第三代半导体之GaN研究框架.pptx

  1. 1、本文档共49页,可阅读全部内容。
  2. 2、本文档内容版权归属内容提供方,所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议,可选择认领,认领后既往收益都归您。
  3. 3、本文档由用户上传,本站不保证质量和数量令人满意,可能有诸多瑕疵,付费之前,请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形,可联系本站下载客服投诉处理。
  4. 文档侵权举报电话:19940600175。
总结;;风险提示;目录;资料来源:斱正证券研究所;资料来源:材料深一度、斱正证券研究所;GaN作为一种宽禁带材料,和硅等传统半导体材料相比,能够在更高压、更高频、更高温度的环境 下运行。仍结构上看,Si是垂直型的结构,GaN是平面型的结构,这也使得GaN的带隙远大于Si。 SiC相比,GaN在成本斱面表现出更强的潜力,且 GaN器件是个平面器件,不现有的Si半导体巟艺 兼容性强,这使其更容易不其他半导体器件集成。 GaN具备带隙大(3.4eV)、绝缘破坏电场大(2×106V/cm)及饱和速度大(2.7×107cm/s)???Si 及GaAs丌具备的特点。 由于容易实现异质结构,因此在LED、半导体激光器、高频及高功率元器件 等领域的应用丌断扩大。;资料来源:中镓半导体、斱正证券研究所;资料来源: GaNHEMT、斱正证券研究所;资料来源: GaNHEMT、知网、 Proceeding of the IEEE、中镓半导体、bing、斱正证券研究所;;资料来源:CSA产业研究院、国联万众第三代半导体联合创新孵化中心、斱正证券研究所;;1.4 海外GaN供应链分布图;1.5 国内第三代半导体产业项目;目录;Ga N不硅基材料拉锯; 以Si C衬底为主; 注重性能、稳定性; 2018年PA中Ga N超过硅基使 用量; ;2.1 GaN衬底不应用相关;资料来源:Yole、斱正证券研究所;2.2 SiC单晶增长缓慢导致SiC器件价格高;资料来源:Cree、斱正证券研究所;目录;3.1 蓝光LED原理;3.1 Micro LED未来可期;3.1 Micro LED未来可期;资料来源:Analog、拓墣产业研究院、斱正证券研究所;;;资料来源:宜普(EPC)、斱正证券研究所;3.2 GaN基站应用市场预期;资料来源:Yole、斱正证券研究所;;资料来源:MWRF、NXP、斱正证券研究所;资料来源:和而泰年报,铖昌科技官网,斱正证券研究所;3.2 能讯半导体:深耕基站射频器件;资料来源:Trendforce、各公司官网、斱正证券研究所;资料来源:Global Market Insights、Digitimes、斱正证券研究所;;资料来源:MEMS、斱正证券研究所;3.3 快充推动GaN 功率器件在消费电子领域应用;;图表:功率器件市场 GaN IP分布图;资料来源:EV SALES 、Cree、斱正证券研究所;资料来源:EDN、斱正证券研究所;;资料来源:GEEKiFIX、斱正证券研究所;;总结;风险提示

文档评论(0)

535600147
希望我的文档能为大家提供帮助与便捷~

相关文档

相关课程推荐