南京师范大学电气与自动化工程学院电子技术基础（模拟电子技术基础）课件第五章 场效应管放大电路.ppt

* * 5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 5.3 结型场效应管（JFET） 5.2 MOSFET放大电路 Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor 5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 剖面图 1. 结构（N沟道） 符号 漏极 金属 栅极 源极 高掺杂N区 d g s P型硅衬底 N+ N+ SIO2绝缘层 由于栅极是绝缘的，栅极电流几乎为零，输入电阻很高，最高可达1014? 。称绝缘栅型场效应管。 L ：沟道长度 W ：沟道宽度 tox ：绝缘层厚度 通常 W L 2 . 工作原理 当vGS = 0 时，d、s间没有导电沟道，i D =0 漏极 栅极 源极 d g s P型 硅衬底 N+ N+ 当vGS 0 时，P型衬底中的电子受到电场力的吸引到达表层，填补空穴形成负离子的耗尽层； VGG P型硅衬底 N+ N+ d g s - - - - + - vGS 耗尽层 N沟道 当vGS =VT时，在表面形成一个N型层，称反型层，即勾通源区和漏区的N型导电沟道，将D-S连接起来。 vGS愈高，导电沟道愈宽。沟道电阻越小，漏极电流愈大。 P型硅衬底 N+ VGG s – g + N+ d – + VDD 在一定的vDS下漏极电 流iD的大小与栅源电压 vGS有关。所以，场效 应管是一种电压控制电 流的器件。 在一定的漏–源电压vDS下，开始导通的临界栅源电压VT称为开启电压。 N沟道 综上分析可知 沟道中只有一种类型的载流子参与导电， 所以场效应管也称为单极型三极管。 MOSFET是电压控制电流器件，iD受vGS控制。 MOSFET栅极与沟道间是绝缘的，因此iG?0，输入电阻很高。 3. V-I 特性曲线及大信号特性方程 （1）输出特性及大信号特性方程 iD/mA vDS/V o VGS= 1V VGS= 2V VGS= 3V VGS= 4V 输出特性曲线 可变电阻区 截止区 ① 截止区 当vGS＜VT时，导电沟道尚未形成，iD＝0，为截止工作状态。 ② 可变电阻区 当 vGS VT ， vDS （vGS－VT）时 FET是一个受vGS控制的可变电阻 ③ 饱和区（又称恒流区、放大区） 条件：vGS ≥ VT ， 且 vDS≥（vGS－VT） 饱和区 id与vds无关 id只受vgs控制： （2）转移特性 可以从转移特性上，确定参数VT V-I 特性方程： 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 1. 结构和工作原理（N沟道） 二氧化硅绝缘层中掺有大量的正离子 可以在正或负的栅源电压下工作 (2) 耗尽型N沟道MOS管的特性曲线 夹断电压 耗尽型的MOS管vGS= 0时就有导电沟道，加反向电压到一定值时才能夹断。 Vp vGS=0 输出特性曲线 vGS0 iD/mA v DS vGS0 O 16 20 12 4 8 12 16 4 8 IDSS 转移特性曲线 O iD/mA vGS /V -1 -2 -3 4 8 12 16 1 2 UDS=常数 耗尽型 G S D G S D 增强型 N沟道 P沟道 G S D G S D N沟道 P沟道 G、S之间加一定 电压才形成导电沟道 在制造时就具有 原始导电沟道 5.1.5 MOSFET的主要参数 一、直流参数 1. 开启电压VT （增强型参数） 2. 夹断电压VP （耗尽型参数） 3. 饱和漏电流IDSS （耗尽型参数v GS=0 时的id ） 低频互导 考虑到 则 跨导gm是衡量FET放大能力的重要参数，等效于BJT中的β值。 互导的计算公式： 二、交流参数 5.2 MOSFET放大电路 5.2.1 MOSFET放大电路 1. 直流偏置及静态工作点的计算 2. 图解分析 3. 小信号模型分析 5.2.1 MOSFET放大电路 1. 直流偏置及静态工作点的计算 直流通路 共源极放大电路 （1）简单的共源极放大电路（N沟道） 验证是否满足 如果满足，工作在饱和区； 如果不满足，工作在可变电阻区；VDS≈0 （2）如果满足VGS VT ，则计算 （1）计算VGS （3） （4）如果VGS VT ，则工作在截止区 假设工作在饱和区 满足 假设成立，结果即为所求。 解： 例： 设Rg1=60k?，Rg2=40k?，Rd=15k?， 试计算电路的静态漏极电流IDQ和漏源电压VDSQ 。 VDD=5V， VT=1V， （2）带源极电阻的NMOS共源极放大电路 饱和区 需要