第5章场效应管放大电路教材课程.pptVIP

金属—氧化物—半导体（MOS）场效应管;场效应管的分类;5.1 金属—氧化物—半导体（MOS）场效应管;剖面图;2、工作原理;●当 时;（2） 对沟道的控制作用; 当 增加到使 时， 在紧靠漏极处出现预夹断。;（3） 和 同时作用;以上分析可知;3、V—I特性曲线及大信号特性方程;②可变电阻区;③饱和区(恒流区又称为放大区);（2）转移特性;5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET;●当 时，沟道变宽;2、V—I特性曲线及大信号特性方程;5.1.3 P沟道MOSFET;5.1.4 沟道长度调制效应;5.1.5 MOSFET的主要参数;2.低频互导;三、极限参数;组成原则：;5.2.1 MOSFET放大电路;FET放大电路的三种组态：;(1)简单的共源极放大电路（N沟道）;(1)简单的共源极放大电路（N沟道）;共源极放大电路直流通路;例：;(2)带源极电阻的NMOS共源极放大电路;(3)电流源偏置的NMOS共源极放大电路;2. 图解分析（交流分析);3. 小信号模型分析;3. 小信号模型分析;很大，可忽略;场效应管放大电路小结：;例：设;（2）动态分析;第一步 ：计算第二级的输入电阻;饱和区;假设工作在饱和区有：;5.5 各种放大器件电路性能比较;输入电阻：;放大电路如图所示，已知;画中频小信号等效电路;根据电路有：