射频磁控反应溅射低温制备高C轴择优取向的氮化铝薄膜-材料学专业论文.docx

万方数据 万方数据 Classified Index: TB43 U.D.C: 620 Dissertation for the Doctoral Degree in Engineering LOW TEMPERATURE PREPARATION OF AlN FILMS WITH HIGH C-AXIS ORIENTED BY RF MAGNETRON REACTIVE SPUTTERING Candidate: Xuping Kuang Supervisor: Prof. Jiecai Han Academic Degree Applied for: Doctor of Engineering Specialty: Materials Science Affiliation: Shenzhen Graduate School Date of Defence: March,2014 Degree-Conferring-Institution: Harbin Institute of Technology 摘 要 摘 要 纤锌矿结构氮化铝（AlN）薄膜作为一种重要的Ⅲ族氮化物半导体材料， 具有许多优异的物理化学性能，使得 AlN 薄膜成为碳化硅基和蓝宝石基光电 和声电器件领域的理想材料，广泛应用在声表面波器件、体声波器件、场发射 显示和发光二极管领域。AlN 薄膜的应用一般要求其具有高 C 轴取向或外延 单晶结构。然而，高 C 轴取向和外延单晶 AlN 薄膜需要采用金属有机物气相 沉积、分子束外延、氢化物气相外延等方法在高温下制备，其缺点是沉积温度 高、毒性气体的排放、制膜设备昂贵，尤其是高温沉积还会给衬底和薄膜带来 热损伤，这严重限制了 AlN 薄膜在微电子学领域的广泛应用。射频磁控反应 溅射是沉积薄膜材料的一种重要方法，和其它制备技术相比，该技术具有简 单、低温、价廉的优点。因此，研究磁控溅射低温制备高 C 轴取向 AlN 薄膜 具有非常重要的意义。本文首次采用射频磁控反应溅射法在 6H-SiC 单晶衬底 上成功制备了高度 C 轴取向及外延 AlN 薄膜，研究了工艺参数对 AlN 薄膜的 形貌、组成、晶体结构以及光学性能的影响规律；采用更加廉价但晶格失配度 较大的蓝宝石代替 6H-SiC，同样实现了高度 C 轴取向的 AlN 薄膜生长，此 外，探索了 6H-SiC 和蓝宝石衬底上 AlN 薄膜在 300℃ 低温和室温条件下的 生长。 采用射频磁控反应溅射技术在 6H-SiC 和蓝宝石基体上制备了高 C 轴取向 的 AlN 薄膜，采用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、X 射线光电 子能谱(XPS)和二维 X 射线衍射(2D-XRD)等多种表征手段，研究了反应气压、 氮气浓度、射频功率等工艺参数对 6H-SiC 基体上的 AlN 薄膜的表面形貌、化 学组成以及晶体结构的影响规律，获得了在 6H-SiC 单晶上生长高 C 轴取向 AlN 薄膜的最佳生长条件。 发现所制备的 AlN 薄膜 Al/N 原子比可达 1.09:1，薄膜中 Al、N 元素含量 可达 96%。薄膜晶粒尺寸随反应气压和氮气浓度的增加而减小，射频功率在 250W 表现出最优值，衬底温度增加到 500℃后趋于稳定。表面粗糙度随反应 气压、氮气浓度和射频功率的增加而降低。随氮气浓度和射频功率的增加，薄 膜中 Al 原子浓度下降而 N 原子浓度升高， Al/N 原子比减小。较低的反应气 压有利于 AlN 薄膜的 C 轴取向生长，增加反应气压，薄膜的 C 轴取向生长变 弱，当气压增加到 1.0Pa 时，生长的 AlN 薄膜呈非晶状态；随着氮气浓度由 20%增加到 60%，AlN 薄膜由 AlN（10-10）择优取向生长逐渐过渡到高 C 轴 择优取向；射频功率增加到 250W 时，AlN 薄膜的 C 轴取向达到最高，但射频 - I - 哈尔滨工业大学工学博士学位论文 功率太大，会诱导其它晶面的生长。 采用射频磁控反应溅射技术，以更加廉价的蓝宝石取代昂贵的 6H-SiC 单 晶作为薄膜生长基体，制备了高度 C 轴取向的 AlN 薄膜，克服了蓝宝石单晶 衬底与 AlN 薄膜之间存在的较大晶格失配和热失配所引起的生长问题，并研 究了生长温度对其形貌和结构的作用。发现在蓝宝石上生长高度 C 轴取向的 AlN 薄膜的温度窗口较窄，较高或较低的衬底温度都不利于高 C 轴取向的生 长；另外，薄膜的表面粗糙度随衬底温度的升高而升高，较高的衬底温度可以 降低薄膜中的 O 原子含量。 首次探索了射频磁控反应溅射法在低温和室温条件下高 C 轴取向 AlN 薄 膜的生长。在 6H-SiC 衬底上室温条件下制备了高 C 轴取向的 AlN 薄膜，并在 衬底温度为 300℃时成功获