锆钛酸钡钙薄膜的制备与压电性能研究-电子与通信工程专业论文.docxVIP

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锆钛酸钡钙薄膜的制备与压电性能研究-电子与通信工程专业论文

万方数据 万方数据 Classified Index:TM215 Dissertation for the Master Degree in Engineering Preparation and piezoelectric properties of Zirconate Titanate Barium Calcium Film Candidate: Zhang Tianyuan Supervisor: Chen Yang Academic Degree Applied for: Master of Engineering Specialty: Electronics and Communications Engineering Date of Oral Examination: March,2016 University: Harbin University of Science and Technology 哈尔滨理工大学硕士学位论文原创性声明 本人郑重声明:此处所提交的硕士学位论文《锆钛酸钡钙薄膜的制备与压 电性能研究》,是本人在导师指导下,在哈尔滨理工大学攻读硕士学位期间独立 进行研究工作所取得的成果。据本人所知,论文中除已注明部分外不包含他人 已发表或撰写过的研究成果。对本文研究工作做出贡献的个人和集体,均已在 文中以明确方式注明。本声明的法律结果将完全由本人承担。 作者签名: 日期: 年 月 日 哈尔滨理工大学硕士学位论文使用授权书 《锆钛酸钡钙薄膜的制备与压电性能研究》系本人在哈尔滨理工大学攻读硕 士学位期间在导师指导下完成的硕士学位论文。本论文的研究成果归哈尔滨理 工大学所有,本论文的研究内容不得以其他单位的名义发表。本人完全了解哈 尔滨理工大学关于保存、使用学位论文的规定,同意学校保留并向有关部门提 交论文和电子版本,允许论文被查阅和借阅。本人授权哈尔滨理工大学可以采 用影印、缩印或其他复制手段保存论文,可以公布论文的全部或部分内容。 本学位论文属于 保密 ,在 年解密后适用授权书。 不保密 √ 。 (请在以上相应方框内打√) 作者签名: 日期: 年 月 日 导师签名: 日期: 年 月 日 哈尔滨理工大学工程硕士学位论文 哈尔滨理工大学工程硕士学位论文 锆钛酸钡钙薄膜的制备与压电性能研究 摘 要 随着电子信息、集成电路和微机电系统(MEMS)等领域的迅猛发展, 压电薄膜材料和微型压电传感器的需求量也在日益增加。受环境和社会可持 续发展的制约,传统压电材料(含铅)遭到限制,性能优异的无铅压电薄膜 和 相 关 传 感 器 有 着 广 泛 的 应 用 前 景 。 自 从 xBa0.7Ca0.3TiO3-BaZr0.2Ti0.8O3 (xBCT-BZT)无铅压电材料被发现在准同型相界(MPB)附近具有良好的 压电性能,压电系数 d33 可达 620pC/N,可以媲美铅基压电材料,这引起了 相关科研人员的广泛关注。 0.5BCT-BZT 薄膜材料具有如下优点,能量容易收集、较低的驱动电压 和更好的应用于集成电路的潜力。然而不同于 0.5BCT-BZT 压电陶瓷材料, 0.5BCT-BZT 薄膜材料的压电性能并不十分良好。其主要原因为该体系薄膜 的晶化温度较高、晶化程度低,导致薄膜无织构、质量差。而较高的晶化温 度也大大降低了其应用于电子信息、MEMS 等领域的潜力。 本文选用溶胶-凝胶法制备 0.5BCT-BZT 薄膜,通过引入 LaNiO3(LNO) 种子层优化界面。经 XRD、AFM 以及 SEM 等检测对比分析,发现相对于 BZT-BCT 薄膜,BZT-BCT/LNO 薄膜低温下即可晶化彻底,并且表现出明显 的(100)织构;通过分别对两种薄膜进行电性能测试并综合对比分析,发现 引入种子层优化后的薄膜的质量有明显改善,其压电、铁电及介电性能也均 有大幅度提高。 研究发现,对于 0.5BCT-BZT 薄膜来说,需要在 700°C 高温下才能转化 为完全钙钛矿结构,同时伴随着织构差、漏电流大、电性能弱等缺陷。为解 决上述一系列问题,我们在薄膜界面处引入了 LaNiO3(LNO)种子层。研究发 现,在 0.5BCT-BZT/LNO 晶化过程中,LNO 种子层可以为 0.5BCT-BZT 薄膜 提供形核质点,使 0.5BCT-BZT 薄膜晶化温度大幅降低(550°C),且明显的 提升其压电性能。 关键词 压电传感器;准同型相界;种子层;(100)织构 - I - Preparation and piezoelectric properties of Zirconate Titanate Barium Calcium Film Abstract With the rapid development of elec

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