Ti-Si-N纳米复合薄膜中界面结构性能及形成的第一性原理研究-机械电子工程专业论文.docxVIP

- - PAGE 1 - 摘 要 本文介绍采用第一性原理方法对 Ti-Si-N 纳米复合薄膜中界面结构形式、性能及形成 的研究。为探究 Ti-Si-N 纳米复合薄膜中界面相的微观结构、性能及形成机理，采用基于 密度泛函理论的第一性原理方法计算了三部分内容。首先计算了单粒子：硼（B）、碳（C）、 锗（Ge）、硅（Si）在过渡金属氮化物中固溶结构形式，并考查了单粒子固溶结构形式的 力学性能。随后计算了硅（Si）粒子在 TiN 晶体中固溶所形成的界面结构形式，并对两 种界面的力学性能进行计算。最后采用 Nudged Elastic Band 算法对 Ti-Si-N 岛在 TiN（001） 表面构型的演变过程和单粒子在 TiN（111）表面迁移行为进行了计算，分析了 Ti-Si-N 纳米复合薄膜中界面形成机理。 通过上述研究得到以下主要成果。 （1）Si 粒子在 TiN、ZrN、HfN 和 TaN 晶体中固溶以及 Ge 粒子在 TiN 晶体中固溶 情况为，单粒子不会进入晶粒，形成过渡金属氮化物固溶体。随着晶粒间距离变化单粒 子可以在晶粒间形成间隙固溶或置换固溶；Si 粒子在 NbN 和 B 粒子在 TiN 晶体中可以 形成间隙固溶；Si 粒子在 VN 和 C 粒子在 TiN 晶体中均为置换固溶。单粒子固溶在过渡 金属氮化物中形成低能量的置换型和间隙型固溶体的弹性常数、体模量和剪切模量均低 于对应过渡金属氮化物的力学性能。 （2）在 TiN 晶粒中 Si 粒子是无法形成间隙型界面；在 TiN 晶粒中如果 Ti 粒子缺陷 形成空位时，Si 粒子可能占据 Ti 粒子形成置换型界面。比较两类界面构型的结合能，构 型为 1Si-4N4Ti 间隙型界面单位体积的结合能（703.355eV/nm3）大于构型为 1Si-6N 置换 型界面的单位体积结合能（690.456eV/nm3）。对于界面的力学性能：置换型界面的体积 模量 B 为 260.487GPa，剪切模量 G 为 193.682GPa；间隙型界面的体积模量 B 为 207.014GPa，剪切模量 G 为 68.757GPa；较 TiN 晶粒均有所下降，但是两类界面同时具 有力学稳定性。 （3）在 TiN（001）表面上最稳定的岛构形是 Si-by-2Ti2N。在 Ti-Si-N 沿（001）表 面生长时，Si 粒子趋于与 TiN 相分离。Ti-Si-N 表面生长时 Si 原子趋向于与 N 原子结合， 向更加稳定的 Si-by-2Ti2N 结构演变的激活能为 1.936eV。Si 粒子较容易占据 Ti 粒子空缺 位，而占据 N 粒子的空位较难，即容易形成 Si 占据 Ti 位置换型界面。单粒子在 TiN（111） 表面吸附与迁移，Si 粒子最稳定位置为 N 表面的 fcc-HL 位即 Si 占据 Ti 位形成构型为 Si-6N 的置换型界面。 总之，Ti-Si-N 纳米复合薄膜中存在由 Si 粒子固溶形成的两种形式的稳定界面结构， 置换型界面和间隙型界面为两种相对稳定的界面结构。在一定条件下优先形成置换型界 面结构，而间隙型界面的形成条件更为苛刻。 关键词：Ti-Si-N 类；界面结构；力学性能；形成机理 Abstract The interface structure, properties and formation of Ti-Si-N nanocomposite films were studied with the first principle method which had introducted in this study. Inorder to investigate the microstructure and properties of interface, the interface structure, properties and formation of Ti-Si-N nanocomposite films (NCF) were studied with the first principle method based on density functional theory (DFT). The solid solution structures and elastic properties of a single atom into transition metal nitrides were calculated by first principle. The structure and the elastic properties of substitution and interstitial interfaces in nanocomposit