低维ZnO材料的生长与物性分析.pdfVIP

Abstract        In this thesis, we discuss the formation of hexagonal cross‐section, field  emission of one‐dimensional ZnO materials and p‐type doping of ZnO thin  films. On purpose to investigate the formation of hexagonal cross‐section, we  fabricate large‐area and uniform ZnO 1D materials sucessfully by catalyst‐free  chemical  vapor  deposition(CFCVD).  It  is  found  that  almost  all  the  ZnO  microprisms have hexagonal cross‐section as well as other groups’. In order to  illuminate the interesting phenomena, we build a model for simulating ZnO  growth in a‐b lattice plane. Basing on the lowest energy theory, it is believed  that in every saturation step, the counteratom will inhabit the position where  it can saturate the dangling‐bonds farthest. As a result, the growth in a‐b  plane will terminate with a hexagonal cross‐section.      Randomly‐aligned ZnO hexagonal nanoprisms are fabricated by using  catalyst‐free chemical vapor deposition (CFCVD) in a double‐tube system.  The growth mechanism is attributed to vapor‐solid mechanism. The absence  of metal catalyst nanoparticles on the top of nanoprisms ensures a real field  emission from ZnO nanostructures. It is shown that the emission current  density of 1 mA/cm2 is obtained at 6.6 V/ μm macroscopic electric field. The  field enhancement factor (γ = 3000) is far larger than the theoretical value(γ =  205). By comparing the discrepancy of experimental and estimated value of  field enhancement factor, it is believed the actual emitters are just the salient  instead of the whole tip part of ZnO hexagonal nanoprisms. It implies that the  dominating contributions can be attributed to the pyramidal salients other  than the whole crests of hexagonal nanoprisms. In order to investigate the  influence  of  interface  junction  between  the  roots  of  ZnO  micro‐prisms  (ZOMPs) and the Si substrate on