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超音波距離感測(Ultrasonic Distance Sensor) 若能量取回波傳回之時間,乘以當時空氣之速度,及等於波之來回行程,來回行程之1/2即為發射點至反射物之距離,此即音波測距之原理。其公式為: D(距離)= △T(時間差)× C(波速) 2 超音波距離感測(Ultrasonic Distance Sensor) 超音波距離感測(Ultrasonic Distance Sensor) 迴轉角度感測器(Rotation Angle Sensor) 電位計(potentiometer)或稱(電壓計),也稱為“pots”或可變電阻器,通常被製造成不管使用多久均能維持原有的特性,若當位置感測器使用,電位計可以是直線或旋轉式位置感測器。電位計輸出一個電壓值,其正比於沿著可變電阻器之滑動器的位置。 近接位置感測器(Proximity Position Sensor) 接觸型近接感測器: 由於接觸型偵測器具有動作簡單、電路簡單等優點,但其屬於接觸型的偵測器,因此它基本上有一些機械上的缺點如下: 使用機械結構之桿,容易因撞擊次數過多而使金屬疲勞,變形斷裂。 微動開關之機構可能損壞,且通電時會產生火花,久之便會接觸不良。 密閉狀況不佳,容易滲入油氣或水份而導致故障。 受桿之長度與形狀限制,安裝設計較麻煩。 有些物件不適合以碰觸方式測定其存在,例如質輕之物品、脆弱的、價昂的,或液狀之物件等。 接觸型近接感測器 limit switch (極限開關) 接觸型近接感測器 reed relay (磁簧繼電器) 非接觸型近接感測器: 霍爾效應近接感測器 當磁場出現時半導體材料產生電壓的現象,主要使用於近接感應器。 非接觸型近接感測器: 電容型近接感測器 非接觸型近接感測器: 電感型近接感測器 光學近接開關 光電感測器(Photo Sensor) 光感測器具有一受光之表面,利用入射光子之能量,激發自由電子,造成光電流,達成『光→電氣』之轉換。 光敏電阻(photo resistance) 利用如硫化鎘(CdS)的材料成 ,當光亮度增加它的阻抗減少 ,它不貴且非常靈敏。右圖為 它的典型介面電路,當光亮度 增強,Rpd值減少,Vout增。 光二極體(photodiode) 光二極體是一個光靈敏的二極體。一個小型窗戶讓光直接照射於PN接面上,它可增加逆電流。下圖為此光二極體的介面電路。注意此光二極體是反向偏壓且逆電流被OP放大器加以轉換放大。 光電晶體(photo transistor ) 電晶體之PN接合面受到外光線照射時,基極電流將隨之增加。基極電流增加後被放大hf倍(電流放大率)成為集極電流。像這樣子將光信號變成電氣信號之電晶體稱為光電晶體。光電晶體因為具有放大作用,所以其受換效率要比光二極趙高很多。光電晶體圖並無基極導線。以光來產生基極電流,於CE接面產生電子電洞對,光亮度越高,電晶體導通越多。 光電池 光電池與其他已討論的感測器不同;因為它由光產生力;光度越高,電壓越大。在PN接合面成半導體與金屬之接合面照射光線時,在接合部將產生電動勢。光電池有光度表及曝光表等用的矽光電池以及被當做電源使用的太陽電池。 溫度感測器(Temperature Sensor ) 溫度是一種抽象的量故而必須藉看多種材料隨溫度變化之特性來定義之。有數種不同的材料可訂定出溫度及相位轉換之關係,溫度範圍包括-183oC到1064oC(-297oF到1938oF)。 適合作溫度測量的各種感應器包含電阻式溫度檢測器(RTD),熱阻器,膨脹溫度計,熱電偶及測高溫計。每一種感應器都有其優點與缺點,通常對特定應用的適當感應器之選擇是根據溫度的範圍,準確度的要求,環境、動態響應的要求與適用的儀器來考慮。 溫度感測器 IC溫度感測器 電晶體或者是二極體之P-N接面,於施加順向偏壓時,將產生一順向壓降VBE或VF,此一電壓之數目,與通過之電流,以及接面之絕對溫度T有關。 據此一特性,可以利用電晶體或半導體之此種VBE變化之測定,來計算溫度之變化。 IC溫度感測器 AD590是一種電流型感測器,會隨溫度高低而改變其本身電流大小。當電源電壓在Vcc=4Volt~30Volt之間時,其電流將隨溫度的大小而線性地變化。由於電源電壓的變動亦會影響AD590電流的輸出,但隨電源電壓的變大,其電壓變動所造成的影響將變小,因此一般建議採用較高電源電壓。AD590對溫度T的端電流關係式為: I(T)=I(0)=1μA/oC*T(oC) =273.2μA=TμA RTD溫度感測器 一般而言,導電物質之電阻與周圍之溫度有一定的關係,溫度變化會影響電阻數值,反過來說測定某一導體的電阻值,就可以推算當時的溫度數值。 白金感溫電阻具有高精
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