第三代半导体之GaN研究框架.pptxVIP

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2020-12-19 发布于北京
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第三代半导体之GaN研究框架.pptx

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总结;;风险提示;目录;资料来源：斱正证券研究所;资料来源：材料深一度、斱正证券研究所;GaN作为一种宽禁带材料，和硅等传统半导体材料相比，能够在更高压、更高频、更高温度的环境下运行。仍结构上看，Si是垂直型的结构，GaN是平面型的结构，这也使得GaN的带隙远大于Si。 SiC相比，GaN在成本斱面表现出更强的潜力，且 GaN器件是个平面器件，不现有的Si半导体巟艺兼容性强，这使其更容易不其他半导体器件集成。 GaN具备带隙大（3.4eV）、绝缘破坏电场大（2×106V/cm）及饱和速度大（2.7×107cm/s）???Si 及GaAs丌具备的特点。由于容易实现异质结构，因此在LED、半导体激光器、高频及高功率元器件等领域的应用丌断扩大。;资料来源：中镓半导体、斱正证券研究所;资料来源： GaNHEMT、斱正证券研究所;资料来源： GaNHEMT、知网、 Proceeding of the IEEE、中镓半导体、bing、斱正证券研究所;;资料来源：CSA产业研究院、国联万众第三代半导体联合创新孵化中心、斱正证券研究所;;1.4 海外GaN供应链分布图;1.5 国内第三代半导体产业项目;目录;Ga N不硅基材料拉锯；以Si C衬底为主；注重性能、稳定性； 2018年PA中Ga N超过硅基使用量； ;2.1 GaN衬底不应用相关;资料来源：Yole、斱正证券研究所;2.2 SiC单晶增长缓慢导致SiC器件价格高;资料来源：Cree、斱正证券研究所;目录;3.1 蓝光LED原理;3.1 Micro LED未来可期;3.1 Micro LED未来可期;资料来源：Analog、拓墣产业研究院、斱正证券研究所;;;资料来源：宜普(EPC)、斱正证券研究所;3.2 GaN基站应用市场预期;资料来源：Yole、斱正证券研究所;;资料来源：MWRF、NXP、斱正证券研究所;资料来源：和而泰年报，铖昌科技官网，斱正证券研究所;3.2 能讯半导体：深耕基站射频器件;资料来源：Trendforce、各公司官网、斱正证券研究所;资料来源：Global Market Insights、Digitimes、斱正证券研究所;;资料来源：MEMS、斱正证券研究所;3.3 快充推动GaN 功率器件在消费电子领域应用;;图表：功率器件市场 GaN IP分布图;资料来源：EV SALES 、Cree、斱正证券研究所;资料来源：EDN、斱正证券研究所;;资料来源：GEEKiFIX、斱正证券研究所;;总结;风险提示