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PCM参数在圆片制造中影响 　　摘要在集成电路圆片的生产制造过程中，产品线通常会采取一些方法来监控生产过程以确保产品的合格率，对这个过程的控制监控简称PCM。监控PCM的参数能及时发现问题，如果对发现的问题及时改进，那么对于提高产品成品率和可靠性是一种比较有效的手段。产品的成品率在理想的情况下决定了一种工艺的缺陷密度，工艺波动造成的某些PCM参数的离散往往是影响成品率的主要因素。所以产品的可靠性和PCM参数的设置，以及PCM参数漂移有着极为密切的关系。 　　关键词圆片；成品率；PCM；参数 　　中图分类号：TN304 文献标识码：A 文章编号：1671-7597（2014）11-0199-01 　　PCM就是通过监控生产过程中的漂移来确保工艺稳定性。它不仅仅用于工艺控制和监视，而且还是工艺和设计之间的联系桥梁。尽管当今的设计主要是依据器件模型参数，但没有PCM参数更直接，更具有可测性。PCM参数是产品良率和可靠性的安全线。因此，合理地设置PCM参数对于产品来说是十分重要。下面仅仅就公司产品生产中出现的PCM问题，提出一些观点进行讨论。 　　1和PCM参数相关的问题 　　PCM参数的问题归纳起来，主要是关键参数设置问题，关键参数上下限的合理设置，极限参数的容限以及个别被遗忘的关键参数。 　　1）关键参数设置。 　　PCM中的关键参数是专指那些要求严格控制上下限设置的参数。如MOS管跨导是否要设为关键参数呢？MOS管跨导Gm是MOS晶体管的重要器件参数，反映栅电压的变化引起漏电流的变化关系，被称为增益因子。和双极晶体管的放大倍数相似。对于长沟道器件，Gm和载流子的迁移率μ，栅氧化层厚度Tox，器件尺寸W/L，阈值电压Vth有如下关系： 　　Gm=μεε0 /Tox * W/L*（Vgs-Vth） 　　由此看来，Gm并不仅仅是一个工艺参数，但却是MOS晶体管的重要器件参数。它对模拟电路中放大器的增益，导通电阻大小，电路工作点偏置等等都有较大影响。由于和Gm相关的一些工艺参数，如栅氧化层厚度Tox、器件尺寸W/L等参数在5个PCM的关键测试点不能得到实际的数据，因此Gm就成了人们必看的非关键参数了。 　　另一方面，如果Gm变化不大，人们也就不那么关心，但在实际情况中这个参数的变化还是很大的。这样大的摆幅，从产品的良率方面考虑也必须要控制了。 　　2）PCM关键参数上下限的合理设置。PCM参数上下限设置主要依据是产品自身的需求和工艺能达到的范围。前者是由设计决定的，后者是工艺跟据参数分布，由3σ区间决定的。它和设备，工艺技术等因素有关。通常往往二者之间有矛盾，这就是平时经常讲的设计和工艺不匹配。设计给出的窗口通常小于工艺窗口。 　　研究了公司里一些产品的PCM参数项，得出以下结论： 　　①轻重不同地存在和PCM参数相关的失效项。引起产品失效的PCM参数比较集中，其中Repisp 4个品种，Rir 2个品种，RsHPL 4个品种，Rnwell 1个品种，VtDP 5个品种。它们在电路功能方面涉及电路功能起动，恒流源偏置以及参考电压的参考源。由此可见，电路出现的功能和性能的失效，多半是因为一些基本的电路不能正常工作造成的。 　　②某些工艺PCM 参数上下限设定不够合理，如VtDP 0-0.6 V。0.1 V以下的区间对电路来说没有什么意义，因为通导电流很低电路难稳定工作。同一片上的VtDP波动有可能使耗尽管变为增??管，造成电路不工作。另外既然电路设计选定VtDP作为参考电压的参考源，工艺上就得严格控制，通常±0.2 V是阈值电压的一般控制范围。因此，0.15-0.55 V是应该做到的。 　　③多晶高阻RsHP和Repisp工艺确实难控制，可适当放宽范围，但宽范围是设计无法适应。因此，有效的方法是：设计应向中心值靠拢，不能1个产品1个范围。 　　3）极限参数的设置余量。差不多每个电路都会规定一些极项参数，比如最高极限电压，端口最高电压，最大功耗等等。所有这些，最终都会落实到PCM的某些参数上。比如公司里某个产品经常出现高压漏电，为了降低失效率，需在20 V下检测功率管漏电。但这又和功率管的击穿电压的高低与软硬有关。PCM规定最小击穿电压是22 V，而且是在1 μA测试。而功率管在80nA下测试。PCM检测的又是小尺寸的器件，大尺寸时击穿电压还要下降。如果再碰上软击穿，情况会更糟。 　　4）被遗漏的关键参数。MOS晶体管的λ参数是一个十分重要的模型参数，对于模拟电路来说此参数更为重要，它直接关系到恒流源内阻大小，放大器增益高低。因此必须要关心到这个参数，但在现有的PCM中不存在，所以需要增加。 　　2如何解决PCM参数存在的问题 　　上面提及的PCM参数的有关问题除了设计窗口和工艺窗口不匹配的问题外，