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单晶硅太阳电池表面陷光微结构的制备与性能研究-材料加工工程专业论文
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南京航空航天大学硕士学位论文
南京航空航天大学硕士学位论文
单晶硅太阳电池表面陷光微结构制备与性能研究
单晶硅太阳电池表面陷光微结构制备与性能研究
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摘 要
晶体硅太阳电池一直占据光伏市场的主导地位,为了提高晶硅太阳电池的转换效率,在硅 片表面制备各种减反射微结构以增加光吸收一直是人们研究的热点。本文围绕单晶硅表面的光 吸收问题,在硅片表面分别制备了金字塔、多孔、多层多孔、多孔-金字塔和多层多孔-金字塔 等不同的减反射微结构。
在碱溶液各向异性腐蚀单晶硅片制备绒面的过程中,固定反应温度和添加剂体积分数,重 点研究了金字塔倾斜角 α 的大小与反射率间的关系,并分析了反应时间和 NaOH 溶液的浓度对 表面织构的影响。结果表明,当腐蚀时间为 40min,NaOH 质量分数为 2.5%时,在 400-1100 nm 波长范围内,绒面平均反射率仅为 10.54%。通过 Origin 软件对实验数据拟合,得到反射率与倾 斜角度之间的拟合曲线和拟合关系方程式。
通过将硅片浸没在含有 HF/C2H5OH 溶液的反应釜中,并通入逐渐变化的电流,在硅片表面 可以形成折射率渐变的多层多孔硅减反射微结构,表面孔洞直径为 20-30 nm,在 400-1100 nm 波长 范围内的反射率只有 4.5%,利用菲涅尔公式可以很好的解释多层多孔硅极低的减反射性能。将硅片 置于 HF/Fe(NO3)3 的混合溶液中腐蚀,在硅片表面也会得到多孔硅结构,该多孔结构是大的腐 蚀凹坑中分布着许多细小的孔洞,孔洞直径在 0.1-1 μm,在 400-1100 nm 波长范围内平均反射 率为 6%。
通过在 HF/(FeNO3)3 溶液中二次化学腐蚀,在原来的金字塔结构基础上得到多孔-金字塔结 构,这种新结构在 400-1000 nm 波长范围内的平均反射率只有 10%,尤其是在短波方向上反射 率降低的比例很大。通过在 HF/CH3CH2OH 溶液中二次电化学腐蚀,在原来金字塔结构基础上 得到新型的多层多孔-金字塔结构,本文中第一次制备了这种复合结构,多层多孔-金字塔结构 在 200-2000 nm 整个测试波段范围内反射率都非常低,其在 400-800 nm 波段范围内最低平均反 射率仅为 1.9%,在 200-2000 nm 宽波段范围内,平均反射率最低也只有 2.7%,多层多孔-金字 塔复合结构具有优异的减反射性能。
关键词:晶硅太阳电池 减反射 金字塔 多孔硅 多层多孔硅
Abstract
At present, crystalline silicon solar cells are the dominator of PV market. In order to improve the crystal silicon solar cell conversion efficiency, fabricating microstructures for trapping light to increase the light absorption on silicon surface has been the research hotspot nowadays. This thesis focuses on the light absorption of monocrystalline silicon and different light trapping microstructures, such as pyramids, porous silicon, multilayer porous silicon, porous-pyramids and multilayer porous-pyramids, have been fabricated and studied.
During anisotropic etching of monocrystalline silicon, the relationship between the angle α of the pyramid and the reflectivit
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