压下 PVDF 薄膜的压力-挠度曲线,分析了 PVDF 有机薄膜的力电响应行为。计算得到 PVDF 铁电聚合物薄膜的弹性刚度常数的值 I 12c ??1.02 ?109 N m2。并得到压电常数随电压的变化关系,结果表明;当电压为 20 V、50 V 以及 150 V 时,压电常数从 ?0.466 C/m2 减小到了 ?0.013 C/m2 ,这一结果说明外加 电场和双轴拉伸应力的共同作用对铁电聚合物薄膜的压电性能产生了很大影响。 关键词:鼓包法;PZT;PVDF;力电耦合;本构关系 AbstractPiezoelectric and ferroelectric materials have been widely applied in defense, electronics, industrial and other fields, which have a significant influence on the development of new high-technology industry. The analysis of

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