压电元件导纳圆的测量实验报告.docxVIP

压电元件导纳圆的测量 精 51 赵诣 2005010482 实验目的 ⑴ 测量压电元件的导纳，即测量阻抗，可提供该元件与所在电路之间的阻抗匹配数据; 通过测量压电元件或压电换能器的导纳圆可以得到其发射效率； 学习利用示波器测量交流阻抗的方法 二、实验原理 (1 )压电效应 对某些电介质晶体施加机械应力时，晶体因内部正负电荷中心发生相对位移而产生极 化，导致晶体两端面上出现符号相反的束缚电荷， 其电荷密度与应力成正比。 这种没有电场 作用，由机械应力的作用而使电介质晶体产生极化并形成晶体表面电荷的现象称为压电效 应。当机械应力由压应力变成拉应力时，电荷符号也改变。 于以上情况相反，将具有压电效应的电介质晶体置于电场中， 电场的作用引起电介质内 部正负电荷中心产生相对位移， 而这一位移又导致介质晶体发生形变， 晶体的这种由外加电 场产生形变的现象称为逆压电效应。 晶体形变的大小与外加电场强度成正比， 当电场反向时, 形变也改变符号。 压电元件的等效电路 等效电路由右图所示: 电路总导纳为: RiRi2(wL Ri Ri2 (wL1 wC/ wCo (wLi 芬)2 wG r2 (wL1 —)2 wC/ 动态导纳y 动态导纳yi和总导纳 Y随频率变化情况如下: gi2i gi 2 i 2R bi2 2 i 2Ri 取横座标表示电导 g，纵坐标表示电纳jb，则U的频率改变时，上式代表一个圆，称为导 纳圆。如图： 此时有 wL i 1 0 wCi 即 s 1/ . LiCi，由导纳圆还可得到 R1, L1, C1 , Qm。 （3）测量电路及测量仪器 测量线路如下图。E为函数信号发生器，P为被测压电元件，R为无感电阻（一般用金 属膜或碳膜电阻），取值尽量小一些。用示波器测得 U , Ui，及U与Ui之间的相位差0, 即可求得压电元件的总阻抗或总导纳。 总导纳Y g jb 总导纳Y的模|Y |丄 ^丄 U UR 总电导g 总电导g | Y | cos Ui 2 cos - UR T 总电纳 b |Y|sin “si n2 ( 3.14.13 ) UR T 在压电元件的某一共振频率附近改变信号频率，测得若干组 g、b，即可得到测量的导 纳圆。 由于测量时，电路中加入了采样小电阻 R，于是压电元件的等效电路参量可替换为 Li、 C1、( R+R1 )和 C0/(1 R ），因此公式（3.14.9 ）、式（3.14.10 ）和C0将修正为 R1 R1 R 1/D (3.14.14 ) L1 R R1 (3.14.15 ) 2 1 C0 AC s (1 ，而C1和 O m形式不变。  补充内容：用示波器研究互感耦合电路 的特性 如右图所示的互感电路中，原边线圈(自感为 Li，线 圈电阻为Ri)和副边线圈(自感为 L2)之间通过互感 M 联系在一起组成耦合电路，副边回路的电阻为 R2，它是 线圈导线电阻和外接电阻之和。原、副边回路的微分方 程如下： 设原边电流为i1l1msin t，Iim为ii的峰值，ii可由测 设原边电流为i1 程组求ui的稳态解可得: ui (Ri Ri )l ui (Ri Ri )l im sin t Li )1 im cos t (3.i3.i ) 式中 Ri M 2 2r2 M 2 2L2 (3.i3.2 ) 从以上两式可见，副边回路对原边的影响可等效为原边电阻增加△ Ri，同时电感减少厶 Li。当R2= s,即副边开路时，△ Ri和ALi均为0 ;当3—定，且R2=江2时，ARi达极大值 Ri max2L Ri max 2L2 (3.13.3 ) 三、实验内容 1、 熟悉函数信号发生器面板上各旋钮的功能。将信号输出直接接至示波器，用示波器观察 不同频率、不同幅度、不同波形的信号。 2、 在压电元件的某一共振频率附近，缓慢改变信号频率，定性观察电压 U、Ui的大小及 这两个电压的相位差变化情况，做简单记录。 3、 测导纳圆。在非共振频率处，U取峰峰值约i0V。在共振最明显处的一共振频率附近调 节频率，从小于共振频率调到大于共振频率，测量每一频率下的 f, U、Ui、T,由此算 出g, b，画导纳圆。 4、 从g-f图上查出Fi、F2点的频率fi、f2，算出Ri、Li、Ci及Qm。 5、 研究副边电阻R2改变时原边等效电阻增量A Ri的变化。可由下式求得等效电阻 ： uit uit L, (Ri Ri)」 ^R (3.i3.4 ) 1 i m u Rm 由于示波器各通道的输入端“地”在机内已短接，因此式(3.i3.4 )变为 ut uRm ut (Ri Ri) 一 一R ( i)R (3.i3.5 ) uRm u Rm 6、研究当3—定时AL i随R2的变化关系。 四、实验数据及处理 当在共振频率附近缓慢改变