光电检测技术3剖析.pptVIP

2021/2/11 * 3.4.2.结型光电器件与运算放大器的连接 集成运算放大器因结构简单、使用方便而广泛应 用于光电变换器件中。光电二极管与运算放大电路的 连接方式有三种方式 电流放大型IC变换电路: 运算放大器两输入端间的输入阻抗Zin是硅光电二极管的负载电阻;当放大倍数和反馈电阻较大时,可以认为硅光电二极管是处于短路工作状态,能输出理想的短路电流,这时运算放大器输出为: 由于电流放大器输入阻抗低,响应速度快,噪声低,信噪比高,广泛用于弱光信号的变换中 2021/2/11 * (2)电压放大型IC变换电路: 硅光电二极管与负载电阻RL并联且硅光电二极管的正端接在运算放大器的正端;放大器的漏电流比光电流小得多,具有很高的输入阻抗.当负载电阻大于1M时,运行于硅光电池下的光电二极管处于开路状态,可以得到与开路电压成正比的输出信号: 2021/2/11 * (3) 阻抗变换型: 反向偏置的硅光电二极管具有恒流源性质,内阻很大,饱和光电流与输入光照度成正比,在高负载电阻时可得到高的输出信号.但是如果把这种反偏的二极管直接接到负载上,会因为负载失配而削弱信号的幅度,因此需要有阻抗变换器将阻抗的电流源变换为低阻抗的电压源,然后再于负载连接。 注意:用场效应管代替双极性晶体管作前置极,其偏置电流较小,适合于光功率很小的场合. 三种电路各有优缺点, 但都适用于光功率很小的场合。 2021/2/11 * 利用光刻技术,将一个圆形或方形的光敏面窗口分隔成几个有一定规律的的区域(但背面仍为整片),每一个区域相当于一个光电二极管。理想情况下,每个光电二极管应有完全相同的性能参数。 §3.5 特殊结型光电器件 3.5.1.象限探测器 象限探测器实质是一个面积很大的结型光电器件,很像一个光电池; 2021/2/11 * 典型的象限探测器有四象限光电二极管和四象 限硅光电池等,也有二象限的硅光电池和光电二极 管等。 象限探测器有以下几个缺点: ③ 测量精度易受光强变化的影响,分辨率不高。 ① 表面分割,而产生死区,光斑越小死区的影响 越明显; ② 若光斑全部落入一个象限时,输出的电信号将 无法区别光斑的准确位置; 2021/2/11 * 3.5.2. PIN型光电二极管 1）普通PIN型光电二极管 PIN型光电二极管又称快速光电二极管,它的结构分三层,即在P型半导体和N型半导体之间夹着较厚的本征半导体I层: PIN光电二极管因有较厚的I层,因此具有四点优点: 1).PN结间距离拉大,结电容变小。目前PIN光电二极管的结电容一般为零点几到几个微微法,响应时间 tr＝1～3ns,最高达0.1ns。 3）增加了对长波的吸收,提高了长波灵敏度,其 响应波长范围可以从0.4～1.1μm。 4）可承受较高的反向偏压,使线性输出范围变宽 2).内建电场基本上全集中于I层中,使耗尽层厚 度增加,增大了对光的吸收和光电变换区域,量 子效率提高了。 2021/2/11 * 若以PSD的中心点为原点建立坐标系或坐标轴,设光点离中心点的距离为xA,于是有: a．PSD的工作原理和位置表达式 PSD包含有三层,上面为P层,下面为N层,中间为I层,它们全被制作在同一硅片上,P层既是光敏层,也是一个均匀的电阻层。 电极③上输出的总电流为: I0= I1+I2 2）特殊结构的PIN型光电二极管 光电位置传感器是一种对入射到光敏面上的光点 位置敏感的PIN型光电二极管,面积较大,其输出信号与光点在光敏面上的位置有关。一般称为PSD。 由于P层的电阻是均匀的,由两极输出的电流分别与光点到两电极的距离成反比。 光射到PSD的光敏面上时,在入射位置表面下就产生与光强成比例的电荷,此电荷通过P层向电极流动形成光电流。 P层 I层 N层 设两电极间的距离为2L,经电极①和电极②输出的光电流分别为I1和I2 , 思考题:若坐标原点设在PSD的一端,问流过两个电极的电流与光点位置的关系式? 光电位置传感器(PSD) 2021/2/11 * 一般PSD分为两类:一维PSD和二维PSD。 一维PSD主要用来测量光点在一维方向的位置, 二维PSD用来测定光点在平面上的坐标(x, y), （1）一维PSD 一维PSD感光面大多做成细长矩形。 b.光电位置传感器(PSD)的分类 入射光点位于A点的坐标位置: ①和②为信号电极,③为公共电极 A 2021/2/11 * 1.两面分离型P