交流电诱发铜互联体热疲劳失效行为及微观分析.docVIP

交流电诱发铜互联体的热疲劳失效行为及微观分析 　　摘要： 本文报道了铜互联体布线在交流电作用下产生的一种新的热疲劳失效行为，通过透射电子显微镜对热疲劳损伤部位的研究，并与纯机械疲劳载荷作用下的铜薄膜损伤行为进行比较，分析了铜互联体热疲劳损伤失效机理。 　　关键词： 铜互联体； 热疲劳；可靠性；交流电 　　 　　1. 前言 　　 　　随着超大规模集成电路的不断发展，芯片中的金属化布线的尺寸已进入到超深亚微米[1]。在这一尺度上，由于材料的力学性能明显不同于块体材料，从而影响了器件可靠性的设计和评价[2]。虽然金属薄膜的单向变形行为得到了广泛的研究[3]，但其循环热场下引起的失效行为和服役可靠性开展的很少。近年来，人们针对金属薄膜在动态机械载荷作用下的损伤行为和机理开展了一些研究[4]。研究发现，具有微米和亚微米厚度的金属薄膜在疲劳载荷作用下出现明显不同于块体材料的疲劳损伤行为。特别是在200nm厚的金属铜薄膜中发现薄膜中的界面，如晶界和孪晶界等对薄膜的损伤起到至关重要的作用[5]。 　　 在循环热场的作用下，由于基体和金属线间热膨胀系数的差异导致芯片中的金属化布线往往受到热疲劳载荷的作用，随着时间的推移和损伤的累积导致金属化布线形成致命损伤而失效破坏。最近，Moenig等[6]发展了利用交流电在金属互联体布线上产生热循环应变，研究了金属铜互联体的可靠性。本文报道了采用这一方法研究的200nm厚的铜互联体导线的热疲劳失效行为，并将其与纯机械循环加载下的失效行为进行比较，阐述了两种加载条件下的损伤机理。 　　 　　2. 实验方法 　　 　　利用一系列微加工方法（包括电子束曝光、铜薄膜的溅射沉积等）在Si/SiNx/SiO2基底上制备了8 μm宽200 μm长200nm厚的铜互联体导线。样品经400℃真空退火15小时[6]。铜薄膜中的晶粒尺寸约为1.2 μm。铜互联体的交流电加载实验在扫描电子显微镜（SEM）中原位进行。实验条件为：交流电频率为100 Hz，电流密度为10 MA/cm2，交流电在铜互联体中产生的焦耳加热导致的温度循环范围约为?T＝190 ℃ (Tmin=80 ℃, Tmax= 270 ℃)。由于铜互联体与Si基底的热膨胀系数的差异，使得温度循环在铜互联体中产生约0.25%的循环应变。透射电子显微镜（TEM）样品的制备是通过对样品的基底进行化学刻蚀方法获得的。实验观察用JEOL 2000 FX透射电镜在200 keV条件下完成。 　　 　　3. 结果与讨论 　　 　　 200 nm 厚的铜互联体在交流电诱发下产生了热疲劳损伤。图1为样品表面损伤行为的SEM观察。由图1(a)可以看出，样品表面出现明显的表面挤出，发生损伤的晶粒为具有面外取向(100)的晶粒。与纯机械循环加载在铜薄膜中产生的疲劳损伤行为相比[4]，热疲劳产生的挤出具有规则排列和较平滑的特征，好像是表面的“皱褶”。除此之外，疲劳损伤还表现出明显的扩散控制行为。这种扩散诱发的损伤行为可以在具有面外取向(111)晶粒中发现，如图1(b)所示。损伤主要表现为晶界沟槽化、晶粒界和孪晶界附近的薄化等行为。图2给出了200nm厚的铜薄膜在纯机械疲劳加载下的损伤行为的SEM观察，损伤行为表现为沿晶界和孪晶界的开裂（如图2中箭头所示），但没有晶界沟槽化和表面皱褶形成。 　　 　　 　　图1 铜互联体布线经3.7×105 周热疲劳后表面损伤的扫描电镜观察， 　　(a) (100)面外取向晶粒， 　　(b) (111) 面外取向晶粒。 　　 　　图2 铜薄膜经1×104 周纯机械疲劳载荷作用下损伤行为的聚焦离子束(FIB)观察。水平方向为加载方向。 　　 　　图3为图1(b)中损伤晶粒的TEM观察。热扩散引起的晶界和孪晶界附近的薄化区域可以由图3(a)和(b)中的白亮区域看出。在图3(a)中还可以看到一列圆形的直径约60 nm的微孔洞沿孪晶界形成。在没有进行热疲劳实验的原始样品中没有观察到这些微孔洞。仔细观察这些微孔洞可以发现，孔洞往往在位错与孪晶界相交处形成，如图3(b)所示。这些微孔洞的可能形成机制为，位错与孪晶界的交互作用，导致该处具有局部高的应力[7]，同时位错的湮灭以及空位的聚集，将导致微孔洞形成，以释放局部的应力集中。另外，孪晶界附近存在的位错也可能成为扩散通道，促进了空位的扩散。 　　 　　 　　图3 经热疲劳载荷作用后的铜布线中(111)取向晶粒的透射电镜观察。该晶粒为图1（b）中的晶粒。(a)白色区域为沿晶界和孪晶界薄化损伤的区域；箭头所指为沿孪晶界处形成的微孔洞；(b) 位错分析，1、2、3位错为平行于薄膜表面滑移的位错，即“平行滑移位错”，g=-200。 　　 　　通过对图3(b)所示的1、2、3位