不同转移工艺制备的垂直结构Si衬底GaN基LED光衰研究-材料物理与化学专业论文.docxVIP

目录 目录 PAGE PAGE IV the stress distribution of chip is measured By using Raman spectrum, found that the stress of the three times transfers chip distributes non-uniform, and the stress of once transfer chip distributs uniform. Scanning chip by using scanning electron microscope, found the three times transfer chip appear cracks in the eutectic interface. 3 The three times transfer process because of the introduction of the flexible transfer steps, this paper found GaN film tensile stress can be completely released, but it will happen serious bending deformation with the stress release of the film, lead eutectic bonding interface uneven bonding strength decreased, which can cause aging interface reflectivity recession and decay. Keywords ；Si substrate, transfer, decay, EQE. 目录 HYPERLINK \l _bookmark0 第 1 章 绪论 1 HYPERLINK \l _bookmark1 1.1 引言1 HYPERLINK \l _bookmark2 1.2 GaN 材料的性质 1 HYPERLINK \l _bookmark3 GaN 的晶体结构 1 HYPERLINK \l _bookmark4 GaN 的能带结构 3 HYPERLINK \l _bookmark5 GaN 的极性 4 HYPERLINK \l _bookmark6 1.2.4 GaN 的光学特性和电学性能 4 HYPERLINK \l _bookmark7 1.3 GaN 薄膜材料的生长设备和技术 5 HYPERLINK \l _bookmark8 1.3.1 外延薄膜材料的生长 5 HYPERLINK \l _bookmark9 1.3.2 MOCVD 设备及生长技术简介 6 HYPERLINK \l _bookmark10 GaN 基 LED 的出光效率 8 HYPERLINK \l _bookmark11 1.4.1 出光效率的基本概念 8 HYPERLINK \l _bookmark12 1.4.2 改善外量子效率的方法 9 HYPERLINK \l _bookmark13 GaN 基 LED 器件及其应用 10 HYPERLINK \l _bookmark14 GaN 基 LED 的发展历程 10 HYPERLINK \l _bookmark15 GaN 基 LED 应用前景 11 HYPERLINK \l _bookmark16 1.6 本论文的研究内容及行文安排11 HYPERLINK \l _bookmark17 第 2 章 一次转移和三次转移芯片老化实验 13 HYPERLINK \l _bookmark18 2.1 引言13 HYPERLINK \l _bookmark19 2.2 实验13 HYPERLINK \l _bookmark20 2.2.1 样片芯片的制作 13 HYPERLINK \l _bookmark21 2.2.2 VTEL 的测试方法和简介 15 HYPERLINK \l _bookmark22 2.2.3 老化实验及各项性能测试 16 HYPERLINK \l _bookmark23 2.3 总结27 HYPERLINK \l _bookmark24 第 3 章 不同转移工艺芯片性能稳定性分析 28 HYPERLINK \l _bookmark25 3.1 引言28 HYPERLINK \l _bookmark26 3.2 高分辨率 X 射线衍射仪（HRXRD） 28 HYPERLINK \l _bookmark27 3