自动化专业英语》-作者：王军-孙舒-重庆大学出版社-教材部分课文翻译.pdfVIP

Unit 1 现在工业电子系统使用的是被称为晶体管的装置。每一类型的 晶体管有区别于其他晶体管的不同特点和操作条件。在讨论的第一部分， 我们来关注双极性晶体管。从结构上看，这个晶体管被描述为双极性的，是 因为它有两个不同的电流载体极性。空穴是阳极 电流载体，而 电子是阴极 电流载体。这两个不同性质的半导体晶体通过一个公共部分连接在一起。 这个装置的结构类似于两个二极管背靠背连接，其中一个晶体充当另外 两个晶体的公共部分。中间的材料通常被做得比外面的两片都要薄。图 1.1 表示的是此晶体管的结构，原件名称，和不同双极性晶体管的语义符号。 一个双极性晶体管主要被用做放大器来限制流经它的电流。 电流从 电源流入发射极，经过基极，再流出集 电极。集 电极的 电流量通常被定义 为晶体管的输出量。集电极 电流由基极 电流中的一小部分控制。这个关系 被描述为电流增量或β。数学表达式如下： 电流增量=集电极 电流÷基极 电流 公式中希腊字母Δ表示变化的值。它用来表示当有交流输入时晶体管 的响应。这种类型的状态被称为动态特性。公式中的Δ 的省略部分表示直 流或静态工作条件。 所有从发射极进入晶体管的电流被定义为发射极 电流。集 电极 电流 Ic 通常小于 Ie。Ie 和 Ic 的不同归因于基极电流。从数学角度看，Ib=Ie －Ic 例 1-1 ；确定一个双极性晶体管的Ie 为 11mA,Ic 为 10.95mA; 解；。。。（省略） 图1.2 表示的是一个简单NPN 型硅晶体管的电路连接图。这个电路是 以正向偏置的发射极和反向偏置的集 电极为基础的。我们把直流 电源的 负极连接到发射极，把正极通过 Rb 连接到基极来达到发射极的正向偏置。 我们把电源正极通过电阻Rl 连接到集电极，形成集 电极的反向偏置。我们 通过发射极的正向 电压来控制流经 Rl 的集电极 电流。 在一个简单的 PN 结中，正向偏置导致其导通，反向偏置导致其不导 通。在晶体管中，这种规律不能直接应用因为两个结都包含在里面。例如， 当发射极正向偏置时，会导致大量的 Ie 流入基极。集 电极的反向偏置通常 会限制这个电流。但是由于薄的基极结构，当 Ie 到达基极区时它会立刻流 入集 电极。最终，此电流流经集 电极以集 电极 电流的形式出现。发射极的 正向偏置因此会改变或者减少在正常晶体管操作中基极-集 电极的反向偏 置效果。 一个晶体管主要被定义为电流控制装置。这意味着只有当发射极正 向偏置并且产生基极电流时才会有输出或者集电极 电流 Ic。当基极电流停 止时，集电极 电流停止并且晶体管变为不导通。这个情况又被称作是截断， 如果基极出现超量 电流时，晶体管被驱 致饱和。当这个情况发生时，Ib 的增加不会导致 Ic 相应的变化。当完成放大操作时，晶体管几乎是工作在 饱和区。 图 1.3 的晶体管放大器电路是一个先前 NPN 电路的 PNP 对立图。此 电路中的 电源的反向连接是为了达到合适的偏置。其性能基本上和 NPN 电路一致。Ic,Ib,Ie 由图中箭头标出。此电路的发射极 电流依然是最大的 电 流值。在此电路中 Ic 和 Ib 之和依然等于 Ie。 Unit 2 1 一个运算放大器的内部结构相当复杂，常常包含大量的分立元件。 一个运算放大器的使用者通常不需要关心它的内部结构。然而，对于如何 理解内部 电子线路的完成却是有所帮助的。这就允许使用者来观察设备 是如何工作的，以及表明它作为一个功能单元的一些局限性。 2 一个运算放大器的内部电子线路可以被分为三个功能单元。图 1.7 即是一个运算放大器内部功能的简图。注意每一个功能都被附在一个三 角形内。电子图表中用三角形来表示放大功能。这个简图显示了运算放大 器有三个基本的放大功能。这些功能一般叫作放大级。一个放大级包含一 或更多有源器件，所有相联元件需实现放大。 3 第一阶段或一个运算放大器的输入常常是一个差 放大器。这个 放大器有两个输入，标记为 V1 和 V2 。它提供供应两个输入信号的差模信 号高增益，同时提供应用于两个输入的共模信号低增益。对于任何的输入 信号，输入阻抗是很大的。放大器的输出一般是两个等幅反向的信号。这 可以描述为推挽式的输入和输出。 4 放大器一个或多个中间阶段都跟随着差