(完整版)如何分析能带图及第一性原理的计算.docVIP

分析能带图 能带结构是目前采用第一性原理（从头 abinitio ）计算所得到的常用信息，可用来结合解释金属、半导体和绝缘体的区别。能带可分为价带、禁带和导带三部分，倒带和价带之间的空隙称为能隙，基本概念如图所示： 如何能隙很小或为 0 ，则固体为金属材料，在室温下电子很容易获得能量而跳跃至 传倒带而导电；而绝缘材料则因为能隙很大（通常大于 9 电子伏特），电子很难跳 跃至传导带，所以无法导电。一般半导体材料的能隙约为 1 至 3 电子伏特，介于导 体和绝缘体之间。因此只要给予适当条件的能量激发，或是改变其能隙之间距，此 材料距能导电。 能带用来定性地阐明了晶体中电子运动的普遍特点。价带（ valence band），或称 价电带，通常指绝对零度时，固体材料里电子的最高能量。在导带（ conduction band）中，电子的能量范围高于价带，而所有在传导带中的电子均可经由外在的电 场加速而形成电流。对与半导体以及绝缘体而言，价带的上方有一个能隙（ band gap），能隙上方的能带则是传导带，电子进入传导带后才能在固体材料内自由移 动，形成电流。对金属而言，则没有能隙介于价带与传导带之间，因此价带是特指半导体与绝缘体的状况。 费米能级（ fermi level ）是绝对零度下的最高能级。根据泡利不相容原理，一个量子态不能容纳两个或两个以上的费米子（电子），所以在绝度零度下，电子将从低 到高依次填充各能级，除最高能级外均被填满，形成电子态的 “费米海 ”。“费米海 ” 中每个电子的平均能量为（绝对零度下）为费米能级的 3/5。海平面即是费米能级。一般来说，费米能级对应态密度为 0 的地方，但对于绝缘体而言，费米能级就位于价带顶。成为优良电子导体的先决条件是费米能级与一个或更多的能带相交。 能量色散（ dispersion of energy）。同一个能带内之所以会有不同能量的量子态， 原因是能带的电子具有不同波向量（ wave vector），或是 k-向量。在量子力学中，k-向量即为粒子的动量，不同的材料会有不同的能量 -动量关系（ E-K relationship）。能量色散决定了半导体材料的能隙是直接能隙还是间接能隙。如导带最低点与价带 最高点的 K 值相同，则为直接能隙，否则为间接能隙。 能带的宽度。能带的宽度或三度，即能带最高和最低能级之间的能量差，是一个非常重要的特征，它是由相互作用的轨道之间的重叠来决定的，因而反应出轨道之间的重叠情况，相邻的轨道之间重叠越大，带宽就越大。 用第一原理计算软件开展的工作，分析结果主要是从以下三个方面进行定性 / 定量的讨论： 1、电荷密度图（ charge density）； 2、能带结构（ Energy Band Structure）； 3、态密度（ Density of States，简称 DOS）。 电荷密度图是以图的形式出现在文章中，非常直观，因此对于一般的入门级研究人员来讲不会有任何的疑问。唯一需要注意的就是这种分析的种种衍生形式，比如差分电荷密图 （def-ormation charge density ）和二次差分图 difference charge density ）等等，加自旋极化的工作还可能有自旋极化电荷密度图（ spin-polarized charge density ）。所谓 差分 是指原子组成体系（团簇）之后电荷的重新分布， 二次 是指同一个体系化学成分或者几何构型 改变之后电荷的重新分布，因此通过这种差分图可以很直观地看出体系中个原子的成键情 况。通过电荷聚集（ accumulation ） /损失（ depletion ）的具体空间分布，看成键的极性强 弱；通过某格点附近的电荷分布形状判断成键的轨道（这个主要是对 d 轨道的分析，对于 s 或者 p 轨道的形状分析我还没有见过）。分析总电荷密度图的方法类似，不过相对而言，这种图所携带的信息量较小。 能带结构分析现在在各个领域的第一原理计算工作中用得非常普遍了。但是因为能带这个概念本身的抽象性，对于能带的分析是让初学者最感头痛的地方。关于能带理论本身，我在这篇文章中不想涉及，这里只考虑已得到的能带，如何能从里面看出有用的信息。首先当然可以看出这个体系是金属、半导体还是绝缘体。判断的标准是看费米能级和导带（也即在高对称点附近近似成开口向上的抛物线形状的能带）是否相交，若相交，则为金属，否则为半导体或者绝缘体。对于本征半导体，还可以看出是直接能隙还是间接能隙：如果 导带的最低点和价带的最高点在同一个 k 点处，则为直接能隙，否则为间接能隙。在具体工作中，情况要复杂得多，而且各种领域中感兴趣的方面彼此相差很大，分析不可能像上述分析一样直观和普适。不过仍然可以总结出一些经验性的规律来。主要有以下几点：