巨介电cacu3ti4o12体系的微观结构对介电压敏性能的影响-influence of microstructure of giant dielectric cacu 3 ti 4 o 12 system on dielectric voltage sensitivity.docxVIP

郑州轻工业学院学 位 论 文 原 创 性 声 明本人郑重声明：所呈交的学位论文，是本人在导师的指导下，独立进行研究工作所 取得的成果。除文中已经注明引用的内容外，本论文不含任何其他个人或集体已经发表 或撰写过的作品成果。对本文的研究做出重要贡献的个人和集体，均已在文中做出了明 确的声明并表示了谢意。本人学位论文与资料若有不实，愿意承担一切相关的法律责任。学位论文作者签名：年月日郑州轻工业学院学位论文知识产权声明书本人完全了解学校有关保护知识产权的规定，即：研究生在校攻读学位期间论文工 作的知识产权单位属于郑州轻工业学院。学校有权保留并向国家有关部门或机构送交论 文的复印件和电子版。本人允许论文被查阅和借阅。学校可以将本学位论文的全部或部 分内容编入有关数据库进行检索，可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存和汇编本 学位论文。同时，本人保证，毕业后结合学位论文研究课题再撰写的文章一律注明作者 单位为郑州轻工业学院。保密论文待解密后适用本声明。学位论文作者签名：指导教师签名： 年月日年月日摘要CaCu3Ti4O12（简称 CCTO）是一种典型的巨介电材料，同时又具备电流-电压的非 线性特性，被认为是具有重要应用前景的电容介质候选材料。为了对其电性能进行调制 并加深对其巨介电起因的理解，本论文以 CCTO 基陶瓷材料为研究对象，考察了不同的 掺杂手段和制备条件对其微观结构以及电性能的影响。一、固相反应法制备了 CCTO-xSnO2 (x=0-2 wt%)系列陶瓷样品，以氧化物 SnO2 作 为第二相对 CCTO 进行掺杂改性研究。实验发现在选取掺杂量范围内 SnO2 掺杂对 CCTO 晶体结构影响不明显，但少量掺杂（x=0.3-0.6 wt%）能够促进 CCTO 晶粒长大，并有助 于样品介电常数的升高。另外掺杂引起的晶界处电导性变化也是影响介电性能的重要原 因，低掺杂引起晶界电阻率减小使漏电流增大，介电损耗增加。二、固相反应法制备了 Gd3+/Y3+离子掺杂的 CCTO 基系列样品，系统研究了不等价 离子掺杂对 CCTO 微观结构与性能的影响。研究发现掺杂量 x0.05 范围内两组样品保 持良好的 CCTO 单相结构，离子掺杂引起晶格参数发生变化，对晶粒生长也起到不同程 度抑制作用。正电子湮没寿命谱测试结果表明缺陷的尺寸和浓度受到掺杂量的影响。 Gd3+掺杂样品中，掺杂量 x=0.01 时样品的介电性能和压敏性能同时得到改善；Y3+掺杂 有效改善了 CCTO 陶瓷样品的压敏性能，其中掺杂量 x=0.01 时样品的非线性系数及压 敏电压达到最大值。研究发现 CCTO 基陶瓷晶粒形貌和缺陷特征共同影响着样品内部电 极化形式和晶界势垒高度，进而导致样品表现出有差异的宏观介电性能和压敏性能。三、选取不同的成型压力（11-800 MPa）制备 CCTO 陶瓷样品，研究成型压力对 CCTO 微观结构和电性能的影响。成型压力的改变引起 CCTO 晶格参数和晶体结构中与 Ti-O 键振动有关的电极化强度的微量变化。适量增加成型压力有助于烧结过程中大晶粒 的生长，并有利于样品介电常数的提高。成型压力 P=600-800 MPa 时，CCTO 的介电常 数值较 11MPa 成型的样品提高了一个数量级；P=200 MPa 时，样品的非线性系数和压 敏电压达到最大值，分别为??=5.32 和 Eb =1620 V/cm，表明合适的成型压力有助于提高 材料的晶界势垒高度，从而改善样品压敏特性。关键词CaCu3Ti4O12，巨介电常数，压敏性能，正电子湮没寿命谱IABSTRACTCaCu3Ti4O12 (CCTO), a typical giant dielectric material with nonlinear current-voltage characteristics, is an important potential candidate for capacitor applications. To modify its electrical properties and explore the origin of the giant dielectric response, in this work, the effects of various doping and preparation conditions on the microstructure and electrical performance of CCTO-based ceramics are investigated.CCTO-xSnO2 (x=0-2.0 wt%) ceramics were prepared by a solid state reaction proce