《材料科学基础》3.1晶体结构缺陷的类型.ppt

第三章 晶体结构缺陷 缺陷的含义：通常把晶体点阵结构中周期性势场的畸变称为晶体的结构缺陷。 理想晶体：质点严格按照空间点阵排列。 实际晶体：存在着各种各样的结构的不完整性。 研究缺陷的意义：由于缺陷的存在，才使晶体表现出各种各样的性质，使材料加工、使用过程中的各种性能得以有效控制和改变，使材料性能的改善和复合材料的制备得以实现。因此，了解缺陷的形成及其运动规律，对材料工艺过程的控制，对材料性能的改善，对于新型材料的设计、研究与开发具有重要意义。 缺陷对材料性能的影响举例:材料的强化，如钢——是铁中掺碳陶瓷材料的增韧半导体掺杂 3.1 晶体结构缺陷的类型 3.2 点缺陷 3.3 线缺陷 3.4 面缺陷 3.5 固溶体 3.6 非化学计量化合物 本章目录： 3.1 晶体结构缺陷的类型 分类方式： 　几何形态：点缺陷、线缺陷、面缺陷等 　形成原因：热缺陷、杂质缺陷、非化学计量缺陷等 3.1.1 按缺陷的几何形态分类 一、点缺陷：其特征是三个方向的尺寸都很小，尺寸范围约为一个或几个原子尺度，为零维缺陷。 如：空位、间隙质点、杂质质点。除此以外，还有空位，间隙质点以及这几类缺陷的复合体等均属于这一类。 点缺陷与材料的电学性质、光学性质、材料的高温动力学过程有关。 属于这一类的主要是位错。 线缺陷的产生及运动与材料的屈服强度密切相关。 二、线缺陷: 其特征是缺陷在两个方向上尺寸很小（与点缺陷相似），而第三方向上的尺寸却很大，甚者可以贯穿整个晶体，也称之为一维缺陷 面缺陷的取向及分布与材料的断裂韧性有关。 三、面缺陷: 其特征是缺陷在一个方向上的尺寸很小（同点缺陷），而其余两个方向上的尺寸很大，也称二维缺陷。 晶体的外表面及各种内界面如：一般晶界、孪晶界、亚晶界、相界及层错等均属于这一类。 亚晶界: 同一个晶粒内部，亚结构与亚结构之间的界面称为亚晶界。 晶界: 两相邻晶粒间的过渡界面 四、体缺陷: 在局部的三维空间偏离理想晶体的周期性、规则性排列而产生的缺陷。如：第二相粒子团、空位团等。体缺陷与物系的分相、偏聚等过程有关。 一、热缺陷：亦称为本征缺陷，指由热起伏的原因所产生的空位和（或）间隙质点。 弗伦克尔缺陷(Frenkel Defect)：质点离开正常格点后挤入点阵的间隙位置，而在晶体中同时形成数目相等的空位和间隙原子。 肖特基缺陷(Schottky Defect)：质点离开正常格点后迁移到晶体表面或内表面的正常结点位置上，而使晶体内部留下空位。 3.1.2 按缺陷产生的原因分类 热缺陷产生示意图 （a）单质中弗仑克尔缺陷的形成 特点：空位与间隙质点成对出现 （b）单质中肖特基缺陷的形成 离子晶体特点：正负离子空位成对出现 二、杂质缺陷：组成缺陷，由外来杂质的引入而产生的缺陷 特征：当杂质的浓度在固溶体的溶解度范围之内时，杂志缺陷的浓度与温度无关。 如：红宝石激光器，含Cr的Al2O3 微量杂质缺陷的存在，将极大地改善基质晶体的物理性质。 取代式 间隙式 三、非化学计量缺陷：指组成上偏离化学中的定比定律所形成的缺陷。 由基质晶体与介质中的某些组分发生交换而产生。 特征：其化学组成随周围气氛的性质及其分压大小而改变。 如：Fe1-xO、Zn1+xO，半导体材料 四、电荷缺陷：指质点排列的周期性未受到破坏，但因电子或孔穴的产生使周期性势场发生畸变而产生缺陷。 包括：导带电子和价带空穴 五、辐照缺陷：材料在辐照下所产生的结构不完整性，如：色心、位错环等； 对金属的影响：高能辐照可把原子从正常格点位置撞击出来，产生间隙原子和空位； 降低金属的导电性并使材料由韧变硬变脆，退火可排除损失。 对非金属晶体的影响：在非金属晶体中，由于电子激发态可以局域化且能保持很长的时间，所以电离辐照会使晶体严重损伤，产生大量的点缺陷。 不改变力学性质，但导热性和光学性质可能变坏。 对高分子聚合物的影响：可改变高分子聚合物的结构，链会断裂，聚合度降低，导致高分子聚合物强度降低。