掺杂对co-ag颗粒膜结构及电磁性能的影响-influence of doping on membrane structure and electromagnetic properties of co - ag particles.docxVIP

摘 摘 要万方数据万方数据摘 要 采用 FJL560B4 型超高真空多靶磁控溅射仪制备 CoxAg100-x、Co40(CxAg60-x) 、 Prx(Co40Ag60)100-x、Dyx(Co40Ag60)100-x 系列颗粒膜样品并在高真空中进行了退火处 理。采用台阶仪、能谱仪测量了样品的厚度及成分，用 X 射线衍射仪和场发射 扫描电镜分析了样品的结构和表面形貌，样品的电磁性能由四探针和震动样品磁 强计测量。研究了掺杂(C，Pr 和 Dy)元素以及退火温度对 CoxAg100-x 颗粒膜结构 和电磁性能的影响，得到了以下结论：X射线衍射分析表明：CoxAg100-x颗粒膜随着退火温度的升高，晶粒聚集长大， Ag聚集长大过程中同时存在择优取向。对于Co40(CxAg60-x)颗粒膜，当C含量较少 时(x1.4)，C原子在Ag晶格中形成间隙原子，促使Ag原胞膨胀导致晶格常数增大， 当C含量较大时(x≥1.4)，碳原子替代了Ag(Co)原子，晶格常数减小。Pr、Dy均具 有促进Ag和Co的相分离的作用，且Pr具有促进Ag晶粒聚集生长过程中择优取向 的作用及Dy元素具有细化Ag晶粒的作用。场发射扫描电镜分析表明：磁性颗粒均匀地分散在 Ag 基体中，颗粒界面明 显，颗粒形状接近球形，颗粒直径集中在 20-40nm 范围内分布；稀土 Dy 不仅可 以细化晶粒同时也减小磁性颗粒尺寸大小与平均值的偏差，且磁性颗粒界面更清 晰。GMR 性能：沉积态 CoxAg100-x 颗粒膜 GMR 峰值出现在 x=34 、 300nm(GMR=-13.3%)，x=40、225nm(GMR=-12.9%)，x=49、d=75nm(GMR=-12.6%)处。Co40(CxAg60-x)颗粒膜 GMR 效应随着 C 成分的增加迅速减小；在低场(300mT) 下颗粒膜 GMR 效应出现“振荡”的现象，C 含量越大，出现“振荡”现象的 Co40(CxAg60-x)颗粒膜厚度就越薄，退火温度为 as-deposited、150℃、250℃的 Co40(C2.1Ag57.9)颗粒膜 GMR 效应在低场下都存在“振荡”现象，到 350℃时“振 荡”现象消失，即低场 GMR“振荡”现象与 C 成分、薄膜厚度、退火温度相关， 低场 GMR“振荡”现象归因于 GMR、OMR、MMR、Co-C 的 MR 这几种正负 磁电阻共同作用的结果。Prx(Co40Ag60)100-x 颗粒膜 GMR 效应随着 Pr 成分的增加先增大然后逐渐降低， 当 x=1.0 时 GMR 达到最大值。GMR 峰值的出现原因是：添加少量的稀土 Pr 一 方面可促进薄膜中晶体的择优取向，减小晶界、缺陷等对电子的散射这使得薄膜 电阻中磁电阻成为主要部分；但另一方面，过量的 Pr 掺杂，又会在薄膜中引起 较多的杂质原子使电子在薄膜的输运过程中杂质原子对电子的散射成为主要的 电阻。少量的 Pr 掺杂(x≤1.0)可以改善颗粒膜 GMR 效应的热稳定性，并可提高 GMR 效应在低场下(B≤100mT)对磁场的灵敏度其峰值出现在 x=1.0 处。对IDyx(Co40Ag60)100-x 颗粒膜，GMR 值随 Dy 成分的增加而单调地减少，其原因可归结于：一方面 Dy 元素具有细化银晶粒，造成薄膜中的晶界增多使晶界对电子的 散射增强，导致磁电阻下降；另一方面，重稀土元素 Dy 的原子磁矩与磁性原子 Co 的磁矩的方向相反，这减弱了磁性颗粒对输运电子的散射作用，此时颗粒膜 导电机制中磁电阻与总电阻之比逐渐减弱，两个因素导致 GMR 值单调下降。与 Pr 掺杂一样，少量的 Dy 可提高薄膜的热稳定性。磁性测量表明：颗粒膜的矫顽力Hc很小，其中CoxAg100-x均小于20Oe。掺杂 (C、Pr、Dy)元素导致退磁因子的不同，退磁因子和退磁场与磁化曲线紧密相关， 从而出现了磁化曲线不同的形状；同时掺杂使磁性晶粒间相互耦合发生变化，尤 其是在磁性与非磁性两相的交界处，存在更多的晶粒结构缺陷，增强了晶粒间畴 壁位移的钉扎，即掺杂均提高了颗粒膜的矫顽力，掺杂C、Pr和Dy元素颗粒膜分 别对应的矫顽力Hc峰值为40Oe、554Oe和256Oe。关键词：颗粒膜、磁性颗粒、GMR 效应、退火温度、磁场灵敏度、矫顽力AbstractIn this paper, the series of CoxAg100-x、Co40 (CxAg60-x)、Prx (Co40Ag60) 100-x and Dyx (Co40Ag60) 100-x granular film samples were prepared by FJL560B4-type ultra-high vacuum multi-target magnetron s