电泳沉积法制备锶铁氧体厚膜-材料科学与工程专业论文.docxVIP

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电泳沉积法制备锶铁氧体厚膜-材料科学与工程专业论文

独创性声明 本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作 及取得的研究成果。据我所知,除了文中特别加以标注和致谢的地方 外,论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果,也不包含为 获得电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。与 我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的 说明并表示谢意。 作者签名: 日期: 年 月 日 论文使用授权 本学位论文作者完全了解电子科技大学有关保留、使用学位论文 的规定,有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和磁盘, 允许论文被查阅和借阅。本人授权电子科技大学可以将学位论文的全 部或部分内容编入有关数据库进行检索,可以采用影印、缩印或扫描 等复制手段保存、汇编学位论文。 (保密的学位论文在解密后应遵守此规定) 作者签名: 导师签名: 日期: 年 月 日 摘 摘 要 I I 摘 要 随着通讯技术的发展,要求微波器件向着薄膜化、小型化、集成化、高频化 的方向发展。M 型锶铁氧体(SrM)为一种六角晶体结构的磁铅石铁氧体,因具有 较大的磁晶各向异性场,高的饱和磁化强度,高的矫顽力和良好的化学稳定性等 特点,被广泛用于垂直磁记录材料、磁性和磁光器件及微波器件。为了使微波器 件具有明显的非互易特性和实际应用价值,要求制备厚度达几十到几百微米性能 良好的铁氧体厚膜,本文采用电泳沉积法制备了 SrM 铁氧体厚膜。 首先,制备了稳定的 SrM 铁氧体悬浮液,理论计算表明在一定的粒径范围内 (r≤20 nm),通过添加表面活性剂十二烷基苯磺酸(DBSA),形成双层表面活性 剂层,可以在极性溶剂(1-丁醇)中制备稳定 M 型锶铁氧体悬浮液。制备的悬浮液的 Zeta 电位为 60 mV,TEM 结果表明 r≤20 nm 的颗粒能稳定的分散在 1-丁醇中,这 与理论计算结果相符。 其次,理论和实验上研究了沉积量及膜厚与电场强度、电泳时间和电极距离 等的关系,研究了沉积时间对孔隙率的影响,研究了厚膜的致密化过程。结果表 明:沉积量和膜厚随着电场强度、沉积时间和电极间距的增加而增加,但当沉积 时间大于 15 min 后,40 V/1.5 cm 和 60 V/1.5 cm 的沉积量和膜厚基本不再增加, 而 80 V/1.5 cm 仍会继续增加,采用分步沉积法可以制备厚度达 40 μm 的厚膜。孔 隙率随着沉积时间的变化而变化,当沉积时间为 2 min 时膜的孔隙率最小,当沉积 时间为 5 min 时孔隙率最大,这时膜表面出现裂纹,随着沉积电场的增加孔隙率 不断降低。当 1-丁醇:二甲苯=50:50 vol%时能获得均匀的表面形貌,将沉积膜放在 1-丁醇中进行致密化处理,膜的孔隙率有所降低,随着时间的增加沉积物孔隙率先 降低在 3 min 降为最低,当时超过 3 min 时又会缓慢的上升,随着致密化过程电场 强度的增加孔隙率也会下降。 最后,研究了退火温度、磁场下取向和助烧剂(Bi2O3)对厚膜微观结构、磁性 能的影响。结果表明:在 1000℃进行烧结处理能得到良好的磁性能,比饱和磁化 强度为 45 A?m2/kg,剩磁比为 0.5,矫顽力为 4840Oe。在 1-丁醇中加磁场和电场对 厚膜进行取向,剩磁比可以提高为 0.6,同时随着取向时间的增加剩磁比也在提高。 Bi2O3 的量为 1 wt%时晶粒达到最大,当 Bi2O3 为 2 wt%时只是更多的晶粒长大,呈 现烧结形态,Bi2O3 为 1 wt%时饱和磁化强度(4πMs)达到最大为 4300 Gs,随着 Bi2O3 量的增加矫顽力成下降趋势。 II II 关键词:电泳沉积,锶铁氧体,厚膜 ,十二烷基苯磺酸 AB ABSTRACT PAGE PAGE VI ABSTRACT The development of communication technology requires microwave devices to become miniaturization, integration and work at high frequency. M-type strontium ferrites (SrM) as a magnetic hexagonal ferrite crystal structure, owing to its high magnetocrystalline anisotropy field, high saturation magnetization, high coercivity as well as good chemical stability, are widely used as perpendicular magnetic recording materials, m

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