硅锗薄膜材料的rf-pecvd法制备及其在太阳电池中的应用-preparation of silicon germanium thin film material by rf - pecvd and its application in solar cells.docxVIP

a-Si:H—氢化非晶硅。a-SiGe:H —氢化非晶硅锗。 μc-Si:H—氢化微晶硅。μc-SiGe:H—氢化微晶硅锗。 c-Si —单晶硅。符号说明PECVD—等离子体增强化学气相沉积。VHF- PECVD—甚高频等离子体增强化学气相沉积。 RF - PECVD—射频等离子体增强化学气相沉积。 PDS—光热偏转谱。QE—量子效率。J-V —电流密度－电压关系曲线。 I-V —电流、电压关系曲线。TCO 、ITO —透明导电氧化物、掺铟的 SnO2。 η—光电转换效率，%。 Flow—气体流量，sccm。FF—填充因子，%。j0— 暗态饱和电流密度。VOC—开路电压，V。 n —二极管品质因子。Nd —缺陷态密度。ni —本征载流子浓度。 Pressure—沉积气压，Pa。 P— 辉光功率，W。Rd —沉积速率，m/s。 SC—硅烷浓度，%。 GC —锗烷浓度，%。 σd —暗电导率，s/cm。 σp —光电导率，s/cm。 σp /σd—光敏性。TS ，T—衬底温度, 沉积温度，℃。Xc—晶化率，%。RCD—Raman 谱探测深度，nm。vii原创性声明本人郑重声明 :所呈交的学位论文，是本人在导师指导下，进行研究工作所取得 的成果。除文中已经注明引用的内 容外，本学位论文不包含任 何他人或集体已经发表 的作品内容，也不包含本人为获得其他学位而使用过的材料。