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一、填空题 晶圆制备 1． 用来做芯片的高纯硅被称为（半导体级硅） ，英文简称（ GSG），有时也被称为（电子级硅）。 2． 单晶硅生长常用（ CZ 法）和（区熔法）两种生长方式，生长后的单晶硅被称为（硅锭）。 3． 晶圆的英文是（ wafer），其常用的材料是（硅）和（锗） 。 4． 晶圆制备的九个工艺步骤分别是（单晶生长） 、整型、（切片）、磨片倒角、刻蚀、（抛光）、清洗、检查和包装。 5． 从半导体制造来讲， 晶圆中用的最广的晶体平面的密勒符号是 （100）、（110）和（111）。 6． CZ 直拉法生长单晶硅是把（融化了的半导体级硅液体）变为（有正确晶向）并且（被掺杂成 p 型或 n 型）的固体硅锭。 7． CZ 直拉法的目的是（实现均匀参杂的同时并且复制籽晶的结构，得到合适的硅锭直径并且限制杂质引入到硅中） 。影响 CZ 直拉法的两个主要参数是（拉伸速率）和（晶体旋转速率）。 8． 晶圆制备中的整型处理包括（去掉两端） 、（径向研磨）和（硅片定位边和定位槽） 。 9． 制备半导体级硅的过程： 1（制备工业硅）； 2（生长硅单晶）；3（提纯）。 氧化 10． 二氧化硅按结构可分为（结晶型）和（非结晶型）或（不定型） 。 11． 热氧化工艺的基本设备有三种： （卧式炉）、（立式炉）和（ 快速热处理炉）。 12． 根据氧化剂的不同，热氧化可分为（干氧氧化） 、（ 湿氧氧化）和（水汽氧化） 。 13． 用于热工艺的立式炉的主要控制系统分为五部分： （工艺腔）、（硅片传输系统）、气体分配系统、尾气系统和（温控系统） 。 14． 选择性氧化常见的有（局部氧化）和（浅槽隔离） 15． 列出热氧化物在硅片制造的 4种用途：（参杂阻挡）、（表面钝化）、场氧化层和（金属层间介质）。 16． 可在高温设备中进行的五种工艺分别是（氧化） 、（扩散）、（淀积）、退火和合金。 17． 硅片上的氧化物主要通过（热生长）和（淀积）的方法产生，由于硅片表面非常平整，使得产生的氧化物主要为层状结构，所以又称为（薄膜） 。 18． 热氧化的目标是按照（厚度）要求生长（无缺陷） 、（均匀）的二氧化硅薄膜。 19． 立式炉的工艺腔或炉管是对硅片加热的场所，它由垂直的（石英钟罩 ）、（多区加热电阻丝）和（加热管套）组成。 淀积 20． 目前常用的 CVD 系统有：（ APCVD ）、（LPCVD ）和（ PECVD）。 21． 淀积膜的过程有三个不同的阶段。第一步是（晶核形成 ），第二步是（聚集成束），第三步是（形成连续的膜） 。 22． 缩略语 PECVD、 LPCVD 、HDPCVD 和 APCVD 的中文名称分别是（等离子体增强减压 CVD ）、（低压 CVD ）、高密度等离子体化学气相淀积、和（常压 CVD ）。 23． 在外延工艺中，如果膜和衬底材料（相同 ），例如硅衬底上长硅膜，这样的膜生长称为（同质外延）；反之，膜和衬底材料不一致的情况，例如硅衬底上长氧化铝，则称为（异质外延）。 1 24． 如果淀积的膜在台阶上过度地变薄，就容易导致高的（膜应力） 、（电短路）或者在器件中产生不希望的（诱生电荷） 。 25． 深宽比定义为间隙的深度和宽度的比值。高的深宽比的典型值大于（ 3：1）。高深宽比的间隙使得难于淀积形成厚度均匀的膜，并且会产生（夹断）和（空洞） 。 26． 化学气相淀积是通过 （气体混合） 的化学反应在硅片表面淀积一层 （固体膜） 的工艺。 硅片表面及其邻近的区域被（加热 ）来向反应系统提供附加的能量。 27． 在半导体产业界第一种类型的 CVD 是（ APCVD ），其发生在（质量输运控制）区域，在任何给定的时间，在硅片表面（不可能有足够）的气体分子供发生反应。 28． HDPCVD 工艺使用同步淀积和刻蚀作用，其表面反应分为： （离子诱导淀积）、（溅射刻蚀）、（再次淀积）、热中性 CVD 和反射。 金属化 29． 金属按其在集成电路工艺中所起的作用， 可划分为三大类：（ MOSFET 栅极材料）、（互连材料）和（接触材料） 。 30． 气体直流辉光放电分为四个区，分别是：无光放电区、汤生放电区、辉光放电区和电 弧放电区。其中辉光放电区包括前期辉光放电区、 （亚辉光放电区）和（正常辉光放电区 ），则溅射区域选择在（反常辉光放电区） 。 31． 溅射现象是在（辉光放电）中观察到的，集成电路工艺中利用它主要用来 （淀积合金），还可以用来（金属化）。 32． 对芯片互连的金属和金属合金来说， 它所必备一些要求是：（导电率）、高黏附性、（淀积）、（平坦化）、可靠性、抗腐蚀性、应力等。 33． 在半导体制造业中，最早的互连金属是（ A U），在硅片制造业中最普通的互连金属是（铝铜合金），即将取代它的金属材料是（ CU）。 3