第八章 缺陷与运动.pdf

第八章 晶体中的缺陷与运动 §8.1 引言 在前面几章的讨论中，我们一直假定晶体是理想的，即离子实 或原子或原子团的排列具有严格的周期性，因此，晶体具有平 移不变性，或称为长程有序，但实际上，缺陷总是存在的。 首先，晶体在尺寸上是有限的，因而具有边界或表面 例如：晶体具有N个原胞，表面原子数与体原子数之比约为 1/3 23 1/N ，当N≈10 时，这是一个非常小的数目，正因为如此， 当我们讨论晶体的体效应时，常常忽略掉表面原子的影响。 其次，晶格振动导致原子瞬时位置对平衡位置的偏离 但从时间的平均上看并不破坏晶体的长程有序，对晶格振动和 格波的讨论正是以此为基础的，在讨论对电子的作用时，则是 将理想晶体中电子的本征态，即布洛赫态作为零级近似，把晶 格振动看成小的微扰，导致电子在不同布洛赫态间的跃迁。 本章仍在理想晶体的基础上来讨论静态缺陷的形式和影响 缺陷定义： （仅限本章内容） 表征对晶体理想的周期结构的任何形式的偏离 零维点缺陷 按维度分为 一维线缺陷 二维面缺陷 更一般意义上，缺陷普遍存在于任何有序介质之中，有序 并非只是原子的规则排列，也可以是磁性材料中自旋的有 序排列或其它的有序形式，有序程度通常用一个有序参量 在空间的变化来描述。缺陷对应于序参量函数的奇异，它 破坏了序参量空间变化的均匀性。 拓扑学的应用使人们对不同体系中的缺陷有了统一的描述，如 晶体中的位错、超流氦中的涡旋线、超导体中的磁通线等。 拓扑是一个数学名词，是指在连续变化下保持不变的那些几何 性质，而拓扑缺陷则是指不能通过序参量的任何连续变化而消 失的缺陷，拓扑缺陷通常由一小尺度的芯区和芯外的远场区构 成，如超导体中的磁通线。 磁场 磁通线 超导态 另一类缺陷是所谓的面缺陷，本章所讲的面缺陷指的是将晶体 取向不同或结构有异的两部分分开的界面 更一般意义上，面缺陷是体系自由能相等但序参量不同的两部 分之间的界面，如晶界(grain boundary)、畴壁(domain wall)、 扭折(kink) 、孤子(soliton)等，统称为壁(wall) ，壁的存在使序 参量的空间变化发生突变。 一维伊辛自旋链中的扭折 铁磁体中的畴壁 缺陷物理早期主要为冶金学家们所关心，因为缺陷对材料的力 学、机械等性能有着直接的影响。 如今缺陷物理遍及固体物理所有分支学科，半导体物理、磁性 物理、超导物理、电介质物理等。 §8.2 缺陷的类型 1、点缺陷 1）点缺陷的分类 A 根据对理想晶体偏离的几何位置来分，有三类 A 空 位：正常格点位置没有被原子占据 填隙原子：原子进入晶格中的间隙位置 杂质原子：外来原子进入晶体中，若处在填隙位置则形成 填隙式杂质，若占据空位则成为替位式原子 空位、填隙原子、杂质原子等均引起晶格周期性的破坏，发生 在一个或几个晶格常数的线度范围内，故这类缺陷称为点缺陷 点缺陷的特征是三维方向上尺寸都很小，故也称之为零维缺陷 点缺陷与温度密切相关所以也称为热缺陷 B 根据产生缺陷的原因分 B 热 缺 陷 热运动使得某些原子脱离格点跑到表面形成空 位或进入间隙位置形成填隙原子 杂 质 缺陷 外来原子进入晶体中占据空位或进入间隙位置 La Ca MnO 非化学计量结构缺陷（电荷缺陷） 2/3 1/3 3-δ