《材料科学基础》3.4面缺陷.ppt

3.4 面缺陷（surface defects） 晶界：不同取向的晶粒之间的界面，包括小角度晶界和大角度晶界，晶粒的平均尺寸：0.015~0.25mm； 面缺陷是将材料分成若干区域的边界，每个区域内的晶体结构相同，区域之间有不同的取向，如表面、晶界、界面、层错、孪晶面等。 3.4.1 晶界（位错界面） 每个晶粒有时由若干个位向稍有差异的亚晶粒所组成，相邻亚晶粒的界面称为亚晶界。亚晶粒的平均尺寸：0.001mm 根据形成晶界时的操作不同，晶界分为倾斜晶界（tilt boundary）和扭转晶界（twist boundary）。 （一）小角度晶界（small angle grain boundary） 晶界的结构和性质与相邻晶粒的取向差有关，当取向差θ小于10o时，称为小角度晶界，亚晶界通常是小角度晶界(2o) 几何特征：相邻两晶粒相对于晶界作旋转，转轴在晶界内并与位错线平行。 简单立方晶体中的对称倾斜晶界 两侧晶体的位向差为θ，相当于相邻晶粒绕[001]轴反向各自旋转θ/2而成，转轴是[001]。 为填补相邻两个晶粒取向之间的偏差，使原子的排列接近原来的完整晶格，每隔几行就插入一片原子。 对称倾斜晶界是最简单的小角度晶界，这种晶界的结构特点是由一系列平行等距离排列的同号刃位错所构成。 位错间距离D、伯氏矢量 b 与取向差θ之间满足下列关系: 当θ小时，位错间距较大，若b=0.25nm，θ=1o，则D=14nm 若θ＞10o，则位错间距太近，上述模型不再适应。 ⊥ ⊥ ⊥ ⊥ ⊥ ⊥ 形成： 界面是绕[001]轴旋转角度φ的任意面，相邻两晶粒的取向差仍是很小的θ角，但界面两侧晶粒是不对称的。 结构特点：由两组相互垂直的刃位错所组成。 晶界平面是任意面 转轴是[001] 简单立方晶体扭转晶界 晶面平面是（001）面，转轴是[001] ，两者互相垂直 扭转后，为降低原子错排引起的能量增加，晶面内原子会适当位移以确保尽可能多的原子回到平衡位置，不能回到平衡位置的，形成两组相互垂直分布的螺位错。 推广：一般的小角度晶界，其旋转轴和界面可以有任意的取向关系，因此结构特点是由刃位错、螺位错或混合位错组成的二维位错网所组成。 ——此为小角度晶界的位错模型 大角度晶界：晶粒位向差? 角大于10?的晶界。其结构为几个原子范围内的原子的混乱排列，可视为一个过渡区。 （二）大角度晶界（large angle grain　boundary） 大角度晶界两侧晶粒的取向差较大，但其过渡区却很窄（仅有几个埃），其中原子排列在多数情况下很不规则，少数情况下有一定的规律性，因此很难用位错模型来描述。 (三) 晶界对材料性能的影响 (1) 多晶的强化 现象：多晶体的屈服强度明显地高于同样组成的单晶体，而且同一种多晶体材料中，晶粒越细，屈服强度越高。 解释：屈服强度高，说明晶体中位错滑移的启动较困难。 位错运动的阻力增加来自两个方面： 其一，晶粒位向不一致造成的阻力； 其二，晶界本身的阻力。与晶粒内部相比，晶界上原子排列紊乱、不规则，伯氏矢量大，使滑移的临界分切应力增加；同时杂质原子在晶界的偏聚或形成第二相颗粒沉积在晶界上，都会阻碍位错运动。 (2) 晶界强化（细晶强化）与位错塞积 作用在滑移系统上的分切应力正好为晶粒本身的临界分切应力时，塞积群中每个位错的的合力为零。要使位错越过晶界，必须增加外力，这就是位错塞积的强化机制。 位错塞积群，离晶界越远（即离位错源O处越近）的位错间的距离越大 3.4.2 堆垛层错 fcc 和 hcp的堆垛方式 A B A B A B C B A C B A fcc [111] hcp [0001] 弗兰克符号： △：AB、BC、CA ▽：BA、CB、AC 堆垛层错（层错）：指正常堆垛顺序中引入不正常顺序堆垛的原子面而产生的一类面缺陷。 面心立方晶体中的抽出型层错(a) 和插入型层错(b) 抽出型(或内嵌)层错 插入型(或外嵌)层错 这种结构变化，并不改变层错处原子最近邻的关系(包括配位数、键长、键角)，只改变次邻近关系，所引起的畸变能很小。因而，层错是一种低能量的界面。 如从某一层起全部变为逆顺序堆垛，…△△△▽▽▽…，则这一原子面成为一个反映面，两侧晶体以此面成镜面对称。这两部分晶体成孪晶关系，由于两者具有反映关系，称反映孪晶，该晶面称孪晶界面。 面心立方晶体中{111}面反映孪晶 沿着孪晶界面，孪晶的两部分完全重合，最近邻关系不发生任何改变，只有次近邻关系才有变化，引入的原子错排很小，称共格孪晶界面。孪晶界面的能量约为层错能之半。 3.4.3反映孪晶界面