CMOSSRAM单粒子翻转效应的解析分析.PDFVIP

CMOS SRAM 单粒子翻转效应的解析分析 1,2 2 1 1 贺朝会 李国政 罗晋生 刘恩科 1 西安交通大学 西安市咸宁西路 28 号 710049 2 西北核技术研究所 西安 69 信箱 13 分箱 710024 hechaohui@ 中文摘要：解析分析了影响 CMOS SRAM 单粒子翻转效应的时间因素，指出不能仅根据临 界电荷来判断发生单粒子翻转效应与否，必须考虑器件的恢复时间、反馈时间和电荷收集过 程。给出了恢复时间和反馈时间的计算方法，提出了器件抗单粒子翻转的加固措施。对电荷 收集过程中截止管漏极电位的变化进行了分析，提出了临界电荷新定义，并给出了判断带电 粒子入射能否导致器件发生单粒子翻转效应的方法。 关键词：CMOS SRAM 单粒子翻转 临界电荷 恢复时间 反馈时间 1 引言 随着半导体技术的飞速发展，用于航天器上的半导体器件的集成度不断提高，器件的 特征尺寸越来越小，临界电荷越来越小，单粒子效应越来越严重，成为影响航天器可靠性 和寿命的主要因素。单粒子翻转效应是指单个高能带电粒子射入半导体器件灵敏区，使器 件逻辑状态翻转为相反状态，从而存储的信息出错，导致系统功能紊乱，严重的可以导致 灾难性事故。通常判断发生单粒子翻转效应的依据是临界电荷。临界电荷定义为灵敏电极 收集到的，可以导致器件逻辑状态翻转的最小电荷[1]。当灵敏电极收集到的的电荷大于临 界电荷时，认为器件发生单粒子翻转效应。然而对于静态随机存取存储器 （SRAM），模拟 计算和实验测试表明，有时灵敏电极收集的电荷多，并未导致逻辑状态翻转，收集的电荷 少却引起翻转[2]。这与SRAM单粒子翻转过程中的时间因素有关。下面从CMOS SRAM单粒子 翻转机理和电荷收集过程两方面予以解析分析，并讨论临界电荷的定义问题。 2 CMOS SRAM 单粒子翻转机理 CMOS SRAM存储单元如图 1 所示，它由两个反相器构成双稳态电路。存储状态决定于 - T 、T 、T 、T 管。当T 、T 管导通，T 、T 管截止时，Q＝0，Q ＝1，表示该单元存“0”； 1 2 3 4 1 4 2 3 - 当T 、T 管截止，T 、T 管导通时，Q＝1，Q ＝0，表示该单元存 “1”。 T 、T 是写入读出 1 4 2 3 5 6 控制管，由字线W控制。 高能带电粒子射入半导体器件,通过与半导体材料相互作用，很快地损失掉能量。带电 粒子所损失的能量，使电子从价带跳到导带上去。于是，在导带中有了电子，在价带中留 下空穴，形成电子空穴对，引入非平衡载流子。无电场时，非平衡载流子将发生扩散、复 合，最后消失。有电场时，非平衡载流子──电子空穴对将分离被电极收集，形成瞬态电 - 1 - 流。瞬态电流会使节点电势变化，引起器件逻辑状态翻转。对于 CMOS SRAM，截止管漏区反 偏 PN 结空间电荷区构成器件单粒子翻转灵敏区，其电场足以使电子空穴对分离，并被电极 收集。 图 1 CMOS SRAM 存储单元 - 假设某一存储单元的状态为 “1”，即Q＝1，Q ＝0，T 、T 管截止，T 、T 管导通。那