低热膨胀系数的聚酰亚胺复合薄膜的制备与性能的研究材料科学与工程专业论文.docxVIP

学位论文数据集 中图分类号 TQ323．7 学科分类号 430．55 论文编号 1001020110562 密 级 公开 学位授予单位代码 10010 学位授予单位名称 北京化工大学 作者姓名 吕静 学 号 2008000562 获学位专业名称 材料科学与工程 获学位专业代码 0805 课题来源 国家自然科学基金 研究方向 功能材料 论文题目 低热膨胀系数的聚酰亚胺复合薄膜的制备与性能的研究 关键词 聚酰亚胺，钨酸锆，纳米碳化硅，热膨胀系数，介电性能，热稳定性 论文答辩日期 2011—5—19 ·论文类型 基础研究 学位论文评阅及答辩委员会情况 姓名 职称 工作单位 学科专长 指导教师 党智敏 教授 北京化工大学 电介质功能材料 评阅人1 邓元 教授 北京航空航天大学 评阅人2 孟焱 副教授 北京化工大学 评阅人3 评阅人4 评阅人5 椭员蝴 唐黎明 教授 清华大学 答辩委员1 李效玉 教授 北京化工大学 答辩委员2 魏杰 教授 北京化工大学 答辩委员3 王海侨 教授 北京化工大学 答辩委员4 孟焱 副教授 北京化工大学 答辩委员5 注：一．论文类型：1．基础研究2．应用研究3．开发研究4．其它 二．中图分类号在Ⅸ中国图书资料分类法》查询。 三．学科分类号在中华人民共和国国家标准(GB／T 13745—9)强学科分类与代码》中 查询。 四．论文编号由单位代码和年份及学号的后四位组成． 摘要 低热膨胀系数的聚酰亚胺复合薄膜的制备与性能的研究 摘要 随着集成电路产业的发展，高性能微电子封装技术已形成与集成电路 产业相适应的高新技术产业。对电子封装材料来讲，较低的热膨胀系数和 良好的高频特性(即较低的介电常数和介电损耗)是两个重要的指标。聚 酰亚胺(PI)具有优良的机械、介电、电绝缘、耐高温、耐腐蚀等性能， 综合性能优异，应用于电子塑料封装材料前景良好。 本文首先用直接固相法和分步固相法两种方法合成出了纯度较高的 原料钨酸锆(ZrW208)粉末，粒径在5～10 u m左右，平均热膨胀系数为 ．9．604×10石K-1。然后分别以合成的ZrW208粉末和纳米碳化硅(n．SiC) 作为填料，采用原位聚合法制备出了ZrW208／PI和n-SiC／PI两种复合薄膜， 用扫描电子显微镜(SEM)、热机械分析仪(TMA)、阻抗分析仪和热重 分析(TG)研究了所制备薄膜的表面形貌、热膨胀性能、介电性能及热 稳定性。结果表明： (1)ZrW208粒子均匀的分散在PI基体中，且ZrW208的加入降低了 复合薄膜的热膨胀系数(CTE)，ZrW208含量越高，复合薄膜的CTE越 小；热循环次数对CTE的影响不大，制备出的PI膜具有很好的尺寸稳定 性。ZrW208／PI复合薄膜的介电常数随着填料含量的增加而小幅度增加， 介电损耗随填料含量的增加变化较小，两者始终维持在较低的范围内，且 在相当大的频率范围内保持稳定，对温度的依赖性不大。随着ZrW208含 量的增加，复合薄膜的热稳定性增加，力学性能虽有小幅下降，但仍维持 T 北京化工大学硕士学位论文在较高水平。通过对zrW208改性后的研究表明，改性后的Zrw208在PI 北京化工大学硕士学位论文 在较高水平。通过对zrW208改性后的研究表明，改性后的Zrw208在PI 基体中分散更均匀，得到的ZrW208／PI复合薄膜的CTE更小，介电常数 和介电损耗也相应降低。 (2)n．SiC粒子均匀分散在PI基体中，复合薄膜的CTE随着n．SiC 含量的增加逐渐减小，n．SiC为15嘶％时，CTE降低了11％，且复合薄膜 的热膨胀系数实验值比较接近于以Kemer公式的计算值。复合薄膜的介 电常数和介电损耗随着填料含量的增大而有小幅度增加，但始终维持在较 低的范围内，而且在相当大的频率和温度范围内保持稳定。相对于纯PI， n．SiC／PI复合薄膜的热稳定性也有所提高。 两种PI复合薄膜均具有低热膨胀系数、低介电常数、低介电损耗(温 度、频率稳定性)、较高的热稳定性等性能特点，能够很好的应用于电子 封装材料。 关键词：聚酰亚胺，钨酸锆，纳米碳化硅，热膨胀系数，介电性能，热稳 定性 Il 摘要FABRICATION 摘要 FABRICATION AND PROPERTIES OF POLYIMIDE COMPOSITE FILMS WlTH LOW THERMAL EXPANSIoN ABSTRACT With the deVelopmem of the integrated circuit industry，high-perfo肌ance micr