硅基全光控太赫兹波幅度调制器的分析-analysis of silicon-based all-optical controlled terahertz wave amplitude modulator.docxVIP

独创性声明本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作 及取得的研究成果。据我所知，除了文中特别加以标注和致谢的地方 外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果，也不包含为 获得电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。与 我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的 说明并表示谢意。作者签名： 日期： 年 月 日论文使用授权本学位论文作者完全了解电子科技大学有关保留、使用学位论文 的规定，有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和磁盘， 允许论文被查阅和借阅。本人授权电子科技大学可以将学位论文的全 部或部分内容编入有关数据库进行检索，可以采用影印、缩印或扫描 等复制手段保存、汇编学位论文。（保密的学位论文在解密后应遵守此规定）作者签名： 导师签名：日期： 年 月 日II摘 要摘 要在太赫兹（THz）技术成为国际研究热点的同时，太赫兹高速通信器件及系统 的研究热潮在国内外科研机构及高校蔓延开来。太赫兹吸收、滤波、开关、调制 等功能器件在太赫兹应用系统中的地位相当于眼睛、耳朵在人体的地位，是不可 或缺的部件。在太赫兹波调控技术方面，有电、光、热等多种方式的调控手段， 但都存在一定的弊端。例如，半导体异质结的二维电子气对 THz 波的调制深度较 小，热致相变特性的二氧化钒材料对温度的依赖特性使得器件的调制速率较慢。 光控半导体硅（Si）调制器虽然具有较大的调制幅度和宽带特性，并且与现有半导 体工艺相兼容，是实现太赫兹调控器件重要方式之一。然而，受制于本征 Si 对光 的弛豫过程，使得光掺杂的 Si 对 THz 波的调制速率最高只能达到 kHz 量级。本文提出一种基于掺金硅的全光学太赫兹波调制器，通过深能级掺杂改善光 作用本征 Si（或高阻 Si）的弛豫现象，实现对 THz 波的高速调控。在研究不同掺 杂温度和时间对 Si 材料的太赫兹波调制特性的影响后，得到最佳处理工艺为 900℃ 下热扩散 60 min。少数载流子寿命测试的结果表明，掺杂的金（Au）原子为 Si 中 的非平衡电子—空穴对提供有效复合中心，使其少数载流子寿命降低了 2 个数量 级。为了进一步提高器件对 THz 波束的幅度利用率，采用金的微米圆点阵列进行 高温扩散掺杂，在不损失 THz 波透射幅度的同时提高了调制器的调制速率。该器 件在 0.34 THz 载波的动态调制测试中达到了 4.3 MHz 的调制速率，其最大调制深 度约 21%。此外，该器件没有频率选择特性，可工作在整个太赫兹频段内，且具 有极化不敏感等特性。其次，将掺金 Si 与超材料相结合，实现具有频率选择特性 的调制器件，在设计的工作频点或带宽内，通过光控实现对 THz 波束的调制。最 后，将掺金 Si 器件与实验室现有的激光集成，构建光控太赫兹高速调制器，并同 过 100 kHz 的调制速率成功将温度信息在 0.34 THz 的信道内调制、传输、解调与 显示。该工作验证了全光控调制器的可靠性，并展示了一种 THz 无线通信系统的 雏形。本论文提出的基于光控掺金硅的太赫兹调制技术，成本低、易实现，与半导 体工艺相兼容。既适用于动态光与 THz 波耦合的场合，也是构建其他高速 Si 基太 赫兹功能器件的重要基础，在太赫兹通信、探测和成像等方面均具有巨大的应用 潜力和价值。关键词：太赫兹波，深能级掺杂，幅度调制器，光调控IIIIABSTRACTABSTRACTAs the terahertz (THz) technology has become a worldwide focus of research, the study of high-speed THz communication devices and systems has prevailed among the domestic and foreign institutions and universities. THz device (absorbers, filters, switches, modulators, etc) is to THz system as sensory organ (eyes, ears, etc) is to human body, which are essential parts. For terahertz modulation, multiple stimuli such as electricity, light, heat can be used, but they all have some flaws. For example, modulation depth is shallow by 2D electron gas(2-DEG) at