关于脉冲激光沉积(pld)薄膜技术的探讨.pdf

《表面科学与技术》课程作业 关于脉冲激光沉积（PLD ）薄膜技术的探讨 摘 ：薄膜材料广泛应用在半导体材料、超导材料、生物材料、微电子元件等方面。为了得 到高质量的薄膜材料，科学家一直在寻找和探讨各种新的技术，脉冲激光沉积（ Pulsed Laser Diposition PLD ）薄膜技术是近年来快速发展起来的使用范围最广，最有前途的制膜技 术之一。本文介绍了脉冲激光沉积(PLD)薄膜技术的原理及特点，并与其他薄膜技术进行对 比，探讨衬底温度、靶材与基底的距离、退火温度、靶材的致密度、激光能量、激光频率等 参数对薄膜质量的影响。分析了脉冲激光沉积技术在功能薄膜材料中的应用和研究现状，并 展望了该技术的应用前景。 关键字：脉冲激光沉积（PLD ） 等离子体 薄膜技术 前言 上世纪60年代第一台红宝石激光器的问世，开启了激光与物质相互作用的全新领域。科 学家们发现当用激光照射固体材料时，有电子、离子和中性原子从固体表面逃逸出来，这些 跑出来的粒子在材料附近形成一个发光的等离子区，其温度估计在几千到一万度之间，随后 有人想到，若能使这些粒子在衬底上凝结，就可得到薄膜，这就是最初激光镀膜的概念。最 初有人尝试用激光制备光学薄膜，这种方法经分析类似于电子束打靶蒸发镀膜，没有体现出 其优势来，因此这项技术一直不被人们重视。直到1987年，美国Bell实验室首次成功地利用 短波长脉冲准分子激光制备了高质量的钇钡铜氧超导薄膜，这一创举使得脉冲激光沉积 (Pulsed Laser Deposition，简称PLD)技术受到国际上广大科研工作者的高度重视，从此PLD 成为一种重要的制膜技术[1] 1 。 由于脉冲激光沉积技术具有许多优点，它被广泛用于铁电、半导体、金刚石(类金刚石)等多 种功能薄膜以及生物陶瓷薄膜的制备上，可谓前途光明。 1. PLD 技术装置图及工作原理 1.1 PLD系统 脉冲沉积系统样式比较多，但是结构差不多，一般由准分子脉冲激光器、光路系统(光 阑扫描器、会聚透镜、激光窗等) ；沉积系统(真空室、抽真空泵、充气系统、靶材、基片加 1 [1] 邓国联，江建军．脉冲沉积技术在磁性薄膜制备中的应用[J]．材料导报2003 ，17(2)： 66—68 ．原文： “1987年，美国Bell实验室首次成功地利用短波长脉冲准分子激光制备了高 质量的钇钡铜氧(YBCO)超导薄膜，脉冲激光沉积(Pulsed Laser Deposition，简称PLD)技术才 成为一种重要的制膜技术受到国际上广大科研工作者的高度重视。” 1 热器) ；辅助设备(测控装置、监控装置、电机冷却系统)等组成[2] 2 ，如图1-1所示。 1-1 PLD系统设备结构示意图 1.2 PLD镀膜原理 脉冲激光沉积技术的主体是物理过程，但有时也会引入活性气体含化学反应过程。其溅 射过程使用的激光是多维脉冲激光，多是用来制备纳米薄膜。PLD 镀膜技术是将准分子脉 冲激光器所产生的高功率脉冲激光束聚焦作用于靶材表面，使靶材表面产生高温熔蚀物，并 进一步产生高温高压等离子体，这种等离子体能够产生定向局域膨胀发射并在衬底上沉积成 膜[3] 3。脉冲激光作为一种新颖的加热源，其特点之一就是能量在空间和时间上高度集中。 从靶材经过激光束作用产生等离子体到粒子最后在基片表面凝结沉积成膜，整个PLD镀膜过 程通常分为三个阶段[4] 4： 1.2.1 激光与靶材相互作用产生等离子体 脉冲激光烧蚀固体靶产生的等离子体过程非常复杂，而此过程对激光烧蚀沉积又非常关 键。激光束聚焦在靶材表面，在足够高的能量密度下和短的脉冲时间内，靶材吸收激光能量 并使光斑处的温度迅速升高至靶材的蒸发温度以上而产生高温及烧蚀，靶材汽化蒸发，有原 子、分子、电子、离子和分子团簇及微米尺度的液滴、固体颗粒等从靶的表面逸出。这些被 蒸发出来的物质反过来又继续和激光相互作用，其温度进一步提高，形成区域化的高温高密 度的等离子体，等离子体通过逆韧致吸收机制吸收光能而被加热到104K 以上，形成一个具 有致密核心的明亮的等离子体火焰。靶材离化蒸发量与吸收的激光能量密度之间有下列关系 [5] 5 ： d  (1 R) (I  I )  .H 0 2 [2] 高国棉 陈长乐 陈钊 李谭 王永仓 金克新