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IBAD―YSZ薄膜辅助离子束对生长竞争机制影响 　　摘要：采用离子束沉积方法（IBAD）制备高温超导涂层导体的钇稳定氧化锆（YSZ）缓冲层中已发现了YSZ薄膜中生长过程中会出现（001）和（011） 取向竞争，本文在IBAD-YSZ薄膜的研究中，选取较弱的辅助离子束流和能量，发现随着束流的变化薄膜从（011）的纤维织构向（001）双轴织构的逐步过渡，这说明辅助束离子在薄膜生长过程中作用非常明显；这一现象除了选择性溅射模型和各向异性破坏模型能解释外，表面自由能和辅助离子束产生的沟道效应相互竞争的作用也可解释取向竞争现象。 　　关键词：离子束辅助沉积 YSZ 辅助离子束 择优取向 　　中图分类号： O469 文献标识码：A文章编号：1672-3791（2015）04（a）0000-00 　　1引言 　　于1992年发现IBAD（Ion Beam Assisted Deposition，简称IBAD）[1，2]工艺可以制备双轴织构的钇稳定的氧化锆（YSZ），正是这一事件开辟了高温超导体应用领域的一个全新的材料体系?D?DYBCO涂层导体[3]，由于其广阔的和令人兴奋的应用前景，对IBAD诱导双轴织构氧化物薄膜的生长的研究越来越多。其中，Sonnenberg[4]等研究了沉积过程的各种工艺参数对YSZ薄膜取向的影响，发现IBAD诱导的YSZ双轴取向发生在生长过程中，而不是在成核过程中。我们曾经发现了YSZ薄膜中（011）和（001）两种取向的竞争[5-6]，本文研究了辅助离子束流和能量较弱的情况下， YSZ薄膜取向竞争的情况。辅助离子束流对薄膜生长的影响即可等效为离子/原子到达比对薄膜生长的影响。通过实验发现随着离子/原子到达比和辅助离子能量的增加，薄膜的取向优势从（011）转变为（001），并且面内也出现良好的择优取向。 　　2实 验 　　图1不同束流辅助离子束作用下垂直沉积IBAD YSZ薄膜的示意图 　　实验参数 A组 　　溅射离子束流密度（mA/cm2） 　　溅射离子束能量（eV） 　　衬底倾斜角（?） 　　辅助离子束流密度（mA/cm2） 　　辅助离子束能量（eV） 　　辅助离子束入射角（?） 　　沉积时间（min.） 3.2 　　1000 　　0 　　0-0.15 　　50 　　55 　　60 　　表1 辅助离子束流和能量对YSZ薄膜生长竞争的影响实验参数表 　　实验中，气体充入真空室之前的背景真空度大约1.0 × 10-4 Pa，两束Ar气的流量分别为15 sccm和25 sccm，分别维持溅射离子源和辅助离子源的放电，一个40 sccm流量的O2充入使薄膜充分氧化。在沉积过程中真空室的压强为4.0×10-2 Pa。为了研究辅助离子束流对YSZ薄膜取向竞争产生的影响，我们制备在不同辅助离子束流情况下的YSZ薄膜样品，在研究辅助离子束流对薄膜取向竞争产生的影响时保证辅助离子束能量参数为恒定值。实验参数如表1所示： 　　3 结果和讨论 　　在研究辅助离子束流对正在生长的薄膜取向生长产生的影响时可以等效为离子/原子到达比产生的效果。离子/原子到达比 r 指的是到达衬底的辅助离子和沉积原子的通量比，即表示平均每个沉积原子要受到多少个辅助离子的影响。到达比对IBAD YSZ样品的结构有很大的影响。在我们的离子束辅助沉积实验当中（如图1），只要保持溅射离子束的参数不变，可以认为沉积原子的通量保持不变，在这一前提条件下，通过改变辅助离子束的束流密度Ja 来改变辅助离子束的通量，从而改变到达比，可以认为采用辅助离子束流密度之比等于到达比 r 之比。 　　图2 不同辅助离子束流密度Ja沉积的IBAD-YSZ薄膜的XRD谱图。其中（a）为 θ-2θ扫描，（b）为YSZ（111）φ扫描的结果 　　已知在IBAD条件下，YSZ薄膜存在一个（011）和（001）取向竞争的现象。图2给出了在辅助离子束能量为50 eV下随不同辅助离子束流密度变化的IBAD样品的XRD θ-2θ扫描谱图。从图（a）中我们可以看到在Ja=0mA/cm2，YSZ薄膜呈现（011）择优取向。随着Ja的增加，（002）衍射峰的强度也不断增加但是（022）衍射峰的强度不断的降低。当Ja超过0.15 mA/cm2，（002）衍射峰的强度超过（022）衍射峰的强度，表明这个时候YSZ薄膜呈现（001）的择优取向。这个结果表示随着 r的增加，YSZ薄膜的择优取向的在辅助离子束的作用下从（011）转变为（001）。图（b）为YSZ（111）的XRD Φ扫描。从这个图我们可以看到，随着Ja增加，四个峰出现并且不断的增加。表明随着Ja增加，辅助离子束可以诱使面内织构的出现。 　　辅助离子束对正在生长的薄膜的作用包括选择性溅射模型和