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不同减划技术对硅片良率影响的分析研 究 林杰纪莲和王文赫 北京智芯微电子科技有限公司 摘要： 目前随着集成电路技术的不断发展，工业应用等级的不断提高，其芯片硅片朝 着高密度、高性能、轻薄化的方向不断发展，CPU芯片甚至已到10纳米以下，集 成度非常高。为了满足小型密集化产品的市场需求，1C封装的技术需求，对硅 片减薄的地位和要求也越来越高，减划的质量直接影响到芯片晶粒的好坏。木文 从不同减划工艺方式，技术参数和特点等，对硅片的减划后的良率影响进行分 析讨论。 关键词： 硅片;背面减薄;划片;良率; 作者简介：林杰，男，学士，多年从事半导体封装工艺工作，熟悉IC封装的全 套工艺流程，研究IC前端的工艺实现。 基金：国网信通产业集团综合计划项FI《多频段射频识别产品开发》（项FI编 号:52680016005T） 0引言 随着我国经济的不断发展，无论是在民用还是工业级应用、军工应用，对集成电 路产品的需求量也逐口增加。且随着产品的小型化和密级化的趋势影响，对集成 电路的技术的改进创新和产品的高可靠的性能要求也日益紧迫。当前，以集成电 路为核心的电子信息产业超过了以汽车、石油、钢铁为代表的传统工业成为第一 大产业，成为改造和拉动传统产业迈向数字时代的强大引擎和雄厚基石。 而硅片作为集成电路最为核心的部分，其芯片减划的尺寸直接决定着产品的短 小轻薄的发展方向，尤其对于一些MPW芯片和测试片等，其芯片密级度高且划 片槽内的测试引线较多并排布不均匀，如电路层数较多的芯片，其VDH等线在 切割道内很容易造成切割不彻底或者直接与其它线路产生短路等问题。同时当芯 片尺寸偏大及厚度偏小时，减薄划片也很易造成芯片的崩边和碎裂等问题，直 接影响划片后的良率。 本文从刀片和激光方式的切割方式对硅片的减划进行分析讨论，其中刀片切割 为晶圆最为主流的切割方式，其适用性强，且具备成木优势;激光切割针对 ICV-K材料晶圆和超薄晶圆，其切割完成后切边齐平整齐，无任何损坏，不存 在应力的影响，但整体的加工成本较高。 1硅片的背面减薄 晶圆在从硅晶棒切割成型时厚度达到700imT800inn,需要进行减划后才能进行 使用，一般需要减划至100um^200um的范围内，如产品需要极致小型化或SIP 及叠封等需求，其至需要减薄至50um或以下。简单来说，晶圆的背面减薄主要 为粗磨，细磨和抛光三大流程。 硅片的背面减薄后，可以降低芯片的热阻，提高芯片的热扩散率，而热扩 散已成为现有集成度高，结构复杂产品的一个主要问题，直接影响到芯片的性 能和寿命。 可以提高欧姆的接触，降低导通电阻，为了实现牢靠稳固的连接，结合面 间不允许有气缝，否则一方面影响接触电阻，另一方面，在以后应用屮会因气 体的热膨胀而开裂。表面粗糙度对这些性能也产生不同程度的影响。 减划后可以减小芯片封装体积，微电子产品日益向轻薄短小的方向发展， 减小芯片厚度是适应这一发展趋势的必由之路。 单颗芯片后提高机械性能。减薄后的芯片机械性能得到显著提高，硅片越薄, 其柔韧性越好，受外力冲击引起的应力也越小。 能够提高电气性能。对叠层封装来说，晶片的厚度越薄，芯片与芯片之间的 连线将越短，元件导通电阻将随之降低，信号延迟时间也将减小，从而实现更 咼的性能。 一般，硅片的背面减薄可以有背面减薄+CMP,背面磨削+湿式化学腐蚀，背面磨 削+ADPE,背面磨削+干式抛光四种工艺方案。对于在硅片的减薄过程中，人、机、 物、法、环五大因素均直接影响到硅片的减薄质量，如图1鱼骨图，直观的可以 看出影响硅片减薄质量的各种因素，一般来说，调整减薄参数主要通过磨轮的 转速和磨片膜的材质质量来提升。 建片豪面滴nW4r——AH图i减薄质量他骨图下载原图 建片豪面滴 nW 4r—— AH 图i减薄质量他骨图 下载原图 2硅片的刀片切割 晶圆在减薄完成应用到微电子的产品前，需要对硅片进行切割操作，将整片的 硅片分切成单颗的晶粒，完成引线的断连，形成独立的chip后，才能继续进行 下一步的封装工作。故硅片的切割是所有半导体封装领域最为关键的环节，通常 是在硅片表面沿着切割道划出沟槽，然后再进行裂片或扩片处理，整片硅片分 切成成千上万颗芯片，硅材质是极为脆性的，易碎裂在接触式表面处理过程中 很容易造成边缘的破裂和损伤，甚至在芯片的内部造成隐形的裂纹，导致芯片 自身的电特性存在隐患，其质量直接影响到后期封装的性能。 在刀片切割工艺，最常规的是采用金刚石划片，经过多年的市场应用和行业技 术摸索，金刚石材料其硬度大，耐磨寿命高，且在切割过程中，对硅片边缘的 崩边及Peel ing控制好，不会对芯片的电路层造成损伤，同时采用双刀Step工 艺，能够很好的将芯片的划片质量控制在标准的工艺范围内。同时金刚砂砾的直 径可以自主进行选择，满足不同的硅片表而材