第三章-探测器.pptVIP

2021/2/7 * 碲锡铅（PbSnTe）光敏电阻 由于配制Sn的组分含量不同,禁带宽度也不同,峰值波长及长波限也随之改变,但它的禁带宽度变化范围不大 目前只能工作在8~10μm波段,由于探测率较低,应用不广泛 Pb0.83Sn0.17Te探测器,77K时,峰值波长与CO2激光器的10.6 ?m激光波长相吻合,长波限为11 ?m 锗掺杂探测器 其特点是响应时间较短（10-6~10-8S）,要求工作温度低 工作在绝对温度2K时,其探测波长可达130 ?m,这是其它探测器所不能达到的 2021/2/7 * 二、光敏电阻的基本特性 1. 光电特性 光敏电阻为多数电子导电的光电敏感器件。光敏电阻的基本特性参数包含光电导特性、时间响应、光谱响应、伏安特性与噪声特性等。 光敏电阻在黑暗的室温条件下,由于热激发产生的载流子使它具有一定的电导,该电导称为暗电导 。 当有光照射在光敏电阻上时,它的电导将变大,这时的电导称为光电导。 光电流与照度的关系称为光电特性。电导随光照量变化越大的光敏电阻就越灵敏。 2021/2/7 * 如图所示的特性曲线反应了流过光敏电阻的电流Ip与入射光照度E间的变化关系,可见它是由直线性渐变到非线性的。 在恒定电压的作用下,流过光敏电阻的光电流Ip为 式中Sg为光电导灵敏度,单位为S/lx,决定于材料特性;电压指数?=1;照度指数?为0.5（强光）-1（弱光）;E为光敏电阻的照度。显然,当照度很低时,曲线近似为线性;随照度的增高,线性关系变坏,当照度变得很高时,曲线近似为抛物线形。 2021/2/7 * 光敏电阻的光谱响应主要由光敏材料禁带宽度、杂质电离能、材料掺杂比与掺杂浓度等因素有关。 2. 光谱特性 光谱特性曲线反映了光谱灵敏范围、峰值波长及波长与灵敏度的关系。 2021/2/7 * 3. 频率特性 光敏电阻的频率特性差,不适于接收高频信号。 4. 伏安特性 不同光照下加在光敏电阻两端的电压U与流过它的电流Ip的关系曲线,并称其为光敏电阻的伏安特性。 光敏电阻的伏安特性曲线很好,在一定光照下阻值稳定 。 2021/2/7 * 5. 温度特性 如图所示为典型CdS与CdSe光敏电阻在不同照度下的温度特性曲线。以室温（25℃）的相对光电导率为100%,观测光敏电阻的相对光电导率随温度的变化关系,可以看出光敏电阻的相对光电导率随温度的升高而下降,光电响应特性随着温度的变化较大。 2021/2/7 * 6. 前历效应 光敏电阻的时间特性与工作前“历史”有关的现象。 暗态前历:光电流上升慢 亮态前历:时间短 7. 噪声特性 光敏电阻的主要噪声有热噪声、产生复合噪声和低频噪声(或称1/f噪声)。 2021/2/7 * 优点: 灵敏度高,光电导增益大于1,工作电流大,无极性之分 光谱响应范围宽,尤其对红外有较高的灵敏度 所测光强范围宽,可测强光、弱光 不足: 强光下光电转换线性差 光电导弛豫时间长 受温度影响大 由伏安特性知,设计负载时,应考虑额定功耗 进行动态设计时,应考虑光敏电阻的前历效应 2021/2/7 * 三、 光敏电阻的偏置电路 1. 基本偏置电路 设在某照度Ev下,光敏电阻的阻值为R,电导为g,流过偏置电阻RL的电流为IL 光照变化时, 而,dR=d(1/g)=(-1/g )dg dg=S dE 因此 2 2 g v 2021/2/7 * 设iL=dIL,ev=dEv,则 加在光敏电阻上的电压为R与RL对电压Ubb的分压,即UR=R/(R+RL) Ubb,因此,光电流的微变量为 所以得 2021/2/7 * 光敏电阻随温度变化大,线性差,故不适于作精密测量。 但因其小巧、结构紧凑、价格低廉、能通过较大的电流,广泛用于控制装置中。 光控继电器 路灯自动熄亮装置 白炽灯调光软开关 光、感双控自动开关 光控防盗报警器 测光文具盒 光敏电阻的应用 七.电子鞭炮 八.光控变阻器 九.光电变位检测器 十. 外测曝光表 十一.内测曝光表与电子快门 十二.浓度计 十三.追光机器人 物理 2021/2/7 * 光电效应——入射光子与物质中的电子相 互作用并产生载流子的效应。 外光电效应:向物质外部发射光电子 光电发射效应 内光电效应:只在物质内部产生光电子 光电导效应 光伏效应 3.2 光电导效应 2021/2/7 * 3.2.1 半导体中的载流子 载流子:半导体中参与导电的自由电子和自由空穴; 半导体的电学性质与材料的载流子浓度有关 载流子浓度:单位体积内的载流子数; 本征半导体:ni = pi ,