光电成像系统.doc

光电成像系统 [教学目的] 1、掌握CCD的结构和工作原理、光电成像原理、光电成像光学系统； 2、了解微光像增强器件和纤维光学成像原理。 [教学重点与难点] 重点：CCD的结构和工作原理、光电成像原理、光电成像光学系统的组成。 难点：CCD的结构和工作原理、调制传递函数的分析。 成像转换过程有四个方面的问题需要研究： 能量方面——物体、光学系统和接收器的光度学、辐射度学性质， 解决能否探测到目标的问题 成像特性——能分辨的光信号在空间和时间方面的细致程度，对多 光谱成像还包括它的光谱分辨率 噪声方面——决定接收到的信号不稳定的程度或可靠性 信息传递速率方面 （成像特性、噪声——信息传递问题，决定能被传递的信息量大小） 光电成像器件是光电成像系统的核心。 §1 固体摄像器件 固体摄像器件的功能：把入射到传感器光敏面上按空间分布的光强信息（可见光、红外辐射等），转换为按时序串行输出的电信号—— 视频信号，而视频信号能再现入射的光辐射图像。 固体摄像器件主要有三大类： 电荷耦合器件（Charge Coupled Device，即CCD） 互补金属氧化物半导体图像传感器（即CMOS） 电荷注入器件（Charge Injenction Device，即CID） 一、电荷耦合摄像器件 电荷耦合器件（CCD）特点）——以电荷作为信号 CCD的基本功能——电荷存储和电荷转移 CCD工作过程——信号电荷的产生、存储、传输和检测的过程 电荷耦合器件的基本原理 （1）电荷存储 构成CCD的基本单元是MOS(金属-氧化物-半导体)电容器 电荷耦合器件必须工作在瞬态和深度耗尽状态 （2）电荷转移 以三相表面沟道CCD为例 表面沟道器件，即SCCD（Surface Channel CCD）——转移沟道在界面的CCD器件 体内沟道（或埋沟道CCD） 即 BCCD（Bulk or Buried Channel CCD）——用离子注入方法改变转移沟道的结构，从而使势能极小值脱离界面而进入衬底内部，形成体内的转移沟道，避免了表面态的影响，使得该种器件的转移效率高达99.999％以上，工作频率可高达100MHz，且能做成大规模器件 （3）电荷检测 浮置扩散输出 CCD输出信号的特点是：信号电压是在浮置电平基础上的负电压；每个电荷包的输出占有一定的时间长度T。；在输出信号中叠加有复位期间的高电平脉冲。 对CCD的输出信号进行处理时，较多地采用了取样技术，以去除浮置电平、复位高脉冲及抑制噪声。 电荷耦合摄像器件的工作原理 CCD的电荷存储、转移的概念 + 半导体的光电性质——CCD摄像器件 按结构可分为线阵CCD和面阵CCD 按光谱可分为可见光CCD、红外CCD、X光CCD和紫外CCD 可见光CCD又可分为黑白CCD、彩色CCD和微光CCD （1）线阵CCD 线阵CCD可分为双沟道传输与单沟道传输两种结构 （2）面阵CCD 常见的面阵CCD摄像器件有两种：行间转移结构与帧转移结构。 二、电荷耦合摄像器件的特性参数 1. 转移效率 电荷包从一个栅转移到下一个栅时，有部分的电荷转移过去，余下部分没有被转移，称转移损失率。 一个电荷量为的电荷包，经过n次转移后的输出电荷量应为： 总效率为： 2. 不均匀度 光敏元的不均匀与CCD的不均匀。 本节讨论光敏元的不均匀性，认为CCD是近似均匀的，即每次转移的效率是一样的。 光敏元响应的不均匀是由于工艺过程及材料不均匀引起的，越是大规模的器件，均匀性问题越是突出，这往往是成品率下降的重要原因。 定义光敏元响应的均方根偏差对平均响应的比值为CCD的不均匀度： 式中为第n?个光敏元原始响应的等效电压,为平均原始响应等效电压；N为线列CCD的总位数。 由于转移损失的存在，CCD的输出信号与它所对应的光敏元的原始响应并不相等。根据总损失公式，在测得后，可求出： 式中P是CCD的相数 3. 暗电流 CCD成像器件在既无光注入又无电注入情况下的输出信号称暗信号，即暗电流。 暗电流的根本起因在于耗尽区产生复合中心的热激发。 由于工艺过程不完善及材料不均匀等因素的影响，CCD中暗电流密度的分布是不均匀的。 暗电流的危害有两个方面：限制器件的低频限、引起固定图像噪声 4. 灵敏度（响应度） 它是指在一定光谱范围内，单位曝光量的输出信号电压（电流）。 5. 光谱响应 CCD的光谱响应是指等能量相对光谱响应，最大响应值归一化为100%所对应的波长，称峰值波长，通常将10%（或更低）的响应点所对应的波长称截止波长。有长波端的截止波长与短波端的截止波长，两截止波长之间所包括的波长范围称光谱响应范围。 6. 噪声 CCD的噪声可归纳为三类：散粒噪声、转移噪声和热噪声。 7. 分辨率 分辨率是摄像器件