周期性硅纳米线和纳米多孔硅的制备及其光电性能研究-凝聚态物理专业论文.docxVIP

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2018-06-28 发布于上海
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周期性硅纳米线和纳米多孔硅的制备及其光电性能研究-凝聚态物理专业论文.docx

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周期性硅纳米线和纳米多孔硅的制备及其光电性能研究-凝聚态物理专业论文

ShanghaiNormalUniversityMasterofPhilosophyAbstractThesistheme：PreparationandphotoelectricpropertystudyofsiliconnanowiresandsiliconnanoholeswithperiodicalstructureMajor：CondensedMatterPhysicsApplicant：DongZhang删㈥IIIIIIIIIHIIIIIII『Y3064393Advisor：XiaomeiQinAbstractComparedtothetraditionalbulksiliconmaterial，nano—crystallinesiliconmaterialsuchasSinanowires，nano—pyram，nanoholes，hasbecomeahotresearchfieldduetotheiruniquephotoelectricpropertiesInthiswork，two—dimensionalPSspherearraystemplateisusedtographiccrystallinesilicononthewafersurface，andSiNHsandSiNWswerefabricatedviareactiveionetching(RIE)andmetalcatalyticetching，respectively．Theexperimentalconditionsaffectingtheself-assemblyoftwo—dimensionalpolystyrenesphere(PS)arrayswerestudied，andlargearea·orderedPStemplatewithclose—packedstructurewerepreparedonSisurface．Thecontentandresultswereshowedasfollow：(1)Evaporationself-assemblymethodwasusedtofabricatehigll-qualitypolystyrenemicrospherecolloidcrystalandusingethanolasdispersemedium．ThepreparationconditionofHighqualitymonolayercolloidalcrystalstemplatewasstudiedbychangingcharacteristicsofsubstratesurface，particlesize，ratioofethanolForPSdispersantwith2．5wt％concentration，thebestratioofalcoholvolumefor500nm—PSand1000nm-PSwere50％and45％，respectively．Thebestoptimumetchingpowerwas40W．(2)ThereactionprocedurebetweenSiandetchinggasesWasstudiedsystematically，whichSF6isthemainetchantofsiliconwafer,02isbothactasdiluentandprotectingsidewalls．ThemoreRF—powerofRIE，themorethedensityofgasradial，thefastertherateofetching，bmtheworsedirectivityofetching．ThekeyIII万方数据AbstractShanghaiNormalUniversityMasterofPhilosophytosolvingtheclusterproblemofnanowiresistocontrolthedepth—widthratiobelow70，andtheetchingrateundertheoptimalconditionis60nm／s(3)TheantireflectivepropertiesofSiNHsandSiNWswereinvestigatedcarefully,andsizeandperiodicityaffecttrappingeffectdirectly．BothactualmeasureddataandsimulateddatasupportedthattheperiodicityofSiNHsdependedontheminimumvalueofreflectivity．Atthesarnetime，thereflectivi