衬底温度和Al3掺杂浓度对ZnO透明导电膜性能影响.docVIP

衬底温度和Al3掺杂浓度对ZnO透明导电膜性能影响 　　[摘要] 本文利用喷雾热解法制备掺Al的ZnO透明导电膜,研究了不同衬底温度和Al3+的掺杂浓度,对其光学性能和电学性能的影响。得出在目前实验条件下,适宜掺Al的ZnO透明导电膜生长的温度和掺杂浓度。 　　[关键词] ZnO 透明导电膜 喷雾热解法 　　 　　ZnO是一种新型的直接带隙的宽禁带半导体材料,在信息领域有着重要的应用。ZnO薄膜具有生长温度低、激子束缚能高(60 meV)等优点,可用来制作各种发光二极管、短波长激光器、发光显示器件、高速光开关和光探测器等光学器件,已成为国内外研究的新热点。制备ZnO薄膜的方法有许多种,如脉冲激光沉积法(PLD) 、化学气相沉积法(CVD) 、分子束外延(MBE)、磁控溅射法、溶胶―凝胶法(sol-gel )、低温液相生长、薄膜氧化法和喷雾热分解法等[1~3]。而喷雾热解法与其他方法相比,具有设备工艺简单,可在较低温度下大面积沉积薄膜,并可有效控制薄膜成分及其微观结构等优点[4,5]。本实验尝试使用喷雾热解法制备透明导电膜,并对起其光学性能和电学性能进行研究。 　　1试验方法 　　1.1实验准备 　　实验前,凡实验所用的玻璃仪器均需洗净后用去离子水清洗干净,并于烘箱中干燥备用; 　　将衬底先用乙醇去除油污,擦拭干净后放置于丙酮溶液中用超声波清洗5分钟,取出后用去离子水冲洗,然后将衬底用浓硫酸和双氧水混合液,取出后反复用去离子水清洗干净,而后放入去离子水中待用。 　　1.2薄膜的制备过程 　　分别配制出乙酸锌浓度为0.1 mol/L,硝酸铝掺杂浓度分别为1at%、3at%、5at%的溶液加入喷雾发生器的容器中。打开电源,先将喷雾器里面空气排净,大概喷3-5 min左右;将控温台电源打开,将温度分别设定在400℃、450℃和500℃,并将准备好的玻璃片放置在恒温台上,当温控表上显示的温度稳定后,将喷雾发生器的铜管口对准玻璃片的中心部位,开始喷雾,30min后,将喷雾发生器的电源关掉。 　　1.3薄膜性能的测定 　　利用UV2401-PC紫外可见光谱仪测试样品ZnO薄膜的透射光谱,利用四探针法测定薄膜的电学性能。 　　2 结果和讨论 　　2.1薄膜样品光学性能研究 　　在实验中载玻片衬底虽然为非晶结构,然而由于ZnO(002)晶面的表面能密度最低,即使是在非晶衬底上,也能使得ZnO薄膜从一开始就表现出c轴的择优取向,这就是前面所述的纤锌矿结构的ZnO具有良好的c轴取向性的原因,也具有良好的光透过性能。 　　浓度为0.1 mol/L醋酸锌溶液,在不同的硝酸铝掺杂浓度条件下制备的ZnO薄膜的紫外可见光透射光谱,薄膜在可见光区域的透射率都在80%左右,都达到了透明,如图1(a) 和1(b)所示。 　　 　　图1(a)无掺杂和1%硝酸铝掺杂浓度下ZnO薄膜的紫外可见光透射光谱 　　 　　图1(b)3%和5%硝酸铝掺杂浓度下ZnO薄膜的紫外可见光透射光谱 　　无掺杂的ZnO薄膜其禁带宽度为3.2119 eV,如图2所示。通过同样的作图方法可以得到其他条件下制备的ZnO薄膜的禁带宽度:掺杂1%的为3.210 eV;掺杂3%的为3.0665 eV;掺杂5%的为3.0846 eV,如图3所示。可知,在450℃时,掺杂为3%的ZnO薄膜具有最小的禁带宽度,并且由测出的ZnO薄膜禁带宽度从客观上证明了所制得的薄膜为ZnO透明导电薄膜。 　　在本实验中并未达到其他研究者提出的可见光区间90%的透过率,主要原因可能是因为在本实验中,制备ZnO薄膜时,喷嘴与衬底基板的距离过近,小雾滴直接喷至衬底,在衬底上溶剂蒸发、溶质热分解形成薄膜,该过程生成的薄膜缺陷较多,影响了薄膜的透过性能;另一种是小雾滴在到达衬底表面之前溶剂完全蒸发,溶质在衬底表面吸附,再热分解形成薄膜,该两种过程都会影响薄膜的透过率;其次,是由于在沉积制备薄膜的过程中,因为没有设计钟罩,所以会有杂质来落入薄膜中,影响薄膜的透过性。 　　 　　图2无掺杂的ZnO薄膜的(αhv)2-hv关系曲线图 　　 　　图3在450℃下不同掺杂浓度制备的ZnO薄膜的(αhv)2-hv关系曲线图 　　2.2薄膜样品电学性能的研究 　　在ZnO透明导电薄膜中,铝离子是三价阳离子,当其进入ZnO薄膜后可形成施主中心。铝在氧化锌中有两种存在方式:一是取代金属锌离子,多余的一个价电子将很容易激发成自由电子参加导电;二是形成金属填隙原子,在这种情况下,其价电子也会激发为自由电子参加导电[6]。 　　图4为掺Al的ZnO薄膜的电阻随温度和掺杂浓度变化的关系曲线。由图可知,在450℃的条件下,掺杂浓度小于3%时,电阻值随掺杂浓度的增加而下降,载流子浓度随着掺杂原子数量的增